nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

力晶聚焦NAND Flash　挑戰(zhàn)20納米

　　近期臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟(jì)部補(bǔ)助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場(chǎng)，3方人馬點(diǎn)燃臺(tái)灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長(zhǎng)黃崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash產(chǎn)業(yè)6年來(lái)投入新臺(tái)幣70億元，是臺(tái)灣血統(tǒng)最純正技術(shù)，目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國(guó)際大廠仍晚1個(gè)世代，但若未來(lái)成功走向20納米制程，對(duì)臺(tái)灣NAND Flash研發(fā)是很大突破。　　事實(shí)上，力晶NAND Flash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renes
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NAND閃存芯片價(jià)格三季度將上漲

　　據(jù)iSuppli稱，隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。　　iSuppli高級(jí)半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說(shuō)，當(dāng)市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候，平均銷售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)和視頻攝像機(jī)等電子產(chǎn)品存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。　　今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價(jià)格出現(xiàn)下降的趨勢(shì)。但是，智能手機(jī)等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機(jī)等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲(chǔ)需求。　　廠商產(chǎn)量不會(huì)由于超過(guò)了需求而進(jìn)行限制。但是，供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵
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因供不應(yīng)求 NAND 閃存芯片價(jià)格三季度將上漲

　　據(jù)iSuppli稱，隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。　　iSuppli高級(jí)半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說(shuō)，當(dāng)市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候，平均銷售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)和視頻攝像機(jī)等電子產(chǎn)品存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價(jià)格出現(xiàn)下降的趨勢(shì)。但是，智能手機(jī)等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機(jī)等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲(chǔ)需求。　　廠商產(chǎn)量不會(huì)由于超過(guò)了需求而進(jìn)行限制。但是，供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵的合作
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三星電子擬向其美國(guó)芯片生產(chǎn)廠投入36億美元

　　6月10日消息，據(jù)路透社報(bào)道，全球最大的記憶體芯片生產(chǎn)商韓國(guó)三星電子周四表示，計(jì)劃投資36億美元，擴(kuò)大其在美國(guó)的芯片生產(chǎn)能力。　　三星電子的海外唯一一家芯片廠就設(shè)在美國(guó)得克薩斯州的奧斯汀，此次產(chǎn)能擴(kuò)增主要是針對(duì)生產(chǎn)大型積體電路(LSI)芯片的設(shè)備。　　奧斯汀工廠主要生產(chǎn)用于手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)的NAND型閃存芯片。三星電子在聲明中稱，工廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃還包括增聘500名員工。
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10個(gè)理由看好或看衰半導(dǎo)體業(yè)

　　至此，對(duì)于今年全球電子工業(yè)的看法是樂觀的，而且是有相當(dāng)大的增長(zhǎng)。　　但是作為一個(gè)編輯者仍有些擔(dān)憂，以下是對(duì)于2010年有10個(gè)理由來(lái)看好或者是看衰半導(dǎo)體業(yè)。　　1. IC熱，然后冷　　Gartner分析師Bryan Lewis及Peter Middleleton表示，2010年全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)2900億美元，與2009年銷售額2280億美元相比增長(zhǎng)27.1%。與Gartner之前在第一季度的預(yù)測(cè)，2010年增長(zhǎng)19.9%相比有明顯提高。　　芯片銷售額的增長(zhǎng)明顯超過(guò)系統(tǒng)產(chǎn)品銷售額的增
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存儲(chǔ)器市場(chǎng)高漲 20大IC供應(yīng)商重排座次

　　按IC Insight報(bào)告，在DRAM 及NAND市場(chǎng)高漲下，導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。　　IC Insight的McLean的5月最新報(bào)告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲(chǔ)器廠，它們的排名至少前進(jìn)了一位，其中 Elpida前進(jìn)了6位，列于第10。　　同時(shí)列于第2的三星電子，估計(jì)2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙，IC銷售額增長(zhǎng)達(dá)50%以上。　　三星在本月初時(shí)，它將擴(kuò)大今年半導(dǎo)體的投資達(dá)96億美元，也即表示
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金士頓創(chuàng)辦人稱：看好DRAM下半年銷售

　　6月3日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，全球DRAM模組龍頭美國(guó)金士頓創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)昨天在臺(tái)表示，DRAM廠的制程轉(zhuǎn)換技術(shù)門檻不低，再加上智能手機(jī)等新的應(yīng)用產(chǎn)品，帶動(dòng)DRAM需求，他認(rèn)為下半年的DRAM市況應(yīng)該會(huì)好。　　孫大衛(wèi)表示，DRAM制造廠越來(lái)越少，各大廠多進(jìn)入制程轉(zhuǎn)換的階段，總產(chǎn)出量恐比實(shí)際預(yù)期要低。而在智能手機(jī)、3D電視等多元化的新應(yīng)用產(chǎn)品紛紛出線下，下半年的DRAM供需不僅趨于平衡，甚至可能出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。　　南韓三星電子大舉提高資本支出的計(jì)劃，讓臺(tái)系廠商非常緊張。孫大衛(wèi)則認(rèn)為，目前全球的
關(guān)鍵字： DRAM NAND 智能手機(jī)

NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì),閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的閃存芯片。一個(gè)NAND類型的閃存芯片的存儲(chǔ)空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個(gè)塊又劃分為固定大小的頁(yè)，塊是擦
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存儲(chǔ)器市場(chǎng)高漲引發(fā)全球前20大IC供應(yīng)商排名大變

　　按IC Insight報(bào)告，在DRAM 及NAND市場(chǎng)高漲下，導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。　　IC Insight的McLean的5月最新報(bào)告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲(chǔ)器廠，它們的排名至少前進(jìn)了一位，其中 Elpida前進(jìn)了6位，列于第10。　　同時(shí)列于第2的三星電子，估計(jì)2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙，IC銷售額增長(zhǎng)達(dá)50%以上。　　三星在本月初時(shí)，它將擴(kuò)大今年半導(dǎo)體的投資達(dá)96億美元，也即表示
關(guān)鍵字： Hynix 存儲(chǔ)器 DRAM NAND

南北韓戰(zhàn)事升溫　三星命懸一線

　　才剛對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics)，再度因南北韓政治對(duì)立情勢(shì)升溫，戰(zhàn)事恐一觸即發(fā)，而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點(diǎn)。業(yè)界聚焦重點(diǎn)放在DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)，三星在此兩大產(chǎn)業(yè)中，DRAM市占率分別超過(guò)30%，NAND Flash市占率逼近40%，未來(lái)南北韓關(guān)系若持續(xù)緊繃，甚至有戰(zhàn)事發(fā)生，將使得全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)和消費(fèi)性電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈造成巨大變化。　　全球DRAM和NAND Flash生產(chǎn)大廠：三星　　根據(jù)DIGITIMES
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三星的行動(dòng)讓業(yè)界生畏

　　三星在DRAM及NAND中稱霸，年產(chǎn)值達(dá)200億美元。然而近期的幾件事讓人聯(lián)想泛泛，三星擬再奪全球代工的寶座。　　南韓半導(dǎo)體大廠三星電子(Samsung Electronics)日前提高資本支出，其中在系統(tǒng)LSI(System LSI)部門，資本支出亦增加逾50%，達(dá)2兆韓元(約18億美元)，以滿足手機(jī)等系統(tǒng)單芯片(SoC)需求，顯示三星有意加強(qiáng)晶圓代工業(yè)務(wù)。業(yè)界對(duì)此解讀，三星主要系著眼于最大客戶高通(Qualcomm)手機(jī)芯片訂單，未來(lái)是否會(huì)擴(kuò)大分食高通在臺(tái)積電訂單，高通訂單版圖移轉(zhuǎn)變化有待觀察
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迎戰(zhàn)三星臺(tái)塑集團(tuán)準(zhǔn)備好了

　　南韓三星電子大張旗鼓擴(kuò)充DRAM產(chǎn)能，引發(fā)各方關(guān)注。臺(tái)塑集團(tuán)總裁王文淵日前于內(nèi)部會(huì)議表示，原先預(yù)期三星明年下半年啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn)，其進(jìn)度比預(yù)期快得多，惟集團(tuán)與美光合作的30納米制程已完成開發(fā)，今年將切入50、42納米制程，技術(shù)超越臺(tái)系廠商;對(duì)照先前65納米，生產(chǎn)成本優(yōu)勢(shì)將提升約40%至50%，臺(tái)塑集團(tuán)已積極審慎應(yīng)戰(zhàn)。　　三星大張旗鼓擴(kuò)充DRAM、NAND產(chǎn)能，由于比原先預(yù)期將在明年下半年啟動(dòng)快的多，也使臺(tái)灣廠商將被迫提前面臨新產(chǎn)業(yè)淘汰賽，但也突顯三星對(duì)DRAM后續(xù)產(chǎn)業(yè)前景，有偏多的立場(chǎng)。　　南亞科董事
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NAND閃存銷售Q1微增三星東芝主宰市場(chǎng)

　　據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli發(fā)表的按美元統(tǒng)計(jì)的第一季度全球NAND閃存市場(chǎng)的銷售收入數(shù)字顯示，三星和東芝主宰了NAND閃存市場(chǎng)，僅給其它所有的公司留下了較少的市場(chǎng)份額。三星今年第一季度的市場(chǎng)份額是38.5%，緊隨其后的東芝的市場(chǎng)份額是33.8%。其它每一個(gè)廠商爭(zhēng)奪的市場(chǎng)份額只有27.7%。　　按美元統(tǒng)計(jì)，今年第一季度全球NAND閃存市場(chǎng)的銷售收入是43.6億美元，比 2009年第四季度的43.3億美元增長(zhǎng)了0.6%。因此，你可以計(jì)算出供應(yīng)商的實(shí)際銷售收入。iSuppli稱，這是一個(gè)好消息，因?yàn)闅v史
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Intel鎂光宣布開始量產(chǎn)銷售25nm制程N(yùn)AND閃存芯片

　　繼今年二月份宣布成功試制出25nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品之后，Intel與鎂光的合資公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布開始正式對(duì)外銷售量產(chǎn)的25nm制程N(yùn)AND閃存芯片，這種新制程的芯片產(chǎn)品容量將比34nm制程產(chǎn)品提升一倍。　　這次采用25nm制程技術(shù)制作的NAND閃存芯片產(chǎn)品主要是8GB容量的芯片產(chǎn)品，這種8GB芯片的面積僅為167平方毫米，其容量可容納2000首歌曲，7000張照片或8小時(shí)時(shí)長(zhǎng)的視頻片段。　　目前還不清楚首款配置這
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今年 Q1 NAND閃存市調(diào)報(bào)告出爐三星東芝占據(jù)大半江山

　　據(jù)iSuppli市調(diào)公司2010年第一季度的NAND閃存市場(chǎng)調(diào)查報(bào)告顯示，三星與東芝公司兩家占據(jù)了NAND閃存市場(chǎng)的絕大部分份額，其中三星的營(yíng)收份額最高，達(dá)到了38.5%，東芝則位居第二為33.8%，兩者合在一起占據(jù)了72.3%的NAND閃存市場(chǎng)營(yíng)收份額。按美元計(jì)算，今年第一季度NAND 閃存的市場(chǎng)總值達(dá)到43.6億美元，比去年第四季度NAND閃存市場(chǎng)總值43.3億美元提升了0.6%。由于季節(jié)性因素的影響，每年的第一季度閃存市場(chǎng)一般都會(huì)比上一年最后一季度有所萎縮，而今年則反其道而行，iSuppli
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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]