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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

ZigBee技術(shù) 無線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點 MCl3192 LPC2138

  • 　　摘要 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了硬件接口設(shè)計和軟件設(shè)計，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。 　　關(guān)鍵詞 NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統(tǒng) 　　1 NAND Flash和NOR Flash 　　閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復(fù)編程以及高密度、低功耗等特點，被廣泛地應(yīng)用于手
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NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A上的應(yīng)用

  • 以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對比NAND Flash和NOR Flash的異同；介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了硬件接口設(shè)計和軟件設(shè)計，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。
  • 關(guān)鍵字： K9F1208  Flash  3234A  NAND    

NAND Flash上均勻損耗與掉電恢復(fù)在線測試

  • 　　摘要 NAND Flash以其大容量、低價格等優(yōu)勢迅速成為嵌入式系統(tǒng)存儲的新寵，因此其上的文件系統(tǒng)研究也日益廣泛，本文簡要介紹了常用的NAND Flash文件系統(tǒng)YAFFS，并針對YAFFS在均勻損耗和掉電恢復(fù)方面進行在線測試。在給出測試結(jié)果的同時，著重研究嵌入式軟件測試方案和方法;對測試結(jié)果進行分析，并提出改進方案和適用環(huán)境。 　　關(guān)鍵詞 NAND Flash 均勻損耗 軟件測試 YAFFS 　　引 言 　　隨著嵌入式技術(shù)在各種電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和管理已經(jīng)成為一個重要
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商刊：英特爾NAND閃存面臨多重問題

  • 　　北京時間3月5日《商業(yè)周刊》文章指出，由于美國經(jīng)濟衰退導(dǎo)致電腦和消費電子產(chǎn)品銷售增長減速，對英特爾的NAND閃存芯片業(yè)務(wù)的利潤造成很大壓力。 　　英特爾在2005年下半年宣布與美光科技組成合資公司，共同研發(fā)和生產(chǎn)一種名為NAND閃存的內(nèi)存芯片，這種芯片被廣泛應(yīng)用于各種消費電子產(chǎn)品。兩年多來，英特爾巧妙地避過了那些芯片的價格波動。 　　全球最大電腦芯片廠商英特爾在3月3日晚間宣布，它預(yù)計其第一季度毛利率將在54%左右，低于之前作出的56%的預(yù)期目標(biāo)。主要原因在于：NAND閃存的價格低于預(yù)期水平。在第
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NAND和NOR flash詳解

  •            NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 　　
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NAND閃存價格下降將推動需求增長

  • 　　2月25日消息,閃存價格的下降已經(jīng)傷害了一些半導(dǎo)體廠商的股票價格。但是，今天的痛苦可能會為明天的增長鋪平道路。 　　NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于便攜式媒體播放機、數(shù)碼相機、硬盤和其它設(shè)備中。由于供過于求，2007年NAND閃存芯片的價格比2006年下降了60%。 　　但是，由于消費者喜歡數(shù)字音樂、圖片和視頻以及相關(guān)的便攜式設(shè)備，NAND閃存芯片的需求也快速增長，2007年的需求量增長了大約170%。通過在一個更小的芯片中放入更多的閃存等生產(chǎn)方面的技術(shù)進步，閃存廠商能夠把成本降低40%至50%。 　
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三星位居龍頭 閃存芯片廠商營收排行

  • 　　受到4Q07 NAND Flash價格劇跌的影響，品牌NAND Flash廠商3Q07整體營收表現(xiàn)微幅下跌成為US.8bn，比3Q07營收QoQ小幅減少了2.7%，由于3Q07末次級房貸所引發(fā)的金融市場風(fēng)暴延燒到4Q07，造成傳統(tǒng)歐美年終采購?fù)拘枨蟛蝗珙A(yù)期，再加上主要NAND Flash供貨商新的5Xnm制程產(chǎn)品在4Q07的產(chǎn)出量也較3Q07運轉(zhuǎn)更順暢，使得4Q07 NAND Flash整體產(chǎn)出比特QoQ成長約45%，因此也造成NAND Flash市場由3Q07的供貨吃緊轉(zhuǎn)為4Q07的小幅供過于求，
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東芝與SanDisk投資7000億日元建閃存基地

  • 　　東芝日前聯(lián)合其美國半導(dǎo)體合作伙伴SanDisk宣稱，未來兩家公司計劃投資7000億日元在日本北部新建一處NAND閃存芯片基地。 　　兩家公司表示，新基地的選址極有可能定在日本北部北上巖手縣。但日本電子巨頭東芝表示新工廠的選址還未作最后確定。 　　半導(dǎo)體芯片在整個業(yè)務(wù)當(dāng)中占支柱地位的東芝公司目前有4個芯片制造基地，而且全部都在四日地區(qū)的三重縣。 　　另有消息稱，北九州地區(qū)的福岡縣已向東芝公司發(fā)出邀請，希望東芝公司能將其第五個芯片制造工廠建在本地區(qū)。同時有人建議稱，東芝公司即將建立的第五個芯片基地最
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分析師稱NAND閃存市場可能再次面臨崩潰

  • 　　在最近發(fā)生了產(chǎn)品種類短缺和平均銷售價格走平之后，NAND閃存市場可能會再一次崩潰。 　　據(jù)Needham&Co.LLC公司位分析師EdwinMok稱，全球最大的NAND閃存買主蘋果計算機公司在12月和1月期間減少了三種類型NAND閃存芯片的采購。現(xiàn)在NAND閃存還沒有殺手應(yīng)用。這些因素都會對NAND閃存市場產(chǎn)生影響。 　　Mok稱，蘋果在2006年就曾采取過同樣的減少采購的行動，導(dǎo)致了2006年1至9月NAND閃存芯片的供應(yīng)量超過了需求的70%和價格的下降。 　　這位分析師稱，雖然自從2
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Spansion 榮獲UT斯達康2007年度戰(zhàn)略供應(yīng)商獎

  • 　　純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion宣布，公司獲得由UT斯達康(中國)有限公司頒發(fā)的2007年度戰(zhàn)略供應(yīng)商獎。Spansion是唯一獲此榮譽的NOR閃存供應(yīng)商。 　　作為對供應(yīng)商最高形式的認可，戰(zhàn)略供應(yīng)商獎是UT斯達康對Spansion一貫致力于提供先進的閃存解決方案以及對UT斯達康這一從事基于IP、端到端網(wǎng)絡(luò)和通信解決方案技術(shù)和產(chǎn)品生產(chǎn)、整合及支持的國際化領(lǐng)導(dǎo)廠商的客戶支持的一項重要肯定。 　　UT斯達康全球供應(yīng)鏈高級副總裁Jimmy Khoo表示：“作為我們的戰(zhàn)略供應(yīng)商，Spans
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意法半導(dǎo)體第四財季贏利下滑 歸咎于閃存業(yè)務(wù)

  • 　　半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics NV）日前發(fā)布了其第四財政季度收入報告。報告顯示，由于閃存業(yè)務(wù)銷售低迷，加之該業(yè)務(wù)部門重組花費，導(dǎo)致第四季度意法半導(dǎo)體贏利出現(xiàn)下滑。 　　在今年第四財季，意法半導(dǎo)體公司凈利潤為2000萬美元，每股折合2美分，去年同期贏利為2.76億美元、每股30美分。不包括相關(guān)費用在內(nèi)，該季度意法半導(dǎo)體贏利每股達到27美分。 　　銷售收入從去年的24.8億美元增長到27.4億美元。 　　Thomson Financial財務(wù)公司預(yù)期意法半導(dǎo)體該季度每股
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意法半導(dǎo)體（ST）推出價位低于50美分的8位閃存微控制器系列產(chǎn)品

  • 　　意法半導(dǎo)體推出一系列低價格的閃存微控制器(MCU)，新產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用是電動自動行車(ebike)、空調(diào)、小家電、傳感器等注重成本的產(chǎn)品。ST7FOX系列產(chǎn)品包含多款不同型號的產(chǎn)品，每款產(chǎn)品主要差別在于片上閃存密度不同(2KB到8KB)和引腳數(shù)量不同(8支到32支)。所有產(chǎn)品的定價都低于50美分(0.50美元)的重要價格門檻。 　　新產(chǎn)品屬于ST取得成功的深受市場歡迎的ST7微控制器系列，基于一個工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的8位體系架構(gòu)，通過簡化功能實現(xiàn)了極低的產(chǎn)品單價目標(biāo)，同時還保留了強健的經(jīng)過驗證的先進技術(shù)優(yōu)勢。S
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內(nèi)存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗 戰(zhàn)線不斷擴大

  • 　　快閃內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點出乎各界意料，整個產(chǎn)業(yè)的高點反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發(fā)展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒有傳統(tǒng)的消費性電子產(chǎn)品旺季出現(xiàn)，反而NAND Flash價格劇烈的忽上忽下，可說是一團混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢，雖然大家對于「寒流」來襲，都已有心理準(zhǔn)備，但仍是不敢大意。 　　TRI觀點： 　　2007年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個事件，就是Samsun
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Gartner:08全球半導(dǎo)體設(shè)備開支將降9.9%

  • 　　據(jù)市場研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報告稱，2008年全球半導(dǎo)體設(shè)備開支預(yù)計將達到403億美元，比2007年的448億美元減少9.9%。 　　Gartner半導(dǎo)體生產(chǎn)事業(yè)部副總裁KlausRinnen稱，2007年的特點是DRAM內(nèi)存不顧供過于求的現(xiàn)實繼續(xù)加大投資、NAND閃存開支增速減緩和代工廠商恢復(fù)開支的狀況令人失望。在2008年，我們預(yù)計隨著DRAM內(nèi)存市場將糾正資本開支的長期錯誤，半導(dǎo)體主要設(shè)備市場的開支將減少。代工廠商開支增長速度減緩和由于擔(dān)心美國經(jīng)濟衰退而采取的謹慎態(tài)度都是造成20
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英飛凌授權(quán)IBM使用其嵌入式閃存制造工藝

  • 　　德國infineon日前宣布，將授權(quán)130納米制程嵌入式閃存芯片制造技術(shù)給IBM。而IBM方面預(yù)計會在未來相應(yīng)產(chǎn)品中使用該制程技術(shù)生產(chǎn)的產(chǎn)品，并提供相應(yīng)服務(wù)。此列芯片預(yù)計將會在IBM北美工廠制造。 　　英飛凌的130納米嵌入式閃存技術(shù)早在2006年就已經(jīng)進入量產(chǎn)階段。主要應(yīng)用于使用微控制器芯片的智能卡自動系統(tǒng)中。根據(jù)計劃，IBM將會在其位于北美的vermont(佛蒙特州)200毫米晶圓工廠投產(chǎn)，預(yù)計會在2008年下半年進入量產(chǎn)階段。 　　英飛凌是世界上第一家運用130納米工藝實現(xiàn)嵌入式閃存產(chǎn)品量產(chǎn)
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nand 閃存介紹

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