nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

IHS：2012年Q4全球NAND營(yíng)收大幅成長(zhǎng)17%

　　根據(jù)市場(chǎng)研究公司IHS iSuppli 的調(diào)查報(bào)告，全球 NAND 快閃記憶體市場(chǎng)在2012年第四季展現(xiàn)創(chuàng)新記錄的營(yíng)收成長(zhǎng)──大幅上揚(yáng)17%，達(dá)到了56.34億美元的營(yíng)收，結(jié)束先前連續(xù)五年第四季營(yíng)收平均下滑6%的記錄。　　2012年全年 NAND 快閃記憶體銷售額達(dá)到了202.11億美元。其中，三星與東芝仍是 NAND快記憶體的最大供應(yīng)商，兩家公司總共就占掉 NAND 市場(chǎng)三分之二的市占率。此外，美光、海力士與英特爾也是其他幾家主要的 NAND 快閃記憶體供應(yīng)商。　　三星在2012年第四季的
關(guān)鍵字：美光 NAND

NAND閃存去年第四季度意外增長(zhǎng)

　　據(jù)IHS iSuppli公司的閃存市場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào)，2012年第四季度NAND閃存產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入創(chuàng)出最高紀(jì)錄，結(jié)束了之前連續(xù)五個(gè)第四季度的下滑局面。　　2012年第四季度NAND產(chǎn)業(yè)的營(yíng)業(yè)收入為56億美元，比第三季度的48億美元?jiǎng)旁?7%。從兩個(gè)方面來看，這種環(huán)比增長(zhǎng)具有重要意義：一是結(jié)束了最近第四季度營(yíng)業(yè)收入均呈現(xiàn)下滑的趨勢(shì)，二是創(chuàng)出了產(chǎn)業(yè)歷史上的最高營(yíng)業(yè)收入記錄。　　三星電子占總體營(yíng)業(yè)收入的三分之一以上，名列前茅。NAND閃存產(chǎn)業(yè)由少數(shù)幾家廠商嚴(yán)密控制。2012年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入為202億美元，
關(guān)鍵字： NAND 閃存

2013半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將實(shí)現(xiàn)溫和增長(zhǎng)

　　2012年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入為3030.0億美元，相比2011年的3102.1億美元有所降低。預(yù)計(jì)2013年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)6.4%，達(dá)到3223.0億美元。在經(jīng)歷了極其艱難的2012年之后，預(yù)計(jì)今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將溫和增長(zhǎng)，智能終端、電視與計(jì)算等關(guān)鍵消費(fèi)電子產(chǎn)品成為推動(dòng)芯片營(yíng)業(yè)收入與需求增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿Α? 　　智能終端　　2012年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入的下降，緣于消費(fèi)者在電子產(chǎn)品上面的支出不振，尤其是電腦采購(gòu)將近占到半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)營(yíng)業(yè)收入與硅片需求的60%，但是2012年電腦產(chǎn)品的采購(gòu)量低迷。令
關(guān)鍵字： DRAM NAND

延長(zhǎng)Flash存儲(chǔ)器使用壽命的研究

　　引言　　隨著嵌入式系統(tǒng)在數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、移動(dòng)電話、MP3音樂播放器等移動(dòng)設(shè)備中越來越廣泛的 ...
關(guān)鍵字： Flash 存儲(chǔ)器使用壽命

2012年Flash首超DRAM DRAM前途將靠移動(dòng)DRAM

緣于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)電子設(shè)備的繼續(xù)紅火走俏，除2010年以外，F(xiàn)lash和DRAM市場(chǎng)規(guī)模日趨接近，再加近2年P(guān)C風(fēng)光不再，致使DRAM需求疲軟，降價(jià)聲急。
關(guān)鍵字： DRAM Flash

半導(dǎo)體領(lǐng)域"前淡后旺"

　　全球半導(dǎo)體領(lǐng)域在的宏觀經(jīng)濟(jì)條件不佳下渡過了艱辛的2012年，近期在美國(guó)經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)逐漸獲得改善之際，領(lǐng)域在末季看似有了復(fù)蘇跡象。雖然12月份全球半導(dǎo)體銷售量成功創(chuàng)下久違的連續(xù)兩個(gè)月增長(zhǎng)，但依然不足以抵銷市場(chǎng)分析員對(duì)國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體領(lǐng)域的消極看法。　　考慮到在全球經(jīng)濟(jì)不明朗，對(duì)電子產(chǎn)品需求量帶來打擊下，市場(chǎng)分析員依然謹(jǐn)慎看待我國(guó)今年的半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是受大選情緒影響的上半年，而最低薪金制度也相信將進(jìn)一步箝制國(guó)內(nèi)業(yè)者的業(yè)績(jī)表現(xiàn)。無論如何，在預(yù)計(jì)下半年經(jīng)濟(jì)大環(huán)境獲得改善的情況下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體業(yè)者或?qū)㈦S著趨勢(shì)上演反
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體設(shè)備 NAND

鎂光發(fā)布尺寸小25%的128Gb NAND閃存

　　閃存密度越來越高帶來的是更大容量的設(shè)備，但是如果要做到更小尺寸怒，那非得減少閃存芯片的面積不可。鎂光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND閃存芯片，采用20納米制程，TLC閃存技術(shù)，裸片面積只有146平方毫米，比目前的MLC芯片尺寸小25%。　　TLC閃存每單元存儲(chǔ)3bit數(shù)據(jù)，它更高的密度的代價(jià)是相對(duì)較低的寫入速度和較差的耐久力，目前只有三星840系列固態(tài)硬盤使用這種技術(shù)。　　不過鎂光也并沒有將其用在SSD上的打算，128Gb的NAND目前只會(huì)用于可移動(dòng)存儲(chǔ)市場(chǎng)，例如SD和USB閃存驅(qū)動(dòng)
關(guān)鍵字：鎂光 NAND

分析：iPhone助推2012年閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展

　　根據(jù)信息與數(shù)據(jù)分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數(shù)據(jù)報(bào)告，雖然蘋果公司對(duì)閃存(NAND)需求旺盛，但由于超級(jí)本銷售仍然低迷，使得全球閃速存儲(chǔ)器市場(chǎng)收益下降了7個(gè)百分。去年，閃存(NAND)產(chǎn)業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過，經(jīng)過去年的低迷期，今年收益將有所增長(zhǎng)，達(dá)到224億美元，并在接下來的幾年內(nèi)持續(xù)增長(zhǎng)。　　具體可參見下表。　　 ? 　　“閃存具備高密度內(nèi)存，大容量傳輸?shù)男阅?。?012年，蘋果iPhone是NAND的
關(guān)鍵字：閃存 NAND

基于分塊管理和狀態(tài)轉(zhuǎn)換的嵌入式Flash管理

1 引言嵌入式系統(tǒng)中通常都需要存放一些非易失性數(shù)據(jù), 并且數(shù)據(jù)量的大小和數(shù)據(jù)類型根據(jù)不同的系統(tǒng)需求差異很大。因此選取合適的存儲(chǔ)器是完成數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的第一步, 更重要的是使存儲(chǔ)系統(tǒng)長(zhǎng)期穩(wěn)定、高效的工作, 這就必
關(guān)鍵字：管理嵌入式 Flash 轉(zhuǎn)換狀態(tài) 分塊基于

2012年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入萎縮

據(jù)IHS iSuppli Data的閃存市場(chǎng)追蹤報(bào)告，2012年蘋果iPhone是推動(dòng)NAND閃存消費(fèi)的最大因素。由于超級(jí)本未能實(shí)現(xiàn)騰飛，2012年NAND閃存營(yíng)業(yè)收入萎縮。
關(guān)鍵字：蘋果閃存 NAND

NAND Flash內(nèi)存設(shè)備的讀寫控制設(shè)計(jì)

NAND Flash內(nèi)存設(shè)備的讀寫控制設(shè)計(jì),引言

　　NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Flash因?yàn)榫哂蟹且资约翱刹脸?，在?shù)碼相機(jī)、手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設(shè)備中得到廣泛的應(yīng)用。NAND Flash
關(guān)鍵字：控制設(shè)計(jì) 讀寫設(shè)備 Flash 內(nèi)存 NAND

車窗控制系統(tǒng)的LIN2.1協(xié)議應(yīng)用

引言LIN協(xié)會(huì)于1999年發(fā)布了第一版LIN協(xié)議，至今已有十幾年了，在這十幾年中，LIN總線不斷發(fā)展，已經(jīng)在以車身控制為...
關(guān)鍵字： LIN2.1協(xié)議定時(shí)器 Flash

基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤掛載分析

基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤掛載分析,０　引　言
現(xiàn)階段嵌入式產(chǎn)品作為Ｕ盤掛載到ＰＣ機(jī)上在各類電子產(chǎn)品中被越來越多的應(yīng)用，Ｌｉｎｕｘ操作系統(tǒng)在電子產(chǎn)品中的應(yīng)用也越來越廣泛，但是Ｌｉｎｕｘ中模擬Ｕ盤掛載到ＰＣ機(jī)中，與ＰＣ機(jī)上通用Ｗｉｎｄｏ
關(guān)鍵字：模擬分析 FLASH NAND ARM11 Linux 基于

嵌入式系統(tǒng)中Flash存儲(chǔ)管理策略

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： Flash 存儲(chǔ)管理策略嵌入式系統(tǒng)

半導(dǎo)體需求回溫東芝元旦假期將加班趕工

　　日本媒體報(bào)導(dǎo)，全球第2大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠商?hào)|芝(Toshiba)于21日宣布，因半導(dǎo)體需求回溫，故旗下日本半導(dǎo)體工廠將于今年年末的元旦假期期間加班趕工。東芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路半導(dǎo)體工廠今年將不停工持續(xù)進(jìn)行生產(chǎn);大分工廠今年元旦假期期間的停工天數(shù)則將自去年的6天減半至3天。　　東芝姬路半導(dǎo)體工廠主要生產(chǎn)馬達(dá)/PC用電源控制晶片、大分工廠主要生產(chǎn)影像感測(cè)器及系統(tǒng)整合晶片(SystemLSI)。　　東芝于10月31日將今年度(2012年4月-2013年
關(guān)鍵字： Toshiba FlashMemory NAND