nand 文章進入nand技術(shù)社區(qū)

“BIWIN首屆Nand Flash應(yīng)用高峰論壇”側(cè)記

2012年，隨著智能手機、平板電腦、Ultrabook的井噴式爆發(fā)，有一種半導(dǎo)體器件會受到產(chǎn)業(yè)的萬眾矚目----這就是Nand Flash，Gartner預(yù)估今年NAND Flash市場增長18%! 年初以來，NAND Flash大廠英特爾、東芝、海力士、三星、美光等均有擴增新產(chǎn)能計劃，各大廠工藝紛紛轉(zhuǎn)向20nm，三星西安建廠發(fā)力10nm Nand Flash!可以說，一場圍繞Nand Flash應(yīng)用的存儲大變革正在進行，Nand Flash應(yīng)用變革給本土業(yè)者帶來哪些機遇?智能手機、平板電腦供應(yīng)商如何看待
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東芝將新建NAND閃存芯片工廠

北京時間4月4日下午消息，據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報道，由于移動設(shè)備的需求持續(xù)增加，東芝最早計劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。
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NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析

什么是SLC？SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲存。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。SLC技術(shù)特點是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數(shù)據(jù)時通過對浮置閘極的電荷加電壓，
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淡季效應(yīng)持續(xù)發(fā)酵 NANDFlash合約價下跌

　　根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，受第一季淡季效應(yīng)的影響，零售市場的記憶卡與隨身碟需求持續(xù)疲軟，再加上OEM客戶的新機種上市時間點，最快也會落于2Q12，使得NANDFlash下游客戶端皆持續(xù)采取保守的庫存策略，以降低營運風(fēng)險。在買方購買意愿不強的情況下，賣方過去采取的降價促銷策略效果有限，價格若繼續(xù)下跌，恐將侵蝕自身的獲利水平，使得部分賣方降價意愿已大幅降低。上述因素乃是造成3月下旬NANDFlash合約價呈現(xiàn)微幅走跌的原因。集邦科技表示，2012年上半
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盡管UFS出現(xiàn)，但eMMC NAND閃存仍然具有活力

　　雖然符合新的通用閃存卡(UFS)規(guī)范的產(chǎn)品出現(xiàn)，2013年將在移動NAND閃存市場引發(fā)新的技術(shù)競爭，但較舊的嵌入多媒體存儲卡(eMMC)標(biāo)準(zhǔn)在許多手機和平板電腦中仍將保持統(tǒng)治地位，屆時出貨量將強勁增長37%。　　據(jù)IHS iSuppli公司的移動與嵌入存儲市場簡報，2013年eMMC解決方案的出貨量預(yù)計達到7.111億個，高于2012年的5.203億個。　　尚沒有關(guān)于UFS的預(yù)測，但eMMC憑借其增強的安全性與出色性能，預(yù)計繼續(xù)強勁增長，這種勢頭至少能保持到2015年，屆時在手機和其它消費電子
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存儲技術(shù)變局為中國制造帶來了什么機遇？

縱觀半導(dǎo)體發(fā)展歷史，一種新興技術(shù)的出現(xiàn)，影響的不只是個別公司的興衰，更是推動了某個產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型，新技術(shù)是變革者趕超傳統(tǒng)技術(shù)列強的利器，也是產(chǎn)業(yè)升級的動力源，當(dāng)年的光盤存儲技術(shù)興起，就帶動了中國整體光盤機產(chǎn)業(yè)，現(xiàn)在，我們又將迎來新一輪的存儲技術(shù)變局---以NAND FLASH為代表的半導(dǎo)體存儲技術(shù)會給我們的本土企業(yè)帶來了什么機遇?這里結(jié)合自己的體會聊做分析。
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TDK開發(fā)eSSD系列 NAND閃存和閃存控制器一體化

　　TDK株式會社成功開發(fā)出Single Chip固態(tài)硬盤eSSD系列，并從4月起開始銷售。eSSD系列是通過多芯片封裝技術(shù)(MCP)、把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型閃存一芯化的Serial ATA(SATA) 3Gbps SSD。　　該產(chǎn)品在尺寸僅為17mm×17mm的208-ball BGA封裝(球柵陣列封裝)面積上實現(xiàn)了1GByte~4GByte的閃存容量，與將閃存和SSD控制器分別進行安裝的情況相比，不僅可以縮小基板的尺寸，而且還可以降低安裝成本。因此，
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NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

　　日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長。　　受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
關(guān)鍵字： NAND 晶圓

NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

　　日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長。　　受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
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2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%

　　據(jù)IHS iSuppli公司的移動市場存儲報告，由于經(jīng)濟形勢糟糕和泰國洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量下降，2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入環(huán)比下降9%。　　2011年第四季度NOR閃存營業(yè)收入從第三季度的10.5億美元降至9.53億美元。第二季度NOR營業(yè)收入略有增長，從11.6億美元上升到11.7億美元，如圖2所示。　　第四季度NOR營業(yè)收入下降的主要原因，是10月泰國發(fā)生洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量減少。洪水破壞了泰國的硬盤工廠，造成硬盤短缺，導(dǎo)致PC銷量下降。NOR營業(yè)收入減少的其它原因包括：在全球經(jīng)濟黯
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蘋果轉(zhuǎn)單海力士　三星NAND營收比重略減

　　市場研究機構(gòu)DIGITIMESResearch專桉經(jīng)理徐康沛分析指出，全球最大記憶體製造商三星電子(SamsungElectronics)受主要客戶蘋果(Apple)將NANDFlash大部分訂單轉(zhuǎn)予海力士(Hynix)的影響，2011年第四季NANDFlash營收較前季約減少5%，DRAM營收則微增，使NANDFlash佔該公司記憶體營收比重降至38%，佔全球NANDFlash營收比重亦續(xù)降至34.6%。　　反觀海力士，其NANDFlash佔公司營收比重則維持在30%，佔全球NANDFlash營
關(guān)鍵字：三星 NAND

利用NAND Flash實現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠程更新

利用NAND Flash實現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠程更新,引言
嵌入式系統(tǒng)在各個領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)的維護與升級也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高，開發(fā)者必須能夠針對系統(tǒng)進行升級和維護，以延長系統(tǒng)的使用周期，
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 遠程更新嵌入式實現(xiàn) NAND Flash 利用

固態(tài)硬盤每GB容量價格將跌破1美元

　　1GB 1美元——這很久以來就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻，而根據(jù)DRAMeXchange的最新報告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的價格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn)，閃存芯片的成本也會進一步降低，每 GB將會不足1美元。DRAMeXchange預(yù)計，在那之后超極本、超輕薄本都會從混合硬盤過渡到純粹的固態(tài)硬盤，而后者的主流容量也將升至 128GB。　　隨著Intel Ivy Bridge處
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NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計

NAND閃存存儲器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計,閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
關(guān)鍵字：閃存設(shè)計映射存儲器 NAND 適應(yīng)

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn)

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲管理在TMS320F28x中的實現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
關(guān)鍵字：存儲管理 TMS320F28x 實現(xiàn) Flash Nand 磨損均衡思想

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]