nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

2011年手機(jī)將消耗NAND Flash總量的40%

　　集邦科技表示，由于2010年第二季受到歐洲債信風(fēng)暴影響、終端需求疲軟以及庫(kù)存水位偏高，下半年各項(xiàng)信息與消費(fèi)型電子的出貨均大幅下修，然而第二季各手機(jī)廠商有效去化庫(kù)存以及智能手機(jī)成長(zhǎng)力道強(qiáng)勁的情況下，下半年手機(jī)成長(zhǎng)幅度將領(lǐng)先各項(xiàng)電子產(chǎn)品。也由于智能手機(jī)的熱賣(mài)，帶動(dòng)了相關(guān) NAND Flash 應(yīng)用如 MCP 與內(nèi)建式的 eMMC 、 POP 等產(chǎn)品的成長(zhǎng)。　　蘋(píng)果(Apple)推出 iPhone 4 帶動(dòng)其它智能手機(jī)的熱賣(mài)，集邦科技預(yù)估，2010年手機(jī)出貨量將較2009年成長(zhǎng)13%，達(dá)到13億支的
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蘋(píng)果效應(yīng)不再 NAND閃存價(jià)格持續(xù)下滑

　　臺(tái)灣媒體報(bào)道，來(lái)自存儲(chǔ)芯片制造商的消息稱(chēng)，盡管蘋(píng)果的iPhone和iPad銷(xiāo)售火爆，但也難阻主流MLC NAND閃存芯片期貨價(jià)格在9月份上半月的下滑。　　蘋(píng)果為其iPhone和iPad放出了大量閃存芯片訂單，但即便是這樣也很難推動(dòng)NAND閃存價(jià)格的上漲，這倒是違背了此前出現(xiàn)的蘋(píng)果與NAND閃存之間的緊密聯(lián)系效應(yīng)。之前蘋(píng)果產(chǎn)品的熱銷(xiāo)往往會(huì)導(dǎo)致NAND閃存市場(chǎng)的供不應(yīng)求。　　然而現(xiàn)實(shí)是，目前各個(gè)渠道的閃存芯片需求依舊微弱，學(xué)生返校季和即將到來(lái)的內(nèi)地十一黃金周也很難讓閃存價(jià)格反彈。　　更有悲觀的
關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片

基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用,　目前，針對(duì)NOR Flash設(shè)計(jì)的文件系統(tǒng)JFFS/JFFS2在嵌入式系統(tǒng)中已得到廣泛的應(yīng)用;隨著NAND作為大容量存儲(chǔ)介質(zhì)的普及，基于NAND閃存的文件系統(tǒng)YAFFS(Yet Another Flash File System)正逐漸被應(yīng)用到嵌入式系統(tǒng)中?！　?/li>
關(guān)鍵字：系統(tǒng) YAFFS 應(yīng)用嵌入式文件 NAND 閃存基于

Gartner上調(diào)全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)期至3000億

　　Gartner現(xiàn)在預(yù)計(jì)今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收將達(dá)到3000億美元，比去年增長(zhǎng)31.5%。它之前預(yù)計(jì)今年半導(dǎo)體營(yíng)收的增幅只有27.1%。包括手機(jī)和筆記本電腦在內(nèi)的消費(fèi)者電子產(chǎn)品在半導(dǎo)體銷(xiāo)售中占大多數(shù)份額。手機(jī)出貨量持續(xù)增長(zhǎng)將推動(dòng)半導(dǎo)體營(yíng)收的增長(zhǎng)，而電腦出貨量增長(zhǎng)速度的減慢將被平板電腦銷(xiāo)售的增長(zhǎng)所抵消。　　Gartner表示，盡管個(gè)人電腦銷(xiāo)售速度減慢，但今年NAND閃存和DRAM的營(yíng)收仍將增長(zhǎng)。DRAM營(yíng)收今年將增長(zhǎng)82.5%，幾乎達(dá)到420億美元，但它可能會(huì)從明年下半年開(kāi)始減慢增長(zhǎng)速度。Gartner預(yù)
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 DRAM NAND

NAND Flash跌價(jià)深　上游大廠開(kāi)始對(duì)模塊廠讓步

　　NAND Flash價(jià)格經(jīng)歷一段大修正后，原本對(duì)于價(jià)格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對(duì)庫(kù)存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開(kāi)始松動(dòng)，部分模塊廠開(kāi)始回補(bǔ)一些庫(kù)存，不過(guò)，全球兩大NAND Flash陣營(yíng)三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因?yàn)橛刑O(píng)果(Apple)訂單的撐腰，對(duì)于價(jià)格仍是相當(dāng)強(qiáng)硬，顯示蘋(píng)果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補(bǔ)丸。　　近期NAND Flash價(jià)格修正頗深，除了歐洲和美國(guó)市場(chǎng)需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
關(guān)鍵字：三星電子 NAND Flash

爾必達(dá)已與Spansion開(kāi)發(fā)出4G NAND閃存

　　爾必達(dá)內(nèi)存公司(Elpida Memory Inc.)9月2日表示，該公司與Spansion公司(Spansion Inc.)已開(kāi)發(fā)出一款新閃存芯片，擁有比現(xiàn)有芯片更為簡(jiǎn)單的信元結(jié)構(gòu)，該公司計(jì)劃于2011年開(kāi)始在其日本西部的工廠批量生產(chǎn)該芯片。　　這家日本芯片制造商表示，該公司采用了所謂的電荷擷取(charge trap)技術(shù)來(lái)開(kāi)發(fā)這個(gè)4G的NAND閃存芯片，該芯片的信元結(jié)構(gòu)不同于現(xiàn)有的以傳統(tǒng)浮動(dòng)?xùn)?floating gate)技術(shù)制造的NAND閃存芯片。該公司表示，這項(xiàng)新技術(shù)可幫助生產(chǎn)較目前市場(chǎng)
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分析稱(chēng)三星或超英特爾成為第一大芯片廠商

　　市場(chǎng)研究公司IC Insights日前預(yù)計(jì)，三星的芯片銷(xiāo)售額或?qū)⒃?014年超越英特爾。　　基于廣泛的芯片產(chǎn)品及擴(kuò)張計(jì)劃，三星的芯片營(yíng)收將很快超過(guò)英特爾，成為第一大芯片廠商。IC Insights認(rèn)為，在5到10年前，三星芯片營(yíng)收將趕超英特爾的想法簡(jiǎn)直就是天方夜譚，但從1999年到2009年，三星IC營(yíng)收以13.5%年復(fù)合增長(zhǎng)率(compound annual growth rate)的速度增長(zhǎng)，而英特爾同期的年復(fù)合增長(zhǎng)率僅為3.4%?；诖嗽鲩L(zhǎng)速率，IC Insights預(yù)計(jì)，三星的芯片銷(xiāo)售額
關(guān)鍵字：三星芯片 DRAM NAND

Intel鎂光生產(chǎn)出25nm 64Gb密度3位元NAND閃存芯片

　　Intel與鎂光公司已經(jīng)成功生產(chǎn)出基于25nm制程技術(shù)的3位元型NAND閃存芯片產(chǎn)品，目前他們已經(jīng)將有關(guān)的產(chǎn)品樣品送往部分客戶(hù)手中進(jìn)行評(píng)估，預(yù)計(jì)這款NAND閃存芯片將于今年年底前開(kāi)始量產(chǎn)。這款25nm NAND閃存芯片的存儲(chǔ)密度為64Gb，為三位元型閃存。　　這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型設(shè)計(jì)，一個(gè)存儲(chǔ)單元可存儲(chǔ)3位數(shù)據(jù)，比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲(chǔ)量更大。　　這款產(chǎn)品的面積要比現(xiàn)有Intel與鎂光公司推
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英特爾和Micron稱(chēng)下一代25納米NAND取得突破

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾和Micron已經(jīng)開(kāi)始發(fā)布下一代25納米NAND存儲(chǔ)芯片，為達(dá)到最高效率，該芯片使用了三層存儲(chǔ)單元技術(shù)。　　首款8GB和64GB芯片正在向選定的客戶(hù)發(fā)售，用于SD卡存儲(chǔ)設(shè)備。該芯片在每個(gè)存儲(chǔ)單元中保存三位信息，而非像傳統(tǒng)芯片那樣保存一到兩位信息，英特爾宣稱(chēng)，這種芯片是目前市場(chǎng)上最有效率的。　　英特爾副總裁及NAND開(kāi)發(fā)組主管Tom Rampone聲稱(chēng)25納米已經(jīng)是業(yè)界最小的尺寸，在開(kāi)發(fā)完成25納米程度的三層存儲(chǔ)單元之后，公司還將繼續(xù)為用戶(hù)探索和發(fā)展更高級(jí)的產(chǎn)品。公司計(jì)劃利
關(guān)鍵字：英特爾 NAND 存儲(chǔ)芯片

iSuppli:閃存價(jià)格可能會(huì)跌到1美元/GB

　　iSuppli今天警告稱(chēng)閃存價(jià)格可能崩潰性地調(diào)整到1美元/GB，這是因?yàn)橛糜陂W存產(chǎn)品的NAND記憶體價(jià)格今年開(kāi)始沖高回落，并且技術(shù)的演變讓內(nèi)存單元的價(jià)位開(kāi)始雪崩。　　由于下降的價(jià)格，目前看上去過(guò)于昂貴的SSD將在兩年時(shí)間內(nèi)開(kāi)始成為主流，而成本低得多的硬盤(pán)處理器則開(kāi)始在高端市場(chǎng)被SSD擠占。　　此外，快閃記憶體價(jià)格的總體下降對(duì)于各種手持設(shè)備是一個(gè)極大的利好消息，各種手機(jī)、智能本廠商將會(huì)帶來(lái)更加豐厚的利潤(rùn)空間，乃至最后降低產(chǎn)品售價(jià)。
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英特爾美光公布存儲(chǔ)密度更高的新型閃存芯片

　　英特爾和美光當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二公布了存儲(chǔ)密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲(chǔ)芯片所占空間，還能增加消費(fèi)電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)容量。　　新NAND芯片每個(gè)存儲(chǔ)單元可以存儲(chǔ)3位信息，存儲(chǔ)容量高達(dá)64G位(相當(dāng)于8GB)。英特爾和美光稱(chēng)這是它們迄今為止尺寸最小的NAND閃存芯片。　　兩家公司稱(chēng)，使用NAND閃存的數(shù)碼相機(jī)和便攜式媒體播放器等產(chǎn)品的尺寸越來(lái)越小。新型芯片還有助于降低制造成本。　　兩家公司已經(jīng)向客戶(hù)發(fā)送樣品，預(yù)計(jì)將于今年底投入量產(chǎn)。新型NAND閃存芯片將采用 25納米工藝生產(chǎn)。與每單
關(guān)鍵字：英特爾 NAND 閃存芯片

NAND Flash市況兩極　靜待8月底補(bǔ)貨潮

　　2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價(jià)卻還是跌不停，存儲(chǔ)器業(yè)者表示，蘋(píng)果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強(qiáng)勁，但零售市場(chǎng)買(mǎi)氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平均合約價(jià)給拉下來(lái)，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應(yīng)蘋(píng)果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫(kù)存水位較高，但又不愿降價(jià)，與模塊廠陷入僵局。　　近期大陸因?yàn)閬嗊\(yùn)因素，
關(guān)鍵字： Apple NAND Flash

海力士開(kāi)始26nm的NAND閃存量產(chǎn)

　　韓國(guó)海力士聲稱(chēng)，在其M11的300毫米生產(chǎn)線上開(kāi)始利用20納米技術(shù)進(jìn)行64Gb的NAND閃存量產(chǎn)。　　該公司在2月時(shí)曾報(bào)道擬進(jìn)行20納米級(jí)的64Gb的NAND生產(chǎn)，采用現(xiàn)有的32Gb產(chǎn)品進(jìn)行疊層封裝完成。　　海力士稱(chēng)它的芯片是26nm的一種，有人稱(chēng)20nm級(jí)產(chǎn)品。三星是27nm的NAND閃存，IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
關(guān)鍵字：海力士 20納米 NAND

第二季DRAM與NAND市場(chǎng)狀況及廠營(yíng)收排行

　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange的調(diào)查，今年第二季營(yíng)收在DRAM合約價(jià)格穩(wěn)定上揚(yáng)及產(chǎn)出持續(xù)增加下，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營(yíng)收數(shù)字達(dá)107億美元(10.70 Billion USD)，較首季的93億美元(9.29 Billion USD)，成長(zhǎng)約15%。在 NAND Flash 部分，品牌廠商第二季整體營(yíng)收為47億7,600萬(wàn)美元，較首季43億6,300萬(wàn)美元成長(zhǎng)約9.5%。　　三星第二季營(yíng)收仍居全球DRAM廠之冠　　從市場(chǎng)面觀察，由于第二季 DRAM 合
關(guān)鍵字： DRAM NAND

Hynix公司宣稱(chēng)已開(kāi)始量產(chǎn)20nm制程級(jí)別64Gb存儲(chǔ)密度NAND閃存

　　南韓內(nèi)存廠商Hynix公司日前宣布已開(kāi)始量產(chǎn)20nm制程級(jí)別64Gb NAND閃存芯片，這款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工廠生產(chǎn)的。Hynix公司表示，升級(jí)為2xnm制程節(jié)點(diǎn)后，芯片的生產(chǎn)率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手機(jī)，SSD 硬盤(pán)等的NAND閃存容量則將大有增長(zhǎng)。 ? 　　Hynix Cheong-ju M11工廠　　Hynix公司稱(chēng)首款基于2xnm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品將于今年年底上市銷(xiāo)售。Hynix公司雖然不是I
關(guān)鍵字： Hynix NAND 20nm

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以?xún)?chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱(chēng)為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類(lèi)似DRAM，以?xún)?chǔ)存程序代碼為主，又稱(chēng)為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫(xiě)速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]