nand　文章進(jìn)入nand　技術(shù)社區(qū)

存儲(chǔ)器分類匯總，DRAM/EPROM/NAND FLASH這些行業(yè)名詞你真的知道嗎？

　　RAM：由字面意思就可以理解，SDRAM?SRAM?DRAM(下面藍(lán)色字體的這幾種)都可以統(tǒng)稱RAM，random?access?memory(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的縮寫，下面是51hei.com為大家整理的目前所有的存儲(chǔ)器的區(qū)別?！　RAM：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，就是它不需要刷新電路，不像動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器那樣，每隔一段時(shí)間就要刷新一次數(shù)據(jù)。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做C
關(guān)鍵字： DRAM NAND

半導(dǎo)體人才流失中國(guó)，三星呼吁韓國(guó)政府幫忙

　　根據(jù)韓國(guó)英文媒體《The Korea Times》的報(bào)導(dǎo)，三星副總裁權(quán)五鉉 (Kwon Oh-hyun) 日前就像韓國(guó)政府喊話，要韓國(guó)政府給予半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多的支持，以解決人才荒的問題。　　報(bào)導(dǎo)中指出，目前是三星副總裁，也是領(lǐng)導(dǎo)三星顯示器部門的權(quán)五鉉，日前在一項(xiàng)公開演講中指出，韓國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自認(rèn)為有其競(jìng)爭(zhēng)的實(shí)力。不過，卻面臨當(dāng)當(dāng)前半導(dǎo)體人才不足的問題。權(quán)五鉉進(jìn)一步指出，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是第 4 次工業(yè)革命的重要基礎(chǔ)，因此希望韓國(guó)政府能藉由科技培訓(xùn)的管道，持續(xù)為半導(dǎo)體與設(shè)備產(chǎn)業(yè)供應(yīng)需要的人才。
關(guān)鍵字：三星 NAND

解讀：上半年中國(guó)固態(tài)硬盤市場(chǎng)發(fā)展現(xiàn)狀

　　受NAND Flash供貨緊張影響，以及數(shù)據(jù)中心、企業(yè)、移動(dòng)設(shè)備等領(lǐng)域SSD強(qiáng)勁需求，2017年上半年NAND Flash價(jià)格持續(xù)走高。根據(jù)ZDC統(tǒng)計(jì)，NAND Flash價(jià)格累計(jì)漲幅達(dá)26%，消費(fèi)類每GB銷售價(jià)格突破了0.3美金。　　 ? 　　2017年上半年，中國(guó)市場(chǎng)智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)設(shè)備需求出現(xiàn)下滑，再加上NAND Flash的價(jià)格持續(xù)走高，高價(jià)壓力下的SSD市場(chǎng)呈現(xiàn)一片低迷景象。但隨著6月份需求旺季的到來，固態(tài)硬盤的關(guān)注度有所回升。　　 ? 　
關(guān)鍵字：固態(tài)硬盤 NAND

ICinsights:DRAM、NAND售價(jià)已暴漲一年

　　IC Insights的報(bào)告顯示，DRAM及NAND Flash售價(jià)已經(jīng)連續(xù)四個(gè)季度上漲。　　不過因?yàn)樵瓘S紛紛提出擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，IC Insights稍早憂心忡忡認(rèn)為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、西部數(shù)據(jù)、武漢新芯、長(zhǎng)江存儲(chǔ)，都大舉提高3D NAND Flash產(chǎn)能，大陸還有新建廠商也會(huì)加入戰(zhàn)場(chǎng)，3D NAND Flash產(chǎn)能供過于求的可能性相當(dāng)高。　　近期SK海力士宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進(jìn)行3D NAND Flash和DRAM兩大內(nèi)存
關(guān)鍵字： DRAM NAND

NAND閃存供應(yīng)短缺，三星斥資186億美元投資芯片

　　韓國(guó)三星電子有限公司本周二表示，計(jì)劃在韓國(guó)投資至少21.4萬億韓元(約合186.3億美元)，以鞏固其在內(nèi)存芯片和下一代智能手機(jī)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。　　作為世界最大的記憶芯片生產(chǎn)商，三星將在2021年前對(duì)位于平澤市的NAND閃存工廠投入14.4萬億韓元。此外，位于華城市的半導(dǎo)體生產(chǎn)線也將拿到6萬億韓元的投資。剩下的1萬億韓元，將分配給三星位于韓國(guó)的OLED屏幕工廠。同時(shí)，三星還計(jì)劃為西安的NAND閃存生產(chǎn)基地添置一條新的生產(chǎn)線。　　近年來，三星、東芝和SK海力士已投入了數(shù)百億美元來推動(dòng)NAND閃存的
關(guān)鍵字： NAND 三星

ICinsights:DRAM、NAND漲勢(shì)第四季微幅逆轉(zhuǎn)

　　ICinsights認(rèn)為，全球內(nèi)存下半年價(jià)格上漲動(dòng)能可能減緩，包含DRAM與NAND閃存均是如此。　　盡管漲勢(shì)減緩，但DRAM與NAND今年?duì)I收預(yù)料仍將創(chuàng)新高記錄，這完全都是拜先前平均售價(jià)快速上漲之賜。以DRAM為例，DRAM平均售價(jià)今年預(yù)估年漲幅高達(dá)63%，此為1993年有記錄以來之最。　　內(nèi)存價(jià)格從去年第三季起漲，ICinsights預(yù)期動(dòng)能可能持續(xù)至2017年第三季，第四季可能微幅轉(zhuǎn)負(fù)，為這波正向循環(huán)劃下休止符。　　ICinsights指出，隨著價(jià)格走揚(yáng)，內(nèi)存制造商也再次增加資本投
關(guān)鍵字： DRAM NAND

KBS：聚焦韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

　　韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)生水起。世界上最大的內(nèi)存芯片供應(yīng)商三星電子公司宣布，其在韓國(guó)平澤的新建半導(dǎo)體生產(chǎn)線已經(jīng)開始量產(chǎn)。NAND閃存技術(shù)開發(fā)商SK海力士公司已經(jīng)加入了一個(gè)同盟，將投標(biāo)收購(gòu)日本東芝的內(nèi)存部門。今天，我們邀請(qǐng)到了韓國(guó)真好經(jīng)濟(jì)研究院的李仁喆(音譯：???)先生，與他共同聊一聊韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來。首先，我們了解一下7月4日三星電子公司在平澤投產(chǎn)的半導(dǎo)體工廠的意義。　　根據(jù)IT市場(chǎng)研究公司的數(shù)據(jù)，第一季度三星電子公司在NAND閃存市場(chǎng)上的份額為35.4%。這個(gè)數(shù)字具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，但平澤半導(dǎo)體廠
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND

NOR Flash行業(yè)趨勢(shì)解讀：供不應(yīng)求或成常態(tài) 大陸存儲(chǔ)雄心勃勃

　　這個(gè)時(shí)間點(diǎn)我們討論NorFlash行業(yè)趨勢(shì)與全年景氣度，一方面是Nor廠商二季度業(yè)績(jī)即將公布，而相關(guān)公司一季度業(yè)績(jī)沒有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關(guān)標(biāo)的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預(yù)期大賣以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會(huì)反饋意見等)，同時(shí)我們調(diào)高AMOLED與TDDINor的需求拉動(dòng)預(yù)期，詳細(xì)測(cè)算供需缺口，以求對(duì)未來趨勢(shì)定性、定量研究; 　　汽車電子與工控拉動(dòng)行業(yè)趨勢(shì)反轉(zhuǎn)TDDI+AMOLED新需求錦上添花　　1、汽車與工控拉動(dòng)2016趨勢(shì)反轉(zhuǎn) 　　從各方面驗(yàn)證，2016年是NOR的拐點(diǎn)
關(guān)鍵字： DRAM NAND

三星電子全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線投產(chǎn)

　　據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道，三星電子平澤工廠全球最大規(guī)模半導(dǎo)體生產(chǎn)線近日正式投產(chǎn)。三星電子將在該工廠生產(chǎn)第四代64位V-NAND，月產(chǎn)能可達(dá)20萬片，并計(jì)劃持續(xù)擴(kuò)充生產(chǎn)設(shè)備，解決近年來全球半導(dǎo)體市場(chǎng)上供不應(yīng)求的局面。　　據(jù)了解，位于韓國(guó)京畿道平澤市的三星電子平澤工廠于2015年5月動(dòng)工建設(shè)，日均投入1.2萬名施工人員，耗時(shí)兩年多建成全球最大的單一產(chǎn)品生產(chǎn)線。　　三星宣布，至2021年為止，要對(duì)位于平澤市的NAND型快閃存儲(chǔ)器廠房投入14.4萬億韓圜(約合125.4億美元)，并對(duì)華城市新建的半導(dǎo)體生產(chǎn)線投入6
關(guān)鍵字：三星 V-NAND

東芝明年量產(chǎn)96層3D NAND，或獨(dú)投1800億增產(chǎn)3D NAND

　　全球第 2 大 NAND 型快閃存儲(chǔ)器廠東芝(Toshiba)28 日宣布，攜手 SanDisk 研發(fā)出全球首款采用堆疊 96 層制程技術(shù)的 3D NAND Flash 產(chǎn)品，且已完成試樣。該款產(chǎn)品為 256Gb(32GB)、采用 3bit/cell(TLC：Triple Level Cel)技術(shù)的產(chǎn)品，預(yù)計(jì)于 2017 年下半送樣、2018 年開始進(jìn)行量產(chǎn)，主要用來?yè)尮?shù)據(jù)中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能手機(jī)、平板電腦和存儲(chǔ)卡等市場(chǎng)。　　東芝今后也計(jì)劃推出采用堆疊 96 層制程技術(shù)的
關(guān)鍵字：東芝 NAND

64層堆棧是3D NAND的「甜蜜點(diǎn)」？

　　64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎，預(yù)計(jì)將在未來18個(gè)月內(nèi)成為市場(chǎng)主流... 　　Western Digital(WD)內(nèi)存技術(shù)執(zhí)行副總裁Siva Sivaram日前指出，64層堆棧的3D NAND正跨越較平面NAND更具成本效益的門坎。　　在最近接受《EE Times》的訪問中，Siva Sivaram將64層3D NAND定義為一種「開創(chuàng)性技術(shù)」(seminal technology)，可望應(yīng)用于WD逾50種產(chǎn)品線。他預(yù)計(jì)今年WD約有一半的產(chǎn)品線都將采用3D
關(guān)鍵字： NAND 堆棧

三星64層NAND閃存宣布量產(chǎn)

　　三星電子 15 日宣布，最新 64 層 256GB V-NAND 閃存已進(jìn)入量產(chǎn)，與此同時(shí)，三星還將擴(kuò)展包含服務(wù)器、PC 與行動(dòng)裝置的儲(chǔ)存解決方案。　　64 層 V-NAND 閃存用稱為第四代 V-NAND 芯片，南韓 ITtimes.com 報(bào)導(dǎo)指出，三星為穩(wěn)固領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，打算于年底把第四代芯片占每月生產(chǎn)比重拉高至五成以上。　　其實(shí)，三星今年 1 月已先為某關(guān)鍵客戶，打造第一顆內(nèi)含 64 層 V-NAND 芯片的固態(tài)硬盤(SSD)，自此之后，三星持續(xù)朝行動(dòng)與消費(fèi)型儲(chǔ)存市場(chǎng)開發(fā)新應(yīng)用，務(wù)求與 I
關(guān)鍵字：三星 NAND

若拿下東芝郭董：優(yōu)先設(shè)廠美國(guó)

　　鴻海董事長(zhǎng)郭臺(tái)銘昨(12)日證實(shí)，將籌組美、日、臺(tái)夢(mèng)幻團(tuán)隊(duì)，共同競(jìng)標(biāo)東芝半導(dǎo)體。對(duì)日本出現(xiàn)擔(dān)心鴻海「中國(guó)因素」的評(píng)論，郭董炮火全開，左打美系私募基金，右批日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省高層，并強(qiáng)調(diào)，鴻海如果順利得標(biāo)，海外市場(chǎng)將優(yōu)先考慮在美設(shè)內(nèi)存芯片廠。　　東芝半導(dǎo)體競(jìng)標(biāo)案進(jìn)入倒數(shù)計(jì)時(shí)，預(yù)計(jì)本周公布結(jié)果。競(jìng)標(biāo)者之一鴻海動(dòng)作不斷，郭臺(tái)銘接連接受日經(jīng)新聞、路透社專訪。郭董強(qiáng)調(diào)，如果鴻海順利標(biāo)下東芝半導(dǎo)體事業(yè)，希望未來能在海外建立內(nèi)存工廠，地點(diǎn)將優(yōu)先考慮美國(guó)。　　郭臺(tái)銘補(bǔ)充，因?yàn)槊绹?guó)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求在當(dāng)?shù)剡€沒達(dá)到，
關(guān)鍵字：東芝 NAND

NAND閃存的三種架構(gòu)：MLC、SLC、MBC

NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu)，即：?jiǎn)螌訂卧猄LC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu)，由英飛凌與Saifun合作開發(fā)，但該項(xiàng)架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采SLC架構(gòu)是在每個(gè)Cell中存儲(chǔ)1個(gè)bit的信息，以達(dá)到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點(diǎn)，Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構(gòu)，其也有很大的缺點(diǎn)，就是面積容量相對(duì)比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
關(guān)鍵字： MLC 閃存 NAND 英特爾

每況愈下東芝還能否從風(fēng)暴中脫身？

公司內(nèi)部派系斗爭(zhēng)問題，又因外部的2008年金融海嘯與2011年福島核災(zāi)影響日本經(jīng)濟(jì)及東芝業(yè)績(jī)，造成派系斗爭(zhēng)惡化，及為自保而偽造業(yè)績(jī)歪風(fēng)興起，等到2015年事件爆發(fā)，發(fā)現(xiàn)該廠從2008會(huì)計(jì)年度(2008/4~2009/3)便有業(yè)績(jī)灌水的問題，事件逐一發(fā)不可收拾。
關(guān)鍵字：東芝 NAND