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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand-flash

武漢新芯：已建成IP體系，欲以存儲器為特色

  • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導(dǎo)體企業(yè)，2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資，并由東湖高新區(qū)管理的全資國有企業(yè)，前幾年委托SMIC(中芯國際)經(jīng)營管理，從2012年底起獨(dú)立經(jīng)營。
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AVR的主要特性

  • AVR單片機(jī)是1997年由ATMEL公司研發(fā)出的增強(qiáng)型內(nèi)置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精簡指令集高 ...
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缺少仿真器時avr單片機(jī)的開發(fā)方法

  • 對FLASH存貯器單片機(jī)，不要仿真機(jī)也能方便快速地開發(fā)程序。具體可以從以下幾方面入手： 一、盡量使用高級語言開 ...
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ARM編程中Flash ROM驅(qū)動示例

  • Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:i28F320B: 64*64K,64個blocks,4M空間,每個block 64K,第一個64K由8個8*8 ...
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單片機(jī)下程序RAM， ROM ，F(xiàn)lash

  • 8K的flash是有8*1024個字節(jié)，一條指令可能有1~4個機(jī)器碼，即1~4個字節(jié)，其中1~2機(jī)器碼的指令使用最為頻繁，所以這樣 ...
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東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

  • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。同時該模塊符合最新的e·MMC?[1]標(biāo)準(zhǔn)，旨在應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等廣泛的數(shù)字消費(fèi)品。批量生產(chǎn)將從11月底開始。
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基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 摘要: NAND Flash應(yīng)用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲器管理接口結(jié)合I/O口來實(shí)現(xiàn)NAND Flash存儲結(jié)構(gòu)的搭建和管理的方法，并介紹底層的驅(qū)動程序。
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Marvell擴(kuò)大固態(tài)硬盤控制器在全球領(lǐng)先OEM中的市場份額

  • 全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達(dá)克代碼：MRVL)日前宣布，其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續(xù)加速實(shí)現(xiàn)全球消費(fèi)者和企業(yè)的“美滿互聯(lián)生活(Connected Lifestyle)”。當(dāng)前，Marvell擁有豐富的端到端存儲、網(wǎng)絡(luò)、計算、移動和聯(lián)網(wǎng)解決方案，在行業(yè)中占據(jù)著獨(dú)一無二的領(lǐng)導(dǎo)地位。
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2014年Flash LED市場走勢將呈現(xiàn)M型化

  • 　　FlashLED在智慧型手機(jī)的滲透率已達(dá)100%，看準(zhǔn)Flash商機(jī)，LED業(yè)者積極投入Flash市場。2013年FlashLED的規(guī)格以驅(qū)動電流1000mA、500mA與350mA為主流，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，2014年FlashLED市場將呈現(xiàn)M型化發(fā)展，高階規(guī)格以驅(qū)動電流1000mA所主導(dǎo)，而低階則會以驅(qū)動電流350mA為主。 　　LEDFlash具有高穩(wěn)定性、發(fā)光角度小、低電壓即可驅(qū)動、不需要充電與壽命較長等特性，F(xiàn)lashLED已成為智慧型手機(jī)標(biāo)配，以2013年FlashLED市況來看，主流規(guī)
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可管理NAND：適用于移動設(shè)備的嵌入式大容量存儲

  • 與多年前相比，現(xiàn)在的移動消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲...
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國際廠競搶Flash LED新高地 明年恐見殺價潮

  • 　　LED產(chǎn)品價格不斷下滑，壓縮各廠獲利空間，廠商除靠壓低生產(chǎn)成本外，也持續(xù)開發(fā)高毛利產(chǎn)品領(lǐng)域以求生存，因此高毛利的FlashLED(閃光燈)成為各廠欲競逐的市場，除國際大廠PhilipsLumileds、CREE、OSRAM等外，臺廠有億光、新世紀(jì)、光寶科等業(yè)者，但近期市場傳出，韓廠三星將走出過去堅守的4139封裝規(guī)格，計劃加入主流的2016規(guī)格戰(zhàn)局。隨著市場競爭者越來越多，估計FlashLED明年將會見到一波價格下殺潮。 　　消費(fèi)者對于智慧型手機(jī)要求越來越高，除處理效能要接近電腦外，就連照相功能也向
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高容量Flash MCU需求漲

  • 嵌入式系統(tǒng)智能化商機(jī)旺　MCU廠升級eFlash制程　　微控制器（MCU）廠商在嵌入式快閃記憶體（eFlash）新一輪先進(jìn)制 ...
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嵌入式軟件代碼保護(hù)系統(tǒng)設(shè)計

  • 目前的嵌入式系統(tǒng)中， 軟件代碼一般存儲在諸如EEPROM、F lash等存儲器中， 但其中存儲的程序代碼易被讀取， 非法 ...
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一步步解決UCGUI漢字字庫

  • UCGUI設(shè)計中漢字字庫也是大家最關(guān)注的問題之一。主要的問題是在于，使用C文件的字庫太大，一個12×12的漢字字庫文件有2M以上，一般的控制器內(nèi)部存儲容量是接受不了的。那么讓UCGUI使用外部FLASH中的字庫就成為大勢所趨。接下來介紹如何讓UCGUI使用外部FLASH中的字庫。
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10月快閃存儲器NAND供過于求 合約價看漲

  • 　　市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期，第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩，10月合約價看漲。 　　集邦科技表示，海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災(zāi)意外，不僅帶動動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)價格飆漲，同時激勵9月NANDFlash合約價上漲3%至6%。 　　集邦科技指出，盡管NANDFlash市場銷售并無好轉(zhuǎn)跡象，不過，海力士無錫廠復(fù)工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預(yù)期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。 　　集邦預(yù)期，近期1至2個月
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