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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

美國美光科技：NAND閃存的未來在SSD

  • 作為贊助商參加Windows Hardware Engineering Conference（WinHEC）的美國美光科技公司(Micron Technology, Inc.)舉辦了名為“Flash Memory Technology Direction”的技術(shù)研討會（Technical Session）。該公司 Memory Products Group 的首席應(yīng)用工程師（D
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2007年5月22日，Intel、ST和FranciscoPartners宣布成立閃存公司

  • 　　2007年5月22日，英特爾、意法半導(dǎo)體和FranciscoPartners宣布共同組建一家獨立的閃存公司。
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NAND Flash和NOR Flash的比較

  • 　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 　　相“flash存儲器”經(jīng)常可以與相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因
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臺模塊廠飽受NAND Flash缺貨之苦 三星陣營臺廠壓力倍增

  • 相較于DRAM價格萎靡不振，近期南韓內(nèi)存大廠三星電子(Samsung Electronics)對于拉抬NAND型閃存( Flash)市場不遺余力，然最令客戶頭痛的問題是，目前三星電子受限于產(chǎn)能問題，釋出給臺廠NAND Flash貨源仍相當(dāng)有限，各模塊廠都飽受缺貨之苦，而隸屬于東芝(Toshiba)陣營的客戶，尤其是內(nèi)存模塊大廠金士頓(Kingston)，由于東芝給予的成本較低，最近在大陸市場低價策略越來越積極，這讓與三星電子站在同一陣營的臺廠壓力倍增。 近期三星電子不斷釋出N
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聯(lián)電看準(zhǔn)CPU和閃存市場機會 有意多方出擊

  • 為了實現(xiàn)產(chǎn)品多樣化，臺灣晶圓廠聯(lián)華電子（UMC，簡稱聯(lián)電）有意利用自己的65納米和45納米技術(shù)進軍CPU和NAND閃存產(chǎn)品的生產(chǎn)領(lǐng)域。聯(lián)電稱他們正在洽談一宗CPU生產(chǎn)協(xié)議，但對于出擊大容量閃存市場的問題則顯得出言謹(jǐn)慎。 聯(lián)電首席執(zhí)行官胡國強稱聯(lián)電“難以忽視”發(fā)展迅速的閃存市場，因此計劃在NAND、NOR和SRAM領(lǐng)域追逐訂單，但不會涉足DRAM（內(nèi)存）市場。胡國強不愿透露具體細(xì)節(jié)，但暗示聯(lián)電不會在目前激烈混戰(zhàn)的閃存產(chǎn)品市場涉足過深。 “NAND和NOR的價格起伏太大了，所以我們對此不得不深思熟慮，”胡國強
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SanDisk閃存繼續(xù)降價 56nm量產(chǎn)指日可待

  • 今年第一季度NAND閃存出現(xiàn)了產(chǎn)能過剩的情況，尤其是多層單元NAND閃存，價格也隨之大幅度下跌，這對新達公司的影響很大。一季度他虧損57萬5000美元，而去年同期是盈利3510萬美元。今年一季度毛利潤率為14.2%，去年則為28.4%。存儲卡平均容量達到了1231MB，年增長率為87%，季度增長率 為11%。而每MB平均價格年下跌率為62%，季度下跌率為23%。 對于出現(xiàn)這種局面的原因，公司主席兼首席執(zhí)行官Eli Harari解釋說芯片制造商處在單層單元閃存到多層單元閃存的換代中，老型
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DRAM價格或?qū)⒂|底，NAND供應(yīng)商加快開發(fā)內(nèi)置產(chǎn)品

  • 據(jù)Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合約價格下跌到了20美元左右，這也影響到了現(xiàn)貨市場的價格走勢。面向2007年下半年P(guān)C銷售旺季，PC廠商將增加庫存，預(yù)計DRAM需求將隨之增長。因此，DRAM價格可能在2007年下半年觸底。價格持續(xù)下滑，已使DRAM廠商瀕臨虧損。向更先進的生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)移，以及提高1GB芯片的出貨量，將是決定2007年下半年DRAM廠商業(yè)績的兩大因素。由于需求仍然疲軟，現(xiàn)貨市場的價格環(huán)境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到
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閃存將取代硬盤 2010年20%筆記本電腦采用閃存

  • 4月30日，據(jù)外電報道，速度更快、更安靜的筆記本電腦已經(jīng)問世，閃存取代了硬盤的位置，但其容量有限及價格昂貴，意味著這種新科技還無法普及到大眾市場。 “價格差異仍大?！比蜃畲蠊P記型電腦代工廠商--臺灣的廣達電腦總經(jīng)理王震華表示，“我不認(rèn)為未來3年閃存電腦將成主流。”此外，儲存容量是另一個問題。128GB是目前閃存的最大容量，使其難以與臺式PC的硬盤競爭。 不過，有分析師認(rèn)為，普及的日子應(yīng)該不遠(yuǎn)了。閃存目前以每年五成的速度下跌，分析師預(yù)測到2010年，約有20%筆記本電腦采用閃存作為硬盤。Gartner在近
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英特爾合資公司開發(fā)出MLC閃存樣品

  • 據(jù)國外媒體報道，本周四美光科技宣布，它與英特爾的合資企業(yè)IM Flash科技公司已經(jīng)開發(fā)出處于行業(yè)領(lǐng)先水平的50納米MLC(多層單元)NAND閃存芯片樣品。 美光稱，與SLC(單層單元)閃存組件相比，新的MLC 閃存組件體積更小，能量效益更高，能夠更理想的使用在目前的計算和消費電子產(chǎn)品中。MLC 閃存組件的密度為16GB，而SLC閃存組件的密度僅4GB。 英特爾NAND閃存部門副總裁兼總經(jīng)理Randy Wilhelm表示，我們與美光的合資公司提前開發(fā)出了行業(yè)中領(lǐng)先水
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東芝推出業(yè)界容量最大的嵌入式 NAND 閃存

  • 　　東芝公司 (Toshiba Corp.) 與其美洲子公司東芝美國電子元件公司 (Toshiba America Electronic Components, Inc.) 聯(lián)合宣布，該公司已經(jīng)推廣了一種新型嵌入式 NAND 閃存系列產(chǎn)品，這一系列產(chǎn)品遵從了 eMMC 標(biāo)準(zhǔn)并且容量達到該行業(yè)之最。這種容量為 16GB 的新設(shè)備旨在應(yīng)用于手機和攝像機等移動消費產(chǎn)品。樣品將于今年第二季度推出市場，大批量的生產(chǎn)將于第四季度開始。在這之前，東芝將在本月開始推出 8GB 樣品，并將于第三季度開始大規(guī)模生產(chǎn)。 　　
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閃存價格雪崩 廠商遭遇生死劫

  • 　　前幾天，晚上8點剛下飛機的華南地區(qū)閃存芯片貿(mào)易商陳耀東，接到公司業(yè)務(wù)員緊急電話匯報：韓國三星1GB閃存芯片顆粒價格再度回降到6美元以內(nèi)，僅比512MB規(guī)格芯片的拿貨價格高出幾元人民幣?！皬?12MB改1G并不那么容易?！睒I(yè)務(wù)員提醒道：“一些客戶可能要對現(xiàn)有產(chǎn)品電路板模具和操作軟件進行修改，隱性成本反而提高”。 　　成本倒逼 　　閃存芯片作為制造U盤、MP3以及存儲卡的主要原材料芯片，占到全部成本的60%~70%。記者近日了解到，由于三星、現(xiàn)代等主力閃存革新生產(chǎn)工藝，1G規(guī)格閃存已全面切換為新制程工
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嵌入式閃存使“智能”汽車接口應(yīng)用得以實現(xiàn)

  • 在SoC設(shè)計中，對共存元件特別是非易失存儲器進行排列，可不是一件容易的事情，因為有復(fù)雜度要求，就會有潛在成本的上升。其決竅就是在確保最終 IC仍能提供有成本效益的取代方案的同時對各種元件加以集成。         現(xiàn)代汽車中日益增加的汽車電子元件已對汽車的空間和重量提出了挑戰(zhàn)。并且，在汽車電子集成的過程中，當(dāng)重量的問題通過使線束合理化得以改進后，空間的限制仍然為主要的關(guān)注點。 因此，對于關(guān)注節(jié)省空間的工程師們來說
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英飛凌推出擁有10萬個讀/寫周期的8位閃存微控制器

韓國成功開發(fā)8納米級閃存元件

  • 　　韓國科學(xué)技術(shù)院研究人員13日宣布，他們已成功開發(fā)出世界最小的8納米級三維非揮發(fā)性閃存元件。 　　據(jù)此項研究負(fù)責(zé)人、韓國科學(xué)技術(shù)院電子計算機系教授崔陽奎和納米綜合制造中心負(fù)責(zé)人李熙哲介紹，由這種8納米級閃存元件制成指甲大小的存儲芯片，就可儲存1000多部DVD電影。 　　據(jù)介紹，這種8納米級閃存元件有望開啟兆兆位(萬億比特)級內(nèi)存時代，并在10年后完全實現(xiàn)商用化。 　　韓國科學(xué)技術(shù)院計劃于今年6月12日在日本京都舉行的國際學(xué)術(shù)會議上公布相關(guān)研究成果。
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Spansion 發(fā)布 MirrorBit HD-SIM 解決方案開發(fā)計劃

  • 　　Spansion發(fā)布了其MirrorBit® HD-SIM™系列的產(chǎn)品開發(fā)計劃，該系列是Spansion下一代基于閃存的SIM卡解決方案。Spansion® HD-SIM解決方案能夠提供更高的靈活性、性能和存儲容量，幫助移動網(wǎng)絡(luò)運營商、內(nèi)容和應(yīng)用提供商為其客戶提供全新的差異化服務(wù)。Spansion MirrorBit HD-SIM解決方案不僅能支持分發(fā)、存儲和訪問SIM卡上存儲的數(shù)字內(nèi)容，還能提供先進的安全性能和加密功能，加強數(shù)字保護。 　　安全的MirrorBit HD
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nand 閃存介紹

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