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東芝宣布出售予美日聯(lián)盟，加速提升3D NAND產(chǎn)能追趕三星

  • 　　集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導體事業(yè)以2兆日圓出售給由美國私募股權業(yè)者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯(lián)盟，，由于此出售案較預期延宕，對于NAND Flash市場的產(chǎn)能影響，預期要到明年上半年才會趨于明顯;中長期而言，在資金到位的情況下，將有助東芝在3D-NAND產(chǎn)能與技術上力拼三星。 　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，此次出售案的收購對象日美韓聯(lián)盟成員中包括日本政府支持的產(chǎn)業(yè)革新機構(INCJ)財團、
  • 關鍵字： 3D NAND  東芝  

東芝半導體如此多嬌，引無數(shù)科技大佬競折腰

  • 到底為什么東芝半導體可以引起如此大的波瀾?產(chǎn)品和技術有什么過人之處?鴻海為首的“不差錢”軍團又希望從東芝半導體得到什么?小編給你一一說明。
  • 關鍵字： 東芝  NAND  

CFM：原廠加碼投資擴產(chǎn)64層3D NAND，然部分市場仍缺貨到年底

  • 　　9月6日，由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦以“中國存儲?全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會除了齊聚國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講，其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領導?！　‘斕煳蚪?00家企業(yè)參會，其中包括西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會，涵蓋領域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、
  • 關鍵字： NAND  閃存  

莫大康：中國半導體業(yè)要奮力突圍

  • 　　與美國在半導體先進工藝制程等方面的差距，不僅表現(xiàn)在人材，技術等方面，可能更大的差距在于綜合的國力，以及產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善，所以此次奮力突圍一定要取得更大的進步。 　　01引言 　　近期華爾街日報撰文“中國的下一個目標奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚，它是站在美方的立場，歪曲事實。 　　此次中國半導體業(yè)的“奮力突圍”，有兩層意義： 　　一個是差距大，希望迅速的成長，至多是擴大芯片的自給率。 　　另一個是西方千方百計的阻礙中國半導體業(yè)的進步
  • 關鍵字： NAND  DRAM  

狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能 三星3D NAND、DRAM、7納米制程大擴產(chǎn)

  • 　　2017年三星電子(SamsungElectronics)同步啟動DRAM、3DNAND及晶圓代工擴產(chǎn)計劃，預計資本支出上看150億~220億美元，遠超過臺積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模，三星為確保新產(chǎn)能如期開出，近期傳出已與多家硅晶圓供應商洽談簽長約，狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能，并傳出環(huán)球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應量將減少30%，主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準備。 　　三星為因應DRAM和3DNAND市場強勁需求，加上在邏輯事業(yè)全力投入7納米制程，企圖與臺積電一較長短，搶
  • 關鍵字： 三星  NAND  

三星電子波瀾再起 NAND芯片市場風云變幻

  • 　　8月28日，三星電子宣布，未來將投資70億美元用于擴大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過，三星稱，“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求。”可是，三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場需求嗎? 　　波瀾的背后 　　據(jù)2017年第二季度財報顯示，三星電子營收額高達554.1億美元，同比增長19%，并且，三星電子以銷售額14億美元的成績拿下45.9%的NAND Flash市占有率。 　　有業(yè)者分析稱，三星第二季度如此強勁的主要原因是蘋果等其他電子類產(chǎn)品生產(chǎn)需求旺盛，同時其
  • 關鍵字： 三星  NAND  

第二季NAND Flash品牌廠營收季成長8%，第三季價格續(xù)揚

  • 　　集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響，即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季，各產(chǎn)品線合約價平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手機與平板計算機內(nèi)的eMMC/UFS以及SSD合約價仍持續(xù)小漲，2017年將是NAND Flash廠商營收表現(xiàn)成果豐碩的一年。 　　DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制，NAND Flash原廠紛紛轉(zhuǎn)進垂直堆棧
  • 關鍵字： NAND  東芝  

DIGITIMES：聲光暫掩的大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展近況

  • 　　開年以來大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展似乎進入沉潛期。首先是年初長江存儲CEO楊士寧鄭重發(fā)布新聞稿澄清，表示從未發(fā)表過32層3DNANDFlash今年量產(chǎn)的消息。接下來是中芯國際董事長周子學表達的大陸半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“三步走”(注1)，指出要花至少15年的時間，大陸才能發(fā)展出比較有市場競爭力的企業(yè)主體。再來是最近紫光集團表示，由于長江存儲的存儲器芯片工廠專案投資規(guī)模過大，目前尚處于建設初期，短期無法產(chǎn)生銷售收入，時機不成熟，停止收購長江存儲的股份。雖然似乎大陸整個半導體產(chǎn)業(yè)持續(xù)其發(fā)展動能，但
  • 關鍵字： 摩爾定律  NAND  

三大內(nèi)存創(chuàng)最缺且漲勢最久紀錄，手機品牌包產(chǎn)能

  • 　　DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內(nèi)存會一直缺貨到明年，許多客戶搶貨，已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。 業(yè)界指出，未簽訂長約的客戶，內(nèi)存供貨將短缺，沖擊產(chǎn)品上市或出貨時程。 　　集邦、IC Insight等研究機構最近紛紛出具報告，強調(diào)DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應在下半年顯現(xiàn)，缺貨問題更嚴重。 　　業(yè)界表示，三大內(nèi)存應用范圍廣，尤其NOR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲存程序代碼關鍵組件，雖然單價遠比DRAM
  • 關鍵字： NAND  DRAM  

各家爭鳴存儲器技術標準 儲存技術之爭再掀戰(zhàn)火

  • 　　在2017年快閃存儲器高峰會(Flash Memory Summit)上，可見各主要NAND Flash供應商持續(xù)推出更新式存儲器芯片以期能主導競爭優(yōu)勢，幾乎各主要供應商也都在談論簡化Flash儲存系統(tǒng)內(nèi)建軟件的必要性，以減少應用在資料中心時出現(xiàn)的延遲問題，以及試圖定義固態(tài)硬盤(SSD)全新尺寸標準，另值得注意的是，本屆大會上甚至連主要硬盤(HD)制造商，都已幾乎不在主題演說中提及硬盤相關技術資訊或發(fā)展趨勢。 　　根據(jù)科技網(wǎng)站EE Times報導，在本屆大會上，三星電子(Samsung Electr
  • 關鍵字： 存儲器  NAND  

3D NAND究竟出了什么問題？

  • 3D NAND比平面NAND更昂貴，但大家都期待它將有助于快速地降低NAND的成本，以及取代平面NAND，這是為什么呢?
  • 關鍵字： 3D NAND  存儲器  

具有劃時代意義的芯片匯總，賽靈思FPGA和東芝NAND閃存在列

  • 　　對大多數(shù)人來說，微芯片是一些長著小小的金屬針，標著看似隨機的字母或數(shù)字的字符串的黑盒子。但是對那些懂的人來說，有些芯片就像名人一樣站在紅毯上。有許多這樣的集成電路直接或間接地為改變世界的產(chǎn)品賦能，從而得到榮耀，也有一些芯片對整個計算環(huán)境造成了長期的影響。也有一些，它們的雄心壯志失敗后成為警世的故事?！　榱思o念這些偉大的芯片，并講述它們背后的人和故事，IEEE Spectrum 制作了這個“芯片名人堂”(Chip Hall of Fame)。登堂的是7
  • 關鍵字： FPGA  NAND  

1Tb V-NAND內(nèi)存即將面世

  • 　　三星計劃在明年推出容量達1-Tbit的V-NAND芯片，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤。 　　三星(Samsung)計劃明年推出容量達1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND，以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(SSD)。 該公司并表示，去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開始出樣，據(jù)稱這款產(chǎn)品能夠達到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內(nèi)存的低延遲能力。 　　三星的Tbit NAND可支持高達每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率，并在一個堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達4
  • 關鍵字： V-NAND  NVMe  

三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒 容量高達1Tb

  • 　　相較于2.5寸SATA，M.2的SSD有著非常明顯的體積優(yōu)勢，如果總線走PCIe，速度上更是完爆。 　　在舊金山的閃存峰會上，三星宣布推出新一代V-NAND單晶粒，容量高達1Tb，用于消費級產(chǎn)品。 　　三星表示，今后的2TB 3D閃存SSD產(chǎn)品將使用上這一新品，即一整顆芯片封裝16Tb Die，繼續(xù)減小體積。 　　如此精巧之后，連傳統(tǒng)M.2 2242(NGFF)的電路板型都用不到了，三星據(jù)此提出了Next Generation Small Form Factor (NGSFF) 標準。 　　其
  • 關鍵字： 三星  V-NAND  

東芝傳計劃砸1兆日元建新廠、增產(chǎn)3D NAND

  • 　　日刊工業(yè)新聞7日報導 ，為了提高3D架構的NAND型閃存(Flash Memory)產(chǎn)能、以因應三星電子等競爭對手加快擴產(chǎn)腳步，東芝(Toshiba)將進一步祭出增產(chǎn)投資，計劃在日本巖手縣北上市興建新工廠，該座新廠預計于2018年度動工、 2021年度啟用，總投資額將達1兆日圓的規(guī)模。 東芝目前已在四日市工廠廠區(qū)內(nèi)興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。 　　該座3D NAND新工廠興建計劃由東芝半導體事業(yè)子公司「東芝內(nèi)存(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」負責
  • 關鍵字： 東芝  NAND  
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