nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

東芝將量產(chǎn)19nm工藝64Gbit NAND

　　東芝宣布其開發(fā)出了“全球首款”(該公司)采用19nm工藝的64Gbit NAND型閃存。將從2011年4月底開始樣品供貨，2011年第三季度(2011年7～9月)開始量產(chǎn)。此次開發(fā)的64Gbit NAND芯片是2bit/單元產(chǎn)品，還計劃推出3bit/單元產(chǎn)品和1bit/單元產(chǎn)品。不過，這些產(chǎn)品的上市時間目前“尚未確定”(東芝)。　
關(guān)鍵字：東芝 NAND

NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析,　本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片，設(shè)計了一種在NFTL上實現(xiàn)壞塊管理并且實現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)讀取的方法。
關(guān)鍵字：結(jié)構(gòu) 分析系統(tǒng) 存儲 Flash 嵌入式 NAND

東芝Sandisk搭檔組推出19nm制程N(yùn)AND閃存芯片

　　上周，Intel和鎂光發(fā)表聯(lián)合聲明，正式推出采用20nm制程技術(shù)制造的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并稱這款產(chǎn)品將于年內(nèi)在IMFT屬下的工廠開始生產(chǎn)。不過兩家的頭名板凳還沒有坐熱，本周Sandisk和東芝組成的搭檔組合便重新奪回了NAND閃存制程技術(shù)的寶座，他們宣稱已經(jīng)制造出了采用19nm制程技術(shù)的NAND閃存芯片，目前這兩家公司在日本設(shè)有一家合資芯片制造公司?！?/li>
關(guān)鍵字：東芝 NAND

NAND閃存芯片價格創(chuàng)7個月來新高

　　據(jù)國外媒體報道，據(jù)臺灣集邦科技 (dramexchange technology inc)周一發(fā)表的行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存芯片價格在4月份的上半個月創(chuàng)7個月的新高，反應(yīng)了在上個月日本發(fā)生嚴(yán)重的地震中斷了供應(yīng)鏈之后其它存儲芯片價格的情況。　　
關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片

IM Flash向客戶送樣最新20納米制程8GB NAND

　　據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo)指出，由英特爾(Intel)和美光(Micron)出資各半成立的快閃存儲器合資公司IM Flash，日前領(lǐng)先業(yè)界率先推出最新20納米制程快閃存儲器，這也使得智能型手機(jī)和平板計算機(jī)里的儲存裝置可以進(jìn)一步縮小。　　
關(guān)鍵字： Micron NAND

英特爾和美光IM 廠合約將盡

　　英特爾(Intel)和美光(Micron)在2005年底攜手搶進(jìn)NAND Flash領(lǐng)域且成立合資公司IM Flash Technologies(IMFT)至今，傳出5年合約已屆期滿，將于近日宣布最新的合作方向;由于2010年底美光獨(dú)自啟動新加坡廠IM Flash Technologies Singapore(IMFS)的裝機(jī)和投資，英特爾并未表態(tài)加入，引發(fā)外界對雙方合作關(guān)系，以及英特爾是否持續(xù)投資NAND Flash領(lǐng)域的質(zhì)疑，預(yù)計雙方將對外宣布最新的合作動態(tài)?！　?/li>
關(guān)鍵字：英特爾 NAND

Intel與鎂光將就NAND業(yè)務(wù)合作作重要宣布

　　Intel與鎂光公司本周四將對NAND業(yè)務(wù)合作事宜作重要宣布，不過兩家公司并沒有透露這次宣布的詳細(xì)內(nèi)容是什么。據(jù)Web-Feet Research市調(diào)公司的CEO Alan Niebel分析：“我認(rèn)為他們這次可能會宣布終止雙方的合資公司IMFT在新加坡設(shè)立的閃存芯片廠項目上的合作。這間工廠目前正計劃開始投產(chǎn)25nm制程N(yùn)AND閃存芯片，并隨后轉(zhuǎn)向20nm制程技術(shù)?！? 　　
關(guān)鍵字： Intel NAND

海力士背負(fù)54.46億美元債務(wù)

　　2001年海力士(Hynix)受景氣波及，遭債權(quán)銀行團(tuán)接手并進(jìn)行債務(wù)重整，時隔10年，海力士已成為全球第2大計算機(jī)內(nèi)存芯片供貨商。即使如此，海力士仍背負(fù)5.9兆韓元(約54.46億美元)債務(wù)，該公司現(xiàn)任執(zhí)行長權(quán)五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times訪問時，目前海力士首要目標(biāo)是盡力還款，并同時確保有足夠資金擴(kuò)產(chǎn)以及研發(fā)新技術(shù)?！?/li>
關(guān)鍵字：海力士內(nèi)存芯片 NAND

支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器設(shè)計

摘要：先對ONFI標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行了介紹，然后再設(shè)計了一種支持ONFI2．1標(biāo)準(zhǔn)源同步高速模式的NAND Flash控制器，包括狀態(tài)機(jī)的設(shè)計，接口的設(shè)計等。對設(shè)計中遇到的源同步模式下，信號的對齊問題進(jìn)行了說明，并提出了一種解決方
關(guān)鍵字： Flash 控制器設(shè)計 NAND 模式 ONFI 同步支持

iSuppli上調(diào)今年全球半導(dǎo)體營收

　　市場研究機(jī)構(gòu)IHS公司iSuppli公司上調(diào)了對今年全球半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測，較原本預(yù)期調(diào)高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導(dǎo)體供應(yīng)短缺，刺激存儲芯片價格上漲。　　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 DRAM NAND

溫州人開始炒電子元器件了

　　《左手猶太人右手溫州人》書里這樣描述溫州人，“天生商人”。日本地震后，溫州人又發(fā)現(xiàn)了商機(jī)。溫州人白先生(化名)說：“現(xiàn)在好多人都在囤電子配件和鋼材等商品，因為大家都在猜測過段時間日本的進(jìn)口稅率會下調(diào)?！? 　　
關(guān)鍵字：電子配件 NAND

海力士看好存儲器價格反彈

　　韓國存儲器大廠海力士(Hynix)對DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市，發(fā)表脫離谷底的看法，對于臺系DRAM廠而言，可望注入強(qiáng)心針。在硅晶圓部分，海力士與臺廠目前都有1~2個月不等庫存，短期仍可支應(yīng)生產(chǎn)，但中長線來看，日本地震造成硅晶圓短缺問題仍待厘清，目前市場買盤多是邊走邊看，沒有一窩蜂搶貨，但也會擔(dān)心日后供給吃緊造成漲價問題。　　
關(guān)鍵字： Hynix DRAM NAND Flash

NAND Flash優(yōu)先供應(yīng)一線廠　二線平板計算機(jī)廠5月恐?jǐn)嘭?/a>

　　硅晶圓斷料陰影籠罩半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，原本要展翅高飛的平板計算機(jī)、智能型手機(jī)等應(yīng)用，現(xiàn)在都要看NAND Flash芯片后續(xù)供應(yīng)情況，存儲器業(yè)者指出，雖然3、4月供貨沒問題，但5月之后若因硅晶圓不足而造成供給吃緊，蘋果(Apple)等一線大廠會是優(yōu)先供貨對象，iPad-like陣營恐面臨斷貨危機(jī)。　　盡管NAND Flash大廠東芝(Toshiba)12寸晶圓廠不在日本強(qiáng)震震央，但上游材料如硅晶圓、光阻劑、化學(xué)研磨液、鈀材、氮?dú)獾?，紛因地震而面臨供應(yīng)商停工窘境，不僅業(yè)者始料未及，亦讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)

關(guān)鍵字：硅晶圓 NAND

日本強(qiáng)震影響蘋果公司股價

　　據(jù)經(jīng)濟(jì)之聲報道，蘋果公司這幾天股價連續(xù)大幅下滑，市值損失接近220億美元。周五的股市交易中，蘋果股價再一次小幅下挫。分析人士指出，在很多外在不確定因素的影響下，股價短期震蕩在所難免，日本地震對蘋果股價也有一定的影響。　　
關(guān)鍵字：蘋果 NAND

日本地震電子供應(yīng)鏈修復(fù)至少4月以上

　　針對日本強(qiáng)震對電子供應(yīng)鏈的影響，美銀美林證券全球半導(dǎo)體研究部主管何浩銘(Daniel Heyler)昨天表示，由于BT樹脂兩大供貨商三菱瓦斯與日立化成現(xiàn)在已停止接單，而兩家占BT樹脂供給量的九成，使得基板供給影響比想象嚴(yán)重，目前預(yù)估這次震災(zāi)對NAND、LCD面板、太陽能等供給的影響分別為40%、10%、20%，預(yù)期這次電子供應(yīng)鏈修復(fù)期至少4-6個月。　
關(guān)鍵字： NAND 基板

共1110條 47/74 |‹ « 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 » ›|

nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]