EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
nand 閃存
nand 閃存 文章 進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
閃存成本下滑固態(tài)硬盤價(jià)格將下降 筆記本很有優(yōu)勢(shì)
- 固態(tài)硬盤明年仍然少見且價(jià)格昂貴,但隨著其量產(chǎn),閃存成本的下滑,固態(tài)硬盤價(jià)格從2009年,2010年開始將開始下降。 DRAM與閃存產(chǎn)品制造商Micron Technology本周公布了固態(tài)硬盤發(fā)展計(jì)劃。這種硬盤功能與常規(guī)硬盤無(wú)異,但與一般硬盤將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在磁碟上不同,固態(tài)硬盤將數(shù)據(jù)保存在NAND內(nèi)存芯片上,就像MP3播放器保存文件的方式一樣。 Micron將從明年第一季度開始大規(guī)模生產(chǎn)固態(tài)硬盤。第一批產(chǎn)品為32GB或64GB型號(hào)。雖然容量是現(xiàn)在筆記本電腦硬盤平均容量的一半,但Micron內(nèi)存
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 固態(tài)硬盤 閃存 NAND MCU和嵌入式微處理器
三星減少NAND閃存供貨量 擬甩掉臺(tái)灣廠商
- 近期,三星和海力士(Hynix)面向臺(tái)灣的NAND閃存芯片供貨量有所下降,另一方面,英特爾和Micron的合資公司IM則推出了更具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格并逐步搶占市場(chǎng),許多分析人士認(rèn)為未來閃存市場(chǎng)或許將會(huì)出現(xiàn)另一番局面。 三星和海力士減少向臺(tái)灣內(nèi)存廠商的供貨量,是為了滿足蘋果這類國(guó)際大客戶的供貨需求。東芝也限制了供應(yīng)量,唯獨(dú)沒有對(duì)群聯(lián)電子(Phison Electronics)采取限制措施,這使得不少臺(tái)灣企業(yè)開始考慮降低對(duì)大廠商產(chǎn)品的依賴。 一些臺(tái)灣內(nèi)存廠商指出,它們都不愿意繼續(xù)向三星和海力士采購(gòu),
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 三星 海力士 NAND 其他IC 制程
大容量NAND Flash K9T1G08U0M在網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)中的應(yīng)用
- 1 引言 隨著嵌入式系統(tǒng)廣泛應(yīng)用,嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和數(shù)據(jù)管理則成為設(shè)計(jì)人員考慮的重點(diǎn)。在許多現(xiàn)場(chǎng)不可達(dá)數(shù)據(jù)采集應(yīng)用中采用分布式數(shù)據(jù)存儲(chǔ),必然帶來數(shù)據(jù)管理的不便,因此,集中管理數(shù)據(jù)成為一種思路。利用成熟的網(wǎng)絡(luò)傳輸技術(shù)集中分布式嵌入式系統(tǒng)數(shù)據(jù),采用C/S模式管理數(shù)據(jù)。對(duì)于大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ),選擇介質(zhì)存儲(chǔ)是需要重點(diǎn)考慮的問題。目前大多采用IDE硬盤或SCSI硬盤存儲(chǔ),但都存在抗震和抗電磁干擾能力差、使用溫度范圍窄,無(wú)法長(zhǎng)期在惡劣的環(huán)境中長(zhǎng)期工作。電子式Flash存儲(chǔ)器具有速度快、容量大、成本低、體積
- 關(guān)鍵字: 通訊 無(wú)線 網(wǎng)絡(luò) NAND Flash K9T1G08U0M MCU和嵌入式微處理器
供應(yīng)過剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化
- 美國(guó)iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示,由于供應(yīng)過剩與價(jià)格暴跌,DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進(jìn)一步惡化。 NAND閃存方面,預(yù)計(jì)512M產(chǎn)品全球平均單價(jià)(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價(jià)在第二季度、第三季度均比上季度有所提高,分別為6%與8.4%。但是在第四季度,隨著價(jià)格下跌,行情出現(xiàn)惡化,短期內(nèi)很難恢復(fù)。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示,此次價(jià)格下跌的主要原因韓國(guó)內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存,從而導(dǎo)
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) NAND DRAM 閃存 MCU和嵌入式微處理器
淺談USB閃存盤與PIC微控制器系統(tǒng)的連接
- 問題與挑戰(zhàn) 作為現(xiàn)今普遍接受的移動(dòng)存儲(chǔ)工具,USB閃存盤在各種嵌入式系統(tǒng)中也獲得廣泛應(yīng)用。 本文介紹低成本PIC控制器通過USB2.0全速接口與閃存盤進(jìn)行連接的實(shí)現(xiàn)過程,并著重針對(duì)PIC微控制器和VinculumUSB接口芯片說明有關(guān)嵌入式接口的硬件設(shè)計(jì)以及程序的編寫。 如今各種閃存盤和USB外設(shè)價(jià)格已相當(dāng)?shù)土?并被廣泛應(yīng)用到帶USB接口的PC中.而要將它們應(yīng)用于8位或16位嵌入式系統(tǒng)中,如何解決成本和功耗等問題才是關(guān)鍵.
- 關(guān)鍵字: USB 閃存 PIC 微控制器 連接 嵌入式系統(tǒng) 存儲(chǔ) 嵌入式
年終旺季需求支撐,NAND FLASH合約價(jià)短期平穩(wěn)
- 11月上旬NAND Flash合約價(jià)格大致跌幅約為0-5%,比前兩個(gè)月跌幅明顯縮小,主要是因?yàn)橄掠慰蛻粼?0月已陸續(xù)進(jìn)行降低庫(kù)存的動(dòng)作,加上市場(chǎng)預(yù)期11月中旬要開始準(zhǔn)備年底旺季的備貨需求,根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)觀察,NAND Flash價(jià)格走勢(shì)在11月初已經(jīng)出現(xiàn)止跌回穩(wěn)的現(xiàn)象。 隨著NAND Flash供貨商5X納米制程產(chǎn)品供應(yīng)量提高后,下游客戶采購(gòu)顆粒開始轉(zhuǎn)向以8Gb和16Gb MLC為主流,導(dǎo)致TSOP 4G MLC顆粒跌幅約為11%,相較于其它規(guī)格來得顯著。有鑒于9月以來
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) NAND Flash microSD 嵌入式
革命性架構(gòu)推動(dòng)閃存領(lǐng)域發(fā)展
- Spansion以非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新推動(dòng)閃存領(lǐng)域的發(fā)展。在本世紀(jì)初推出MirrorBit技術(shù)之后,Spansion以MirrorBit ORNAND技術(shù)和2006年推出的世界首款每單元4比特MirrorBit Quad技術(shù),不斷引領(lǐng)市場(chǎng)?,F(xiàn)在,Spansion又推出了強(qiáng)大的革命性MirrorBit Eclipse架構(gòu),為多功能手機(jī)及多媒體便攜設(shè)備提供更高性能和更低成本,顯著降低手機(jī)OEM廠商存儲(chǔ)子系統(tǒng)材料(BOM)成本。 MirroBit Eclipse工作原理 完整的陣列可以在相
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 架構(gòu) 閃存 MCU和嵌入式微處理器
FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲(chǔ)器上的改進(jìn)設(shè)計(jì)
- 嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲(chǔ)在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性,構(gòu)建一個(gè)適合管理NAND Flash存儲(chǔ)器的FAT文件系統(tǒng),并闡述具體的設(shè)計(jì)思想。該系統(tǒng)改進(jìn)了FAT表和FRT表的存儲(chǔ)方式,延長(zhǎng)了存儲(chǔ)器的使用壽命,提高了穩(wěn)定性。 NAND Flash存儲(chǔ)器是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件,容易出現(xiàn)位反轉(zhuǎn)現(xiàn)象,同時(shí)在使用中可
- 關(guān)鍵字: FAT NAND Flash 存儲(chǔ)器 通信 嵌入式系統(tǒng) 嵌入式 無(wú)線 通信
IC Insights:閃存成長(zhǎng)暫緩 前景仍看好
- 業(yè)界預(yù)測(cè)2007年閃存市場(chǎng)將出現(xiàn)下滑,不過市場(chǎng)研究公司ICInsights仍然看好該產(chǎn)品領(lǐng)域的長(zhǎng)期前景。該公司在其McClean報(bào)告(TheMcCleanReport)的半年更新中預(yù)測(cè),2007年閃存市場(chǎng)將比2006年下降1%,從201億美元降到199億美元;但預(yù)計(jì)該市場(chǎng)在2008年將反彈16%,達(dá)到231億美元。 據(jù)上述年中更新報(bào)告,2007年閃存市場(chǎng)趨緩,主要原因是單位出貨量下降(預(yù)計(jì)2007年成長(zhǎng)11%),和平均銷售價(jià)格(ASP)下滑(預(yù)計(jì)2007年下跌11%)。產(chǎn)品儲(chǔ)存密度提高,導(dǎo)致單位
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 閃存 IC 模擬IC
07年第三季NAND Flash廠營(yíng)收逼近39億美元
- 根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)最新出爐的第三季NANDFlash營(yíng)收市占率報(bào)告指出,NANDFlash品牌廠商在2007年第三季整體營(yíng)收表現(xiàn)亮麗,逼近三十九億美元,比第二季增長(zhǎng)了36.8%;整體NANDFlash位出貨量相較于第二季增長(zhǎng)約30%;而就營(yíng)收排行而言,三星(Samsung)如預(yù)期再度蟬連冠軍,東芝(Toshiba)居次,而海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特爾(Intel)營(yíng)收均有顯著的增長(zhǎng)。 由于第三季為傳統(tǒng)NANDFlash下游客戶的備貨旺
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) NAND Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器
IDC: 今年芯片銷售增速緩慢將促使08年猛增
- IDC在最新的《全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)》中預(yù)測(cè),2007年全球芯片銷售收入增長(zhǎng)速度放慢將為2008年的大增長(zhǎng)奠定基礎(chǔ)。 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,2007年全球芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度將只有4.8%,2006年的這一數(shù)字只有8.8%。IDC預(yù)測(cè),2008年的增長(zhǎng)速度將達(dá)到8.1%。 報(bào)告指出,如果產(chǎn)能增長(zhǎng)速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢,芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度會(huì)更快。市場(chǎng)潮流是合并和收購(gòu),這可能會(huì)改變業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)格局。 IDC負(fù)責(zé)《全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)》的項(xiàng)目經(jīng)理戈帕爾說,今年上半年芯片市場(chǎng)的供過于求降低了對(duì)各
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 芯片 DRAM NAND EDA IC設(shè)計(jì)
IC單位出貨量強(qiáng)勁 面臨廠商無(wú)利潤(rùn)繁榮局面
- 最近公布的數(shù)據(jù)顯示,2007年IC單位出貨量將增長(zhǎng)10%,略高于市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights最初預(yù)計(jì)的8%。自2002年以來,IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng),正在推動(dòng)總體產(chǎn)業(yè)需求,并使IC出貨量保持在高位。 1980年以來,IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實(shí)現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長(zhǎng)率,分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后,IC的單位出貨量增長(zhǎng)速
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) IC DRAM NAND 模擬IC
觸控面板告急 NAND Flash廠失良機(jī)原地嘆息
- iPodTouch面板供貨不及,大量出貨日期延后,NANDFlash廠最著急,NANDFlash價(jià)格反彈后繼無(wú)力。 據(jù)境外媒體報(bào)道,為迎圣誕買氣,各大NANDFlash廠商鉚足了勁,原本寄望因蘋果(Apple)iPodTouch成走紅圣誕禮物而大量出貨,借此將NANDFlash價(jià)格回升,然后,卻因iPodTouch的關(guān)鍵零組件觸控面板出現(xiàn)供貨不足,造成iPodTouch出貨量受限,繼而影響NANDFlash的出貨,真是急壞了NANDFlash廠商。 蘋果原計(jì)劃九月起開始出貨,但因沒有足夠的
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) NAND 液晶 集成電路 顯示技術(shù)
集成電路出貨量增長(zhǎng) 廠商面臨無(wú)利潤(rùn)繁榮局面
- 最近公布的數(shù)據(jù)顯示,2007年IC單位出貨量將增長(zhǎng)10%,略高于市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights最初預(yù)計(jì)的8%。自2002年以來,IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長(zhǎng)率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng),正在推動(dòng)總體產(chǎn)業(yè)需求,并使IC出貨量保持在高位。 1980年以來,IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實(shí)現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長(zhǎng)率,分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后,IC的單位出貨量增長(zhǎng)速
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) IC 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換 NAND 模擬IC
報(bào)告:9月全球微芯片銷售收入同比增長(zhǎng)5.9%
- 據(jù)美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)周一稱,在PC和手機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品需求的推動(dòng)下,今年9月份全球微芯片銷售收入增長(zhǎng)了5.9%。 9月份全球微芯片銷售收入從去年同期的213億美元增長(zhǎng)到了226億美元。今年第三季度全球微芯片銷售收入增長(zhǎng)6%,從去年同期的640億美元提高到了678億美元。 SIA總裁GeorgeScalise在聲明中稱,第三季度的全球銷售比今年第二季度增長(zhǎng)了13.2%反映了為圣誕節(jié)假日銷售準(zhǔn)備產(chǎn)品的傳統(tǒng)模式已經(jīng)開始。 消費(fèi)電子產(chǎn)品的需求非常強(qiáng)勁。第三季度用于傳統(tǒng)消費(fèi)電子產(chǎn)品的
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 NAND 閃存 芯片 嵌入式
nand 閃存介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條nand 閃存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)nand 閃存的理解,并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)nand 閃存的理解,并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473