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比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國際投產(chǎn)

  •   非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存(ReRAM)開發(fā)商CrossbarInc.利用非導(dǎo)電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料,并透過電場轉(zhuǎn)換機(jī)制,開發(fā)出號(hào)稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件,同時(shí)就像先前在2016年所承諾地如期實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。   根據(jù)Crossbar策略營銷與業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁SylvainDubois表示,專為嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(eNVM)應(yīng)用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能,密度比DRAM更高40倍,耐久度與寫入速度更高1,000倍,單芯片尺寸約200mm2左右,即可實(shí)現(xiàn)高達(dá)
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迎需求熱潮!三星或追投西安3D NAND廠43億美元

  •   據(jù)海外媒體報(bào)道,傳三星電子于2017~2018年,將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠,業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元),以迎接存儲(chǔ)器市場史上最大需求熱潮。   Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出,三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進(jìn)行商議,2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資,皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費(fèi)用。   三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
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東芝分拆半導(dǎo)體業(yè)務(wù) 提升東芝/西數(shù)陣營的NAND Flash競爭力

  •   集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查顯示,東芝公司為提升半導(dǎo)體業(yè)務(wù)競爭力,已正式宣布將在今年三月三十一日前將完成分拆內(nèi)存業(yè)務(wù)。預(yù)期分拆出來的新公司將有更多經(jīng)營彈性及更佳的籌資能力,長期而言對東芝/西數(shù)(Western Digital)電子陣營在NAND Flash產(chǎn)能提升、產(chǎn)品開發(fā)均有所幫助。   DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,東芝公司這一做法,一方面為的是應(yīng)付日漸沉重的產(chǎn)業(yè)競爭環(huán)境,另一方面是為緩解經(jīng)營壓力,并滿足籌措營運(yùn)資金的需求。從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來看,DRAMeX
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傳SK海力士有意投資東芝新存儲(chǔ)器公司

  •   據(jù)報(bào)道,東芝(Toshiba)慘虧,將分拆旗下賺錢的半導(dǎo)體部門,成立新公司,賣股籌錢。由于東芝是全球NAND Flash二哥,各方都興趣濃厚。據(jù)傳韓國存儲(chǔ)器大廠SK海力士(SK Hynix)有意投資,借此強(qiáng)化NAND Flash布局。   韓媒BusinessKorea 24日報(bào)導(dǎo),業(yè)界專家表示,SK海力士可能會(huì)投資東芝獨(dú)立出來的存儲(chǔ)器公司,取得決定NAND Flash表現(xiàn)的控制器技術(shù)。東芝在NAND市場表現(xiàn)出色,去年第三季市占率為19.8%,僅次于龍頭三星電子(36.6%)。SK海力士落后,市占排
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NOR Flash也要漲價(jià) 元器件供應(yīng)鏈為何進(jìn)入缺貨周期?

  • 從2016年下半年開始,包括CPU、內(nèi)存、屏幕、CMOS Sensor在內(nèi)的眾多電子元器件都進(jìn)入了缺貨周期,這樣就給終端制造商帶來了成本壓力,最終這個(gè)壓力就轉(zhuǎn)移到了消費(fèi)者身上,引起蝴蝶效應(yīng)。
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新興市場智能手機(jī)需求增 2017年NAND供貨仍吃緊

  •   隨著全球?qū)τ谑謾C(jī)、電腦、汽車等消費(fèi)性產(chǎn)品需求持續(xù)增強(qiáng),NAND FLASH始終處于供不應(yīng)求的情況,特別是印度、印尼及越南等新興智慧手機(jī)市場,當(dāng)?shù)叵M(fèi)者智慧手機(jī)持有率大增,進(jìn)而使得NAND FLASH需求大幅攀升。因此,預(yù)計(jì)2017年NAND FLASH全年供貨仍將持續(xù)吃緊,特別是在第2、3季最為嚴(yán)重。   群聯(lián)董事長潘建成表示,預(yù)計(jì)NAND FLASH今年將持續(xù)缺貨,特別是在第2、第3季最為明顯,原因在于手機(jī)、電腦、汽車等終端消費(fèi)性產(chǎn)品需求仍舊強(qiáng)勁。因應(yīng)此一情況,有些記憶體業(yè)者將部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)去做3D
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2017年中國興建晶圓廠支出金額將超40億美元

  •   根據(jù) SEMI (國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)) 的最新研究數(shù)據(jù)表示,當(dāng)前中國正掀起興建晶圓廠的熱潮,預(yù)估 2017 年時(shí),中國興建晶圓廠的支出金額將超過 40 億美元,占全球晶圓廠支出總金額的 70%。而來到2018年,中國建造晶圓廠相關(guān)支出更將成長至 100 億美元,而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。   SEMI 中國臺(tái)灣地區(qū)產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆指出,2017 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)產(chǎn)值可望達(dá)到 7.2% 的年成長率。其中,存儲(chǔ)為其中成長的關(guān)鍵。而未來 5 年之內(nèi),全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍將持續(xù)成長,到了 2
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賽普拉斯子公司AgigA Tech宣布推出符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的DDR4 NVDIMM-N解決方案

  •   賽普拉斯半導(dǎo)體公司旗下子公司,高速、高容量和免電池非易失性存儲(chǔ)器解決方案領(lǐng)先提供商AgigA Tech公司今日宣布,正式發(fā)布其符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的AGIGARAM? DDR4 NVDIMM-N系列解決方案。該解決方案與AgigA業(yè)界領(lǐng)先的在JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布之前就已量產(chǎn)的傳統(tǒng)DDR4 NVDIMM產(chǎn)品一起,為最新公布的NVDIMM-N解決方案JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD248和JESD245A)提供了一系列完整的交鑰匙式模塊產(chǎn)品和控制器解決方案?! g
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存儲(chǔ)器國產(chǎn)化為何選3D NAND作為突破口?

  •   在上海一場以“匠心獨(dú)運(yùn),卓越創(chuàng)芯”為主題的IC技術(shù)峰會(huì)上,長江存儲(chǔ)CEO楊士寧先生參會(huì)并發(fā)表了題為《發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考》的演講。在演講中,他對為什么選擇發(fā)展存儲(chǔ)、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰(zhàn)等問題,作了深刻的分析。     為什么中國要發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)   在詳細(xì)介紹為什么中國要發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)之前,楊士寧首先對存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的整體狀況作了一個(gè)分析。根據(jù)他的說法,在全球的半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)品中,NAND 和
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DRAM/NAND價(jià)格回升 存儲(chǔ)器產(chǎn)值今年將增10%

  •   在2015、2016連續(xù)兩年下跌后,DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器平均銷售價(jià)格(ASP)正穩(wěn)健走揚(yáng),研究機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為,此將有助推升2017年存儲(chǔ)器市場銷售規(guī)模,預(yù)估整體產(chǎn)值可達(dá)853億美元新高紀(jì)錄,較2016年成長10%;2020年更可望首度攀至千億美元大關(guān)。
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中國集成電路擴(kuò)建之后 降低成本是關(guān)鍵

  •   或許是巧合!12月30日,長江存儲(chǔ)的國家存儲(chǔ)器基地與華力二期12英寸生產(chǎn)線這兩個(gè)持續(xù)受到業(yè)界關(guān)注的重大項(xiàng)目,同日舉行了開工啟動(dòng)儀式。   長江存儲(chǔ)是國內(nèi)最大的存儲(chǔ)器項(xiàng)目之一,瞄準(zhǔn)3D NAND技術(shù),建成后將扭轉(zhuǎn)我國存儲(chǔ)器有市場無產(chǎn)品的窘境;華力微電子12英寸生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目則是“909工程”的二次升級(jí)改造,將建設(shè)邏輯芯片的代工生產(chǎn)線,建成后將使我國擁有從0.5微米到14納米各工藝節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)平臺(tái),追趕國際先進(jìn)水平。   隨著《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的推進(jìn),中國IC業(yè)
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紫光3D儲(chǔ)存型快閃記憶體廠武漢動(dòng)工 總投資超240億美元

  •   中國紫光集團(tuán)宣布,投入快閃記憶體戰(zhàn)場,在武漢興建全球規(guī)模最大廠房,總投資金額超過240億美元,引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。   紫光集團(tuán)董事長趙偉國:“我們在武漢投資兩百四十億美金的芯片工廠,已經(jīng)正式動(dòng)工,昨天我剛剛在成都,和四川省簽下了兩千億的協(xié)議。我們會(huì)在那里投資一個(gè),也是一個(gè)超過兩百億美金芯片的工廠”   2016年12月,紫光集團(tuán)趙偉國,布局半導(dǎo)體戰(zhàn)略,先是與成都市、新華集團(tuán)共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議,要在四川打造百億云計(jì)算中心。   12月30日,紫光宣布動(dòng)工,興建三座全球最大3
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漫漫存儲(chǔ)路 中國還有幾道關(guān)卡待過

  • 現(xiàn)在行業(yè)內(nèi)的存儲(chǔ)玩家都不想看到三星持續(xù)一家獨(dú)大的現(xiàn)狀,中國這波掀起對存儲(chǔ)格局的改變,或許會(huì)吸引其他相對弱勢的廠商給中國提供支持。
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2017年NAND產(chǎn)能成長有限、價(jià)格走揚(yáng)

  •   2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%,隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND,2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年。   TrendForce記憶體儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)最新研究報(bào)告顯示,2017年NAND Flash整體投片產(chǎn)能僅年增6%,隨著業(yè)者加速轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND,2017年2D-NAND缺貨情況將持續(xù)一整年,而3D-NAND在64層堆疊順利導(dǎo)入OEM系統(tǒng)產(chǎn)品前,也將持續(xù)缺貨,價(jià)格有望穩(wěn)健走揚(yáng),使NAND Flash原廠營運(yùn)表現(xiàn)持續(xù)往上。   DRAMeXch
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為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠

  •   SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲(chǔ)器晶圓廠,滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開始設(shè)計(jì)外部的建設(shè),2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備,總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。     SK海力士表示,公司決定額外的新建一座Fab工廠,主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長,以及引導(dǎo)向3D NAND發(fā)展。加之,考慮到通常建立一個(gè)半導(dǎo)體工廠需要超過2年,所以提前做好準(zhǔn)備。   SK海力士曾在20
  • 關(guān)鍵字: NAND Flash  SK海力士  
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