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用DNW通過USB燒uboot到nand

  • 燒寫前提:已經(jīng)把FS2410開發(fā)板的S3C2410_BIOS.bin通過JTAG燒到了NOR里面了,這樣我們從NOR啟動才可以使用US...
  • 關鍵字: DNW  USB  uboot  nand  

基于FPGA的SPI Flash控制器的設計方案

  • 本文提出一個基于FPGA的SPI Flash讀寫硬件實現(xiàn)方案,該方案利用硬件對SPI Flash進行控制,能夠非常方便地完成Fl ...
  • 關鍵字: FPGA  SPI  Flash  控制器  

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例(二)

  • 啟動匯編代碼  ;*********************************************************************  ; 匯編 ...
  • 關鍵字: Flash  SRAM  觸發(fā)中斷  

從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例(一)

  • 使用LPC2106的Timer 1 進行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ,用戶可以從Flash或者SRAM中運行 ...
  • 關鍵字: Flash  SRAM  觸發(fā)中斷  

基于嵌入式MCU數(shù)據(jù)Flash的數(shù)據(jù)存儲及管理方法研究與實現(xiàn)

  • 摘要:本文設計了一種利用MCU內(nèi)部數(shù)據(jù)Flash存儲非易失性數(shù)據(jù)的方法,它將數(shù)據(jù)Flash的若干扇區(qū)劃分為多個數(shù)據(jù)分區(qū),不同數(shù)據(jù)分區(qū)存儲數(shù)據(jù)在不同歷史時間的拷貝,最新數(shù)據(jù)分區(qū)存儲最新的數(shù)據(jù)拷貝;在數(shù)據(jù)讀操作進行時,計算最新數(shù)據(jù)拷貝的Flash存儲位置,直接讀取該地址;在數(shù)據(jù)寫操作進行時
  • 關鍵字: 嵌入式  MCU  Flash  數(shù)據(jù)存儲  EEPROM  201310  

狼、羊、草過河與嵌入式固件更新

  • 狼、羊、草過河問題(也有叫狼、羊、白菜過河之類的名字)是說:有一人帶著一只部分馴化的狼(強調(diào)部分馴化是說明,人在場的情況下狼不會吃羊,不然要被指出邏輯漏洞了)、一只山羊和一些草來到河的左岸,欲乘一只很小的船過到河的右岸,每次人只能帶其中一個過河,當有人在時,狼、羊、草都不會有事;當無人在時,就不允許狼羊在一起,也不允許羊和草在一起,問應如何過河?
  • 關鍵字: 嵌入式  Flash  RAM  緩沖區(qū)  

采取多元化戰(zhàn)略,加強在華合作

  • 編者按:8月初,Spansion宣布兩項重大舉措:一,完成對富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務的收購;二,簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術許可協(xié)議??梢?,Spansion由最大的獨立閃存公司變身為多元產(chǎn)品公司,并且加深與中國代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對華戰(zhàn)略如何?
  • 關鍵字: 富士通  Spansion  MCU  NAND  201309  

三星宣布量產(chǎn)全球首個3D垂直閃存V-NAND

  •   三星電子在存儲技術上的領先的確無可匹敵,今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個采用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭,3D堆疊已經(jīng)成了潮流,處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來。   三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB),內(nèi)部采用三星獨有的垂直單元結構,通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術、垂直互連工藝技術來連接3D單元陣列。   三星稱,這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而且寫入性能也可達到1xnm N
  • 關鍵字: 三星  V-NAND  

半導體廠擴產(chǎn) 力成進補

  •   不讓韓國三星專美于前,日本半導體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布,將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元),于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠,導入最新16至17納米制程,使總產(chǎn)能提升20%,明年4月量產(chǎn),為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。   這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導體資本支出后,東芝近兩年來首度做出增產(chǎn)決定,因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。   研究機構統(tǒng)計,去年全球NAND Flash出貨量,三星居全球
  • 關鍵字: 半導體  NAND  

單片機(MCU)選型的七條軍規(guī)

  • 單片機的選型是一件重要而費心的事,如果選型得當,則做出來的產(chǎn)品就會性價比較高,且工作穩(wěn)定;反之,則可能會造成產(chǎn)品成本過高或影響產(chǎn)品正常運行,甚至可能根本就達不到預先設計要求。
  • 關鍵字: 單片機  MCU  內(nèi)存  FLASH  編譯器  

NAND閃存第一季度意外出現(xiàn)短缺

  • 據(jù)IHS公司的移動與嵌入存儲市場追蹤報告,今年第一季度中國低端智能手機的需求大增,讓內(nèi)存供應商措手不及,刺激了NAND閃存市場的增長并導致其出現(xiàn)供應短缺。
  • 關鍵字: IHS  NAND  

第一季度SSD出貨勁增,尤其是在超級本與PC平板領域

  • 據(jù)IHS公司的存儲市場追蹤報告,超薄/超級本PC以及PC平板的使用大增,在第一季度極大地推動了固態(tài)硬盤(SSD)的發(fā)展。SSD在這些領域的出貨量同比激增兩倍。
  • 關鍵字: IHS  SSD  NAND  HDD  

芯片制造設備行業(yè)2014年前景看好

  •   據(jù)國外媒體報道,芯片廠商尚未打破增長-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會SemiconWest上透露出的一個關鍵信息是,盡管對芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長的預期落空,但明年的前景要光明得多。   SEMI(半導體設備暨材料協(xié)會)預計,2013年芯片制造設備營收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預測,2014年芯片制造設備營收將猛增21%。   當然,SEMI以往曾對芯片制造設備營收作出過高的預期。1年前,SEMI曾預計2013年芯片制造設備營收將增長約1
  • 關鍵字: 芯片制造  NAND  

2013年:芯片制造業(yè)陷入低谷 明年會變好

  •   根據(jù)國外媒體的報道,2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退,預計芯片制造設備的全年營收下降2%,而此前SEMI曾經(jīng)預計2013年芯片制造設備營收會增長10%。   這次衰退預計同樣出自SEMI,這表明此前他們對2013年的樂觀預計已經(jīng)落空。實際上從2012年下半年開始,以NAND閃存為首的芯片廠商對芯片制造設備的訂單就已經(jīng)開始萎縮。目前只有Intel、三星、臺積電三家狀況比較穩(wěn)定,主要是因為消費類電子產(chǎn)品對芯片需求量大,三家企業(yè)處于難以撼動的統(tǒng)治地位。   不過SEMI依然對2014年的發(fā)展
  • 關鍵字: 芯片制造  NAND  

中國廠商成全球芯片行業(yè)增長新引擎

  •   導語:路透社今天撰文指出,近年來高端手機市場的需求趨于飽和,曾經(jīng)推動芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長也開始放緩,但隨著華為、聯(lián)想等中國移動廠商的強勢崛起,以及中國移動市場的火爆,中國力量正成為全球芯片行業(yè)增長的新引擎。   以下為文章全文:   重新掌握主動   隨著中國低端智能手機和平板電腦的需求激增,以及華為等中國移動設備廠商的強勢崛起,東芝、SKHynix等亞洲存儲芯片廠商有望從這種趨勢中獲得重要回報。中國目前已取代美國,成為全球第一大智能手機市場
  • 關鍵字: DRAM  NAND  
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