nand 閃存文章進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)

40、30納米產(chǎn)能傾巢出 NAND Flash烏云密布

　　三星電子(Samsung Electronics)26日舉行年度Mobile Forum，揭示NAND型閃存(Flash)下世代42納米工藝技術(shù)，將提前于5月底送樣，第3季度步入量產(chǎn)，目前40納米世代NAND Flash工藝，新帝(SanDisk)和東芝(Toshiba)陣營(yíng)動(dòng)作最快，43納米工藝預(yù)計(jì)第2季度底前量產(chǎn)，至于海力士(Hynix)48納米工藝，以及英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營(yíng)35納米工藝，都預(yù)計(jì)于第3季度量產(chǎn)，業(yè)界擔(dān)心第3季度之后NAND Flash產(chǎn)能傾巢而出，將再度重
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存儲(chǔ)器大廠意外頻發(fā)“穩(wěn)定”行業(yè)價(jià)格

　　近期記憶體業(yè)者常幽默指出，以后DRAM和NAND型快閃記憶體(Flash)產(chǎn)業(yè)可能只有2種方法可帶動(dòng)價(jià)格，一是每年1次的晶圓廠跳電事件，帶來(lái)的“自然減產(chǎn)機(jī)制”，使得上游供給減少，二是記憶體廠制程凸捶，導(dǎo)致的供給大減，尤其DRAM產(chǎn)業(yè)這么依賴(lài)個(gè)人電腦(PC)的成長(zhǎng)性，很難再出現(xiàn)需求大好的情況，只好想盡辦法讓供給減少，維持價(jià)格秩序。　　意外事件＋制程出錯(cuò) 穩(wěn)定價(jià)格的捷徑　　2007年8月三星電子(Samsung Electronics)廠房意外電線走火，導(dǎo)致NAND Fla
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM NAND 晶圓三星海力士 NB DT

基于GPRS的遠(yuǎn)程心電實(shí)時(shí)監(jiān)護(hù)儀軟件系統(tǒng)設(shè)計(jì)

　　當(dāng)今社會(huì)，心臟疾病已嚴(yán)重影響了人們的生命安全，許多突發(fā)患者因得不到及時(shí)救治而使生命受到威脅。傳統(tǒng)的心電監(jiān)護(hù)設(shè)備限制了患者的自由，動(dòng)態(tài)心電記錄儀（Holter）雖能便攜地記錄患者日?；顒?dòng)時(shí)的心電數(shù)據(jù)，但是沒(méi)有實(shí)時(shí)監(jiān)護(hù)功能，對(duì)于危及生命的突發(fā)心臟病變幫助不大。　　無(wú)線通信技術(shù)的日漸成熟使便攜式心電實(shí)時(shí)監(jiān)護(hù)成為可能。利用GPRS無(wú)線數(shù)據(jù)通信技術(shù)，可將實(shí)時(shí)監(jiān)護(hù)功能與Holter結(jié)合起來(lái)?；颊呖梢耘浯鞅O(jiān)護(hù)儀自由活動(dòng)，同時(shí)可隨時(shí)隨地得到心電監(jiān)護(hù)。緊急情況發(fā)生時(shí)，患者掌握著可靠的求生路徑；而醫(yī)生可根據(jù)全面的心電
關(guān)鍵字： GPRS 遠(yuǎn)程監(jiān)護(hù)儀心電實(shí)時(shí) Holter 單片機(jī) 電源 NAND Flash LCD GSM/GPRS無(wú)線通信

汽車(chē)電子MCU技術(shù)原理與需求分析

　　汽車(chē)作為一部大型的機(jī)電一體化設(shè)備，汽車(chē)電子在汽車(chē)整體成本中的比例越來(lái)越大。目前歐美發(fā)達(dá)國(guó)家汽車(chē)電子的平均成本達(dá)350美元以上，其涵蓋了從車(chē)身控制、動(dòng)力傳動(dòng)、車(chē)身安全，到車(chē)內(nèi)娛樂(lè)的各個(gè)方面。　　微控制器（MCU）作為汽車(chē)電子系統(tǒng)內(nèi)部運(yùn)算和處理的核心，也遍布懸掛、氣囊、門(mén)控和音響等幾十種次系統(tǒng)（Sub-System）中。由于汽車(chē)作為高速交通工具承載了對(duì)用戶生命安全的保障，同時(shí)汽車(chē)經(jīng)常工作在十分惡劣的環(huán)境中，其對(duì)內(nèi)部電子設(shè)備的可靠性要求要遠(yuǎn)高于一般性電子產(chǎn)品。因此汽車(chē)電子所用的MCU與一般性產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)差
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基于ARM9內(nèi)核Processor對(duì)外部NAND FLASH的控制實(shí)現(xiàn)

目前流行的ARM9 CPU中,沒(méi)有集成NAND FLASH的控制器,可以通過(guò)使用NOR FLASH的控制器或者VLIO的控制器,實(shí)現(xiàn)對(duì)外部NAND FLASH的控制.實(shí)測(cè)結(jié)果顯示,用8 b I/O的NAND FLASH,在文件系統(tǒng)下讀/寫(xiě)的速度為3 MB/s,擦除的速度為65 MB/s,滿足現(xiàn)在流行手持設(shè)備對(duì)Memory的要求.
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NAND Flash毛利率不復(fù)當(dāng)年新帝全球裁員

　　受到NAND Flash價(jià)格直落影響，原本在快閃記憶卡產(chǎn)業(yè)執(zhí)牛耳地位的新帝(SanDisk)，日前無(wú)預(yù)警全球大裁員，這次裁員幅度約10分之1。目前以美國(guó)總部作為初步的縮減人力計(jì)劃區(qū)域，但其它地區(qū)包括亞洲在內(nèi)，不排除有進(jìn)一步縮減人力的計(jì)劃。　　事實(shí)上，新帝在2年前合并以色列儲(chǔ)存廠商msystems和近幾年面臨幾波NAND Flash大崩盤(pán)之后，新帝的營(yíng)運(yùn)組織就一直在改組，但這次是首度大規(guī)模裁員，也使得內(nèi)部員工人心惶惶。　　新帝的營(yíng)運(yùn)業(yè)務(wù)涵蓋上游NAND Flash生產(chǎn)制造、NAND Flash控
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可管理NAND：適用于移動(dòng)設(shè)備的嵌入式大容量存儲(chǔ)革

與多年前相比，現(xiàn)在的移動(dòng)消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲(chǔ)大量音樂(lè)、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲(chǔ)系統(tǒng)的體系結(jié)構(gòu)能夠適應(yīng)這些新的數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用。例如，適用于大容量存儲(chǔ)的高性價(jià)比緊湊型 NAND 閃存就替代了手機(jī)、MP3 播放器和數(shù)碼相機(jī)中使用的 NOR 閃存和其它非易失性存儲(chǔ)裝置。
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存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先公司協(xié)作創(chuàng)建 NAND 閃存標(biāo)準(zhǔn)接口

　　2008 年 4 月 24 日，北京訊日前，LSI 公司 (NYSE: LSI) 宣布加盟開(kāi)放式 NAND 閃存接口 (ONFi) 工作組。該工作組由業(yè)界領(lǐng)先公司組成，致力于簡(jiǎn)化 NAND 閃存在消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺(tái)以及工業(yè)系統(tǒng)中的集成。　　LSI 負(fù)責(zé)公司策劃與市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)的高級(jí)副總裁 Phil Brace 表示：“作為業(yè)界領(lǐng)先的供應(yīng)商，LSI不僅能為硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器制造商提供集成電路，同時(shí)還可以面向全球領(lǐng)先服務(wù)器 OEM 廠商提供磁盤(pán)存儲(chǔ)系統(tǒng)與軟件，因此，完全能夠?yàn)?ONFi 計(jì)劃提供
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Spansion大力推行其革命性MirrorBit? ORNAND2? 架構(gòu)開(kāi)發(fā)計(jì)劃

　　北京，2008年4月23日——全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（Nasdaq：SPSN）今天宣布在意大利米蘭設(shè)立其安全及先進(jìn)技術(shù)事業(yè)部（SATD）總部，以支持其革命性MirrorBit® ORNAND2™架構(gòu)及安全產(chǎn)品策略的開(kāi)發(fā)計(jì)劃。該部門(mén)將負(fù)責(zé)Spansion各種不同閃存安全解決方案的開(kāi)發(fā)工作，并將MirrorBit技術(shù)拓展到目前NAND所服務(wù)的應(yīng)用領(lǐng)域。　　Spansion執(zhí)行副總裁Carla Golla擔(dān)任該部門(mén)負(fù)責(zé)人，并招募了眾
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閃存新公司恒億負(fù)重前行?前景尚不…

?　　如果憑老東家的實(shí)力，新公司應(yīng)該讓人感覺(jué)很有希望。但是現(xiàn)實(shí)面臨兩個(gè)大的問(wèn)題，其一是在專(zhuān)注的存儲(chǔ)器領(lǐng)域強(qiáng)手如林，新公司能否脫穎而出；其二是老東家英特爾及意法是否肯下更大的賭注。 ? ????全球頭號(hào)芯片供應(yīng)商英特爾與歐洲大廠STMicro合資新建的存儲(chǔ)器廠Numonyx，中文名叫恒憶公司，于2008年4月1日作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問(wèn)世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND(兩種存儲(chǔ)器類(lèi)型)及內(nèi)置RAM（內(nèi)存）的存儲(chǔ)器，并利用新型相變移位
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Spansion推出針對(duì)手機(jī)的65nm MirrorBit? Eclipse?閃存解決方案樣片

　　北京,2007年4月7日——全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ：SPSN）今天宣布，開(kāi)始向其戰(zhàn)略型OEM客戶提供針對(duì)手機(jī)的65nm MirrorBit® Eclipse™閃存解決方案樣片。通過(guò)將標(biāo)準(zhǔn)NOR閃存所具有的出色隨機(jī)存取性能與MirrorBit Eclipse架構(gòu)所擁有的業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的編程能力相結(jié)合，Spansion基于MirrorBit Eclipse架構(gòu)的MCP產(chǎn)品將為使用中高端手機(jī)平臺(tái)的用戶帶來(lái)非同凡響的使用體驗(yàn)。公司計(jì)劃
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恒憶?（NUMONYX）強(qiáng)勢(shì)進(jìn)軍存儲(chǔ)器市場(chǎng)

　　2008年4月1日，中國(guó) – 恒憶™（Numonyx B.V）公司今天作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問(wèn)世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM的存儲(chǔ)器，并利用新型相變移位存儲(chǔ)器（PCM）技術(shù)，為存儲(chǔ)器市場(chǎng)開(kāi)發(fā)、提供創(chuàng)新的存儲(chǔ)器解決方案。新公司憑借其雄厚實(shí)力和技術(shù)專(zhuān)長(zhǎng)，在成立之初就成為存儲(chǔ)器市場(chǎng)的領(lǐng)先廠商，專(zhuān)注于存儲(chǔ)器開(kāi)發(fā)制造業(yè)務(wù)，為手機(jī)、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)、超便攜筆記本電腦、高科技設(shè)備等各種消費(fèi)電子產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。恒憶™將從非易失性存儲(chǔ)器
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用帶2KB閃存的80C51基微控制器設(shè)計(jì)離線鋰離子電池充電器(04-100)

　　工程師可以采用恰當(dāng)組合外設(shè)和閃存的合適8位微控制器來(lái)設(shè)計(jì)離線鋰離子電池充電器，這是一個(gè)相當(dāng)不錯(cuò)的選擇。集成2KB閃存和合適外設(shè)的80C51基微控制器所提供的解決方案并不昂貴。集成的閃存還能簡(jiǎn)便有效地調(diào)試應(yīng)用碼，如果必要的話，還可現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)軟件。　　由于設(shè)計(jì)領(lǐng)域已經(jīng)廣泛接受并熟悉了80C51，軟件/硬件開(kāi)發(fā)便可以加快進(jìn)行。這一方法的另一優(yōu)勢(shì)在于，眾多廠商提供了一系列強(qiáng)大而經(jīng)濟(jì)的應(yīng)用開(kāi)發(fā)工具。考慮到成本、設(shè)計(jì)效率和安全的電池充電的重要性，基于微控制器的解決方案的諸多優(yōu)勢(shì)便不言而喻。?
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NAND市場(chǎng)增長(zhǎng)放緩芯片廠欲推遲建廠計(jì)劃

　　日前，全球領(lǐng)先的閃存供應(yīng)商晟碟和東芝公司在日本簽署了一項(xiàng)合作協(xié)議，表示雙方將共同興建NAND閃存工廠(Fab5)，以應(yīng)對(duì)未來(lái)市場(chǎng)對(duì)NAND閃存的需求，該工廠預(yù)計(jì)將于2010年投產(chǎn)。　　市場(chǎng)研究公司AmericanTechnologyResearch分析師道格?弗里德曼(DougFreedman)表示：“我們相信大部分的投資者都希望Fab5工廠能夠于2009年就可以投產(chǎn)，因?yàn)楝F(xiàn)在的供求關(guān)系依然比較樂(lè)觀?！? 　　但是閃存供應(yīng)商們延遲其工廠興建計(jì)劃也再一次證明了NAN
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閃存分類(lèi)和關(guān)鍵參數(shù)必讀

????大約在1984年，在受聘于東芝公司期間，F(xiàn)ujio Masuoka博士發(fā)明了一種獨(dú)特的存儲(chǔ)器件，具有只讀存儲(chǔ)器(ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)和電可擦除只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)器件的理想特征。與RAM 和EEPROM一樣，可以對(duì)這些新穎的器件或同類(lèi)的ROM進(jìn)行寫(xiě)、擦除和重寫(xiě)數(shù)據(jù)的操作，器件能將可恢復(fù)的靜態(tài)數(shù)據(jù)保存幾乎無(wú)限長(zhǎng)時(shí)間。此外，與RAM 和ROM相比，Masuoka博士的存儲(chǔ)器的容量容易提高。重要的是，與ROM和EEPROM相比，該芯片能長(zhǎng)時(shí)期存
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