nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

Marvell推出最新一代SATA SSD控制器，憑借開(kāi)創(chuàng)性LDPC技術(shù)支持TLC NAND閃存

　　全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達(dá)克代碼：MRVL)今日宣布，推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯(cuò)、低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)技術(shù)，使消費(fèi)類(lèi)及企業(yè)級(jí)SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進(jìn)的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著降低了存儲(chǔ)系統(tǒng)的總體成本，功耗更低，并提供無(wú)與倫比的性能?！　arvell公司總裁、聯(lián)合創(chuàng)始人
關(guān)鍵字： Marvell 控制器 NAND

半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(下)

　　科研投資　　日本資深專業(yè)人士泉谷涉還說(shuō)：2012年日本國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)值約5萬(wàn)億日元，占GDP的5%，但它對(duì)應(yīng)用半導(dǎo)體的服務(wù)業(yè)、硬件業(yè)以及通過(guò)IT業(yè)以提高生產(chǎn)力的下游產(chǎn)業(yè)來(lái)計(jì)算，半導(dǎo)體產(chǎn)生的經(jīng)濟(jì)效益約為100萬(wàn)億日元，兩者之比達(dá)到1：20，如此給力，誰(shuí)不動(dòng)心?!但是，半導(dǎo)體業(yè)又一向被稱為“食金蟲(chóng)”產(chǎn)業(yè)，沒(méi)有國(guó)家的大力支持，沒(méi)有生產(chǎn)設(shè)備和科研經(jīng)費(fèi)的巨大投入，那是美夢(mèng)難圓的。　　半導(dǎo)體設(shè)備投資也是引導(dǎo)世界經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的要素之一，它每年投資計(jì)劃的發(fā)表還常關(guān)聯(lián)到生產(chǎn)設(shè)備、材料公司的股
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND IC 201405

競(jìng)逐eMMC商機(jī)　Flash控制芯片廠陷混戰(zhàn)

2013年eMMC需求在智能手機(jī)市場(chǎng)帶動(dòng)下大幅成長(zhǎng)，2014年，平板電腦應(yīng)用需求亦值得期待，尤其在中國(guó)大陸銷(xiāo)售的平板電腦中，有90%尚未采用eMMC，這可能進(jìn)一步擴(kuò)大eMMC市場(chǎng)規(guī)模，引來(lái)業(yè)內(nèi)廠商混戰(zhàn)一片......
關(guān)鍵字： Flash 控制芯片

半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)

　　智慧之石　　作為電子工業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的電子器件，已經(jīng)歷了三個(gè)巨大變革時(shí)代：1.?電子管時(shí)代――1905～1947(42年);2.?晶體管時(shí)代――1947～1958(11年);3.?集成電路時(shí)代――1958～…(到2014年已有56年)。　　電子管的發(fā)明拉開(kāi)了電子時(shí)代的序幕，為當(dāng)時(shí)蓬勃發(fā)展的無(wú)線電報(bào)事業(yè)提供了核心器件，在它存在的40多年的時(shí)間里，推動(dòng)了收音機(jī)、電視機(jī)、雷達(dá)、計(jì)算機(jī)的發(fā)明和應(yīng)用。美國(guó)是電子工業(yè)發(fā)展的代表，1920年即開(kāi)始廣播，也是30年代最早開(kāi)始電視廣播的國(guó)家之一
關(guān)鍵字： NAND DRAM PC 201404

FPGA中Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)及驗(yàn)證

　　隨著FPGA的功能日益強(qiáng)大和完善，F(xiàn)PGA在項(xiàng)目中的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛，其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲(chǔ)器件為FPGA的外圍，敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)，其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求，并且通過(guò)實(shí)際的讀寫(xiě)操作驗(yàn)證
關(guān)鍵字： Flash 驅(qū)動(dòng) FPGA

基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

　　靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(static?RAM)，簡(jiǎn)稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見(jiàn)的存儲(chǔ)器有SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)、FLASH(閃速存儲(chǔ)器)、DRAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器)等。其中不同的存儲(chǔ)器有不同的特性，SRAM無(wú)需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時(shí)鐘信號(hào)，即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?！　?、VDMS16M32芯片介紹　　VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
關(guān)鍵字： SRAM FLASH DRAM VDSR16M32

2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營(yíng)收下滑4.5%

　　全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業(yè)者原先對(duì)于 2013年第四季終端裝置出貨過(guò)于樂(lè)觀，導(dǎo)致產(chǎn)出成長(zhǎng)高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過(guò)于求，以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響 NAND 產(chǎn)能調(diào)配等因素下，2013年第四季 NAND Flash 品牌供應(yīng)商營(yíng)收較第三季下滑4.5%，來(lái)到61億6,800萬(wàn)美元。　　2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷(xiāo)較2012年改善不少，因此第四季營(yíng)收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
關(guān)鍵字： NAND DRAM

基于FPGA的SPI Flash控制器的設(shè)計(jì)方案

本文提出一個(gè)基于FPGA的SPI Flash讀寫(xiě)硬件實(shí)現(xiàn)方案，該方案利用硬件對(duì)SPI Flash進(jìn)行控制，能夠非常方便地完成Flash的讀寫(xiě)、擦除、刷新及預(yù)充電等操作，同時(shí)編寫(xiě)的SPI Flash控制器IP核能夠進(jìn)行移植和復(fù)用，作為SOC芯片的功能模塊。
關(guān)鍵字： FPGA Flash SOC CPU VHDL

基于FPGA的速率自適應(yīng)圖像抽取算法

載荷圖像可視化是深空探測(cè)任務(wù)中的重要需求，但受信道帶寬的限制，無(wú)法實(shí)時(shí)傳輸所有載荷數(shù)據(jù)，因此星載復(fù)接存儲(chǔ)器中圖像的抽取下傳是實(shí)現(xiàn)任務(wù)可視化的關(guān)鍵。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 FPGA 載荷圖像 VCDU FLASH

基于SPI FLASH的FPGA多重配置

通過(guò)FPGA的多重配置可以有效地精簡(jiǎn)控制結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，同時(shí)可以用邏輯資源較少的FPGA器件實(shí)現(xiàn)需要很大資源才能實(shí)現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開(kāi)發(fā)板和配置存儲(chǔ)器SPI FLASH為基礎(chǔ)，從硬件電路和軟件設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對(duì)多重配置進(jìn)行分析，給出了多重配置實(shí)現(xiàn)的具體步驟，對(duì)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜硬件設(shè)計(jì)工程有一定的參考價(jià)值。
關(guān)鍵字： FPGA Virtex5 FLASH ICAP IPROG 寄存器

布局存儲(chǔ)器封測(cè) 臺(tái)廠競(jìng)爭(zhēng)卡位

　　存儲(chǔ)器大廠美光擴(kuò)大委外封裝合作，東芝新廠可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺(tái)廠積極布局，今年存儲(chǔ)器封測(cè)競(jìng)爭(zhēng)卡位，勢(shì)必激烈。　　展望今年，國(guó)際存儲(chǔ)器大廠集中資源開(kāi)發(fā)前端制程，包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和快閃存儲(chǔ)器(Flash)后段封測(cè)可能擴(kuò)大委外，封測(cè)臺(tái)廠考量自身發(fā)展，積極與國(guó)際大廠洽商合作。　　美光(Micron)去年以20億美元買(mǎi)下日本存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。　　為進(jìn)一步集成DRAM封測(cè)業(yè)務(wù)，去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測(cè)
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND

提高M(jìn)SP430G單片機(jī)的Flash擦寫(xiě)壽命的方法

在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒(méi)有集 ...
關(guān)鍵字： MSP430G 單片機(jī) Flash 擦寫(xiě)壽命

武漢新芯：定位存儲(chǔ)器制造，兩年后或推3D NAND

武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起獨(dú)立經(jīng)營(yíng)，是國(guó)有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國(guó)際)和華力微電子(HLMC)等，XMC將立足存儲(chǔ)器制造。近日，武漢新芯董事長(zhǎng)王繼增告訴筆者。
關(guān)鍵字： XMC 存儲(chǔ)器 NOR NAND 201401

單片機(jī)高手是怎樣煉成的

近來(lái)在論壇總是見(jiàn)到一些菜鳥(niǎo)們?cè)诖蠼校骸拔蚁雽W(xué)單片機(jī)”，“我要學(xué)單片機(jī)”，“如何入門(mén)啊?”，“你們?cè)趺催@么厲害，是怎樣學(xué)的??”等等等等一系列的問(wèn)題，實(shí)在是看多了也感到煩了，今天，就由我電子白菜厚著面皮，頂著無(wú)數(shù)老蝦的磚頭，在這里寫(xiě)上一篇單片機(jī)學(xué)習(xí)心得，讓菜鳥(niǎo)們勇敢地跨出第一步。
關(guān)鍵字：單片機(jī) LED LCD FLASH USB