nand 文章 進(jìn)入nand 技術(shù)社區(qū)
若拿下東芝 郭董:優(yōu)先設(shè)廠美國(guó)
- 鴻海董事長(zhǎng)郭臺(tái)銘昨(12)日證實(shí),將籌組美、日、臺(tái)夢(mèng)幻團(tuán)隊(duì),共同競(jìng)標(biāo)東芝半導(dǎo)體。 對(duì)日本出現(xiàn)擔(dān)心鴻海「中國(guó)因素」的評(píng)論,郭董炮火全開,左打美系私募基金,右批日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省高層,并強(qiáng)調(diào),鴻海如果順利得標(biāo),海外市場(chǎng)將優(yōu)先考慮在美設(shè)內(nèi)存芯片廠。 東芝半導(dǎo)體競(jìng)標(biāo)案進(jìn)入倒數(shù)計(jì)時(shí),預(yù)計(jì)本周公布結(jié)果。 競(jìng)標(biāo)者之一鴻海動(dòng)作不斷,郭臺(tái)銘接連接受日經(jīng)新聞、路透社專訪。 郭董強(qiáng)調(diào),如果鴻海順利標(biāo)下東芝半導(dǎo)體事業(yè),希望未來能在海外建立內(nèi)存工廠,地點(diǎn)將優(yōu)先考慮美國(guó)。 郭臺(tái)銘補(bǔ)充,因?yàn)槊绹?guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求在當(dāng)?shù)剡€沒達(dá)到,
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NAND閃存的三種架構(gòu):MLC、SLC、MBC
- NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu),即:?jiǎn)螌訂卧猄LC 多層單元MLC多位單元MBC。其中,MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu),由英飛凌與Saifun合作開發(fā),但該項(xiàng)架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采SLC架構(gòu)是在每個(gè)Cell中存儲(chǔ)1個(gè)bit的信息,以達(dá)到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點(diǎn),Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構(gòu),其也有很大的缺點(diǎn),就是面積容量相對(duì)比較小,并且由于技術(shù)限制,基本上很難再向前發(fā)展了。
- 關(guān)鍵字: MLC 閃存 NAND 英特爾
NAND Flash下季度或史上最缺貨
- NAND Flash控制芯片與模塊廠群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成日前估計(jì),接下來將面臨史上最缺貨的第3季,而該公司也積極備戰(zhàn),近日捧著5000多萬美元現(xiàn)金,大舉吃下某大廠釋出的貨源,為下半年建立更多庫存。 群聯(lián)在去年初NAND Flash市況尚未大熱時(shí),建立的庫存水位一度超過三億美元,后來市場(chǎng)景氣于去年第3季開始往上,價(jià)格走升,也讓該公司因此大賺。 潘健成提到,今年大概只有5月有機(jī)會(huì)多收貨,所以該公司在前兩個(gè)禮拜以現(xiàn)金買了大約5000多萬美元的額外貨源,預(yù)計(jì)可供第3季使用。 群聯(lián)在今年4月時(shí),手
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2017第一季度NAND Flash品牌廠商營(yíng)收排名
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,第一季整體NAND Flash市況延續(xù)第四季持續(xù)受到缺貨影響,即使第一季度為傳統(tǒng)NAND Flash淡季,渠道顆粒合約價(jià)卻仍上揚(yáng)約20-25%。在智能終端設(shè)備如智能手機(jī)與平板電腦內(nèi)的行動(dòng)式存儲(chǔ)價(jià)格也呈現(xiàn)雙漲的狀況下,2017年將是NAND Flash成果豐碩的一年。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示,由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制,進(jìn)而轉(zhuǎn)進(jìn)垂直堆棧制程(3D/Vertical-NAND)
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Gartner:2016年全球半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)2.6%
- 全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問公司Gartner的研究顯示,2016年全球半導(dǎo)體收入總計(jì)3,435億美元,較2015年的3,349億美元提升2.6%。在企業(yè)并購潮的影響下,前二十五大半導(dǎo)體廠商總收入增加10.5%,表現(xiàn)遠(yuǎn)優(yōu)于整體產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)率?! artner研究總監(jiān)James Hines表示:“2016年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)回彈。雖然其年初因受到庫存調(diào)整的影響而表現(xiàn)疲軟,但下半年需求增強(qiáng),定價(jià)環(huán)境得到改善。助力全球半導(dǎo)體收入增長(zhǎng)的因素包括多項(xiàng)電子設(shè)備部門產(chǎn)量的增加、NAND閃存售價(jià)的上揚(yáng)及相對(duì)溫和的
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物聯(lián)網(wǎng)風(fēng)起 我國(guó)亟需建設(shè)自主存儲(chǔ)
- “物聯(lián)網(wǎng)”是指連接到互聯(lián)網(wǎng)的傳感器,通過開放的專用連接、自由共享數(shù)據(jù)和允許非預(yù)期應(yīng)用程序,以互聯(lián)網(wǎng)的方式行事,因此電腦可以了解周圍的世界,成為類似人類的神經(jīng)系統(tǒng) ”凱文·阿什頓說(這個(gè)術(shù)語的發(fā)明者)。 在我們的上一篇文章中,我們考慮了IoT的潛力——也被稱為“一切互聯(lián)網(wǎng)” ——在接下來的十年中,將推動(dòng)NAND銷售,從而使Micron的利潤(rùn)得以增加。 本文將對(duì)體系架構(gòu)及其與內(nèi)存
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東芝出售半導(dǎo)體導(dǎo)致NAND短缺惡化?韓媒:三星最受惠
- 東芝(Toshiba Corp.)決定出售半導(dǎo)體事業(yè),但競(jìng)標(biāo)者眾、過程冗長(zhǎng),如此一來,韓國(guó)廠商反倒會(huì)成為最大受惠者? 韓聯(lián)社 24 日?qǐng)?bào)導(dǎo),Shinhan Investment 研究員 Choi Do-yeon 發(fā)表研究報(bào)告指出,東芝的 3D NAND 快閃存儲(chǔ)器投資計(jì)劃勢(shì)必將因此延后,這會(huì)讓供給短缺更形惡化,也為三星電子(Samsung Electronics Co.)、SK 海力士(SK hynix Inc.)制造更多擴(kuò)產(chǎn)良機(jī)。 美國(guó)硬盤機(jī)制造巨擘 Western Digital(WD
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中國(guó)必須建設(shè)自主存儲(chǔ),為什么?
- 在即將到來的物聯(lián)網(wǎng)的世界里,NAND的應(yīng)用會(huì)非常廣泛,作用也會(huì)愈發(fā)重要,出現(xiàn)的各種裝置和新興應(yīng)用都會(huì)用到NAND。
- 關(guān)鍵字: NAND 長(zhǎng)江存儲(chǔ)
東芝是大股東的群聯(lián)董事長(zhǎng):東芝芯片會(huì)賣給日資
- 東芝半導(dǎo)體事業(yè)各路人馬搶親,包括鴻海集團(tuán)等展現(xiàn)高度意愿,東芝是群聯(lián)大股東,對(duì)于東芝內(nèi)存出售案,但長(zhǎng)期和東芝半導(dǎo)體合作的群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成分析,東芝不可能被單一企業(yè)或公司買下。 他推斷最后結(jié)果,將會(huì)由日本境內(nèi)私募基金或現(xiàn)有股東拿下,仍會(huì)維持原有東芝控制權(quán),再讓部分策略合作伙伴持有少數(shù)股權(quán)入股。 潘健成強(qiáng)調(diào),東芝半導(dǎo)體和早期的爾必達(dá)破產(chǎn)不一樣,東芝半導(dǎo)體是東芝最賺錢的事業(yè)體,而且東芝的儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)也是日本最引以為傲的技術(shù),引發(fā)東芝財(cái)務(wù)危機(jī)的是核電事業(yè),因此切割半導(dǎo)體事業(yè)獨(dú)立新公司
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傳三星今年資本支出較去年增長(zhǎng)85.6%達(dá)219.5億美元
- 三星登上全球半導(dǎo)體龍頭,不惜砸重金投入研發(fā),傳今年資本支出將大幅增加逾 10 兆韓圜。 新韓投資(Shinhan Investment Corp)日前發(fā)布報(bào)告預(yù)測(cè),三星今年半導(dǎo)體資本支出將擴(kuò)增至 24.5 兆韓圜(約 219.5 億美元),較 2016 年成長(zhǎng) 85.6%,且將超越 2015 年的 14.7 兆韓圜成為三星史上新高。 存儲(chǔ)器目前供不應(yīng)求,也是三星今年布局的重點(diǎn),預(yù)料將占據(jù)資本支出的一半左右。據(jù)新韓分析師預(yù)測(cè),光是 NAND 快閃存儲(chǔ)器,三星就將砸下 12.05 兆韓圜(約
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3D NAND延續(xù)摩爾定律 電容耦合效應(yīng)及可靠度仍為技術(shù)關(guān)鍵
- DIGITIMES Research觀察,2D NANDFlash制程在物理限制下難度加劇,透過3DNAND Flash制程,無論是效能及儲(chǔ)存容量提升上都有突破性的改善。 3D NAND Flash可謂為摩爾定律在半導(dǎo)體內(nèi)存領(lǐng)域延伸的一項(xiàng)重要技術(shù)。 3D NAND Flash依存儲(chǔ)元件儲(chǔ)存機(jī)制可分浮動(dòng)閘極(Floating Gate;FG)及電荷缺陷儲(chǔ)存(Charge Trap;CT);依不同堆棧結(jié)構(gòu)技術(shù)又可分為BiCS、P-BiCS、TCAT、VG-NAND Flash、DC-SF、S-SCG
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日美“卡脖子” 國(guó)產(chǎn)大存儲(chǔ)崛起能否取得成功?
- 小時(shí)候并不知道為什么唐僧要取經(jīng),取的什么經(jīng)?后來知道了,唐僧要的是所謂“大乘佛法”,簡(jiǎn)單說就是普度眾生,救民于水火。既有這樣的佛法,孫悟空何不多翻幾個(gè)筋斗,快快取來就是,為什么非要肉體凡胎的唐僧不辭勞苦、跋山涉水呢?難道上天就沒有好生之德嗎?還要設(shè)置各種妖怪來搗亂,豈不是折騰人嗎? 上天當(dāng)然會(huì)有好生之德,這沒有什么好懷疑的。至于為什么折騰唐僧,并不是上天要以此為樂,所謂天機(jī)不可泄漏,九九八十一難其實(shí)就是真經(jīng)的一部分,對(duì)嗎? 其實(shí)現(xiàn)實(shí)生活也是如此。 前不久,美國(guó)
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2019量產(chǎn)64層NAND閃存 紫光絕不讓員工竊取前公司機(jī)密
- 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來越強(qiáng)勁,把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額),但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。為了讓國(guó)產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展,不少公司都在努力。挖來臺(tái)灣DRAM教父高啟全后,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)開始全速狂飆。 近日,高啟全接受媒體采訪時(shí)表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個(gè)消息無疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。對(duì)于目前行業(yè)的現(xiàn)狀,高啟全強(qiáng)調(diào)國(guó)內(nèi)公司應(yīng)該臺(tái)灣公司在存儲(chǔ)芯片上應(yīng)該合作,因?yàn)榇蠹业淖畲?/li>
- 關(guān)鍵字: 紫光 NAND
紫光2019年要量產(chǎn)64層NAND閃存 打破韓企壟斷
- 國(guó)產(chǎn)手機(jī)勢(shì)頭越來越強(qiáng)勁,把三星和蘋果虐的夠嗆(主要是指國(guó)內(nèi)市場(chǎng)份額),但繁榮背后是對(duì)核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失,就比如閃存芯片,這基本上被韓國(guó)廠商壟斷了。為了讓國(guó)產(chǎn)閃存有更好的發(fā)展,不少公司都在努力。挖來臺(tái)灣DRAM教父高啟全后,紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)開始全速狂飆。 近日,高啟全接受媒體采訪時(shí)表示,長(zhǎng)江存儲(chǔ)將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存,這個(gè)消息無疑讓人振奮,而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。 對(duì)于目前行業(yè)的現(xiàn)狀,高啟全強(qiáng)調(diào)國(guó)內(nèi)公司應(yīng)該臺(tái)灣公司在存儲(chǔ)芯片上應(yīng)該合作,因?yàn)榇?/li>
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)nand 的理解,并與今后在此搜索nand 的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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