nand 文章進入nand技術(shù)社區(qū)

三星每年提高一倍代工芯片產(chǎn)能目標(biāo)直指臺積電

　　據(jù)報道，為了更加快速的追趕臺積電，三星計劃將以后每年的代工芯片產(chǎn)能提高一倍直至達到臺積電的規(guī)模。　　根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計，去年全球芯片代工市場的產(chǎn)值為190億美元，而臺積電獨自占據(jù)了其中的100億美元。　　三星是全球第二大芯片制造商，在DRAM內(nèi)存和NAND閃存市場處于領(lǐng)先地位，但是他們在代工市場的收入?yún)s只有可憐的幾億美元。三星發(fā)言人近日表示，三星已經(jīng)決定擴大其代工產(chǎn)能，目標(biāo)直指臺積電。　　三星目前在韓國器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠，專門用于代工業(yè)務(wù)。三星一直強調(diào)
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三星開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片

　　三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。　　即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤等設(shè)備。　　另外一款
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2009年12月4日，西爾特推出MTK手機平臺NAND Flash 編程解決方案

　　2009年12月4日，西爾特最新推出MTK(聯(lián)發(fā)科)手機平臺NAND Flash 編程解決方案。
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三星擬明年投資60億美元擴大芯片業(yè)務(wù)

　　北京時間12月2日消息，據(jù)國外媒體報道，《韓國先驅(qū)報》援引匿名消息人士的話報道稱，三星2010年計劃投資約7萬億韓元(約合60億美元)擴大芯片業(yè)務(wù)。　　消息稱，其中約5萬億韓元(約合43億美元)將用于擴大DRAM芯片業(yè)務(wù)，2萬億(約合17億美元)韓元將用于擴大NAND閃存和邏輯芯片業(yè)務(wù)。　　三星2010年芯片投資將比2009年的4萬億韓元(約合34億美元)高75%。10月份發(fā)布第三季度財報時，三星曾表示明年芯片投資將超過5.5萬億韓元(約合47億美元)。
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某閃存廠商指控蘋果在閃存市場上“欺行霸市”

　　近日，有某匿名廠商指控蘋果在NAND閃存市場上“欺行霸市”，威逼閃存廠商。該廠商指蘋果經(jīng)常向韓系三星，海力士等廠商超額訂貨?！俄n國時報》還報道稱蘋果經(jīng)常采取等待閃存由于供過于求而出現(xiàn)價格下降時，才采購少量閃存的采購策略，這很容易導(dǎo)致閃存廠商的庫存再次出現(xiàn)積壓現(xiàn)象。　　由于海力士與三星兩家廠商的閃存業(yè)務(wù)對蘋果依賴甚大，因此他們對蘋果的這種策略可謂敢怒不敢言，只好被迫接受蘋果將簽訂的長期訂貨協(xié)約價下調(diào)4%。這家未具名廠商的高管指這種行為“極為不合理”。
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三星宣布開始量產(chǎn)兩種30nm制程NAND閃存芯片

　　三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達到40Mbps的水平。　　即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤等設(shè)備。　　另外一款三
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NAND記憶卡需求轉(zhuǎn)強封測產(chǎn)能缺到明年初

　　據(jù)悉，包括三星、LG、諾基亞等手機大廠第四季將上市銷售的手機，已將MicroSD等NAND記憶卡列為標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)建配備，加上消費者擴充手機記憶卡的需求也明顯轉(zhuǎn)強，帶動第四季記憶卡銷售量大增。力成董事長蔡篤恭表示，MicroSD記憶卡封測產(chǎn)能吃緊現(xiàn)象將延續(xù)到明年1、2月。　　NAND晶片大廠三星下半年開始跨足記憶卡市場，并與創(chuàng)見合作銷售，新帝(SanDisk)也傳出介入貼牌白卡市場，只是手機用小型記憶卡需采用較先進的基板打線封裝(COB)制程，但兩家大廠自有封測廠產(chǎn)能已多年未曾擴充，因此8、9月后已大量將
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內(nèi)存廠商:SSD將在2011年成為主流

　　臺灣DigiTimes報道，數(shù)家內(nèi)存廠商最近聚集在臺北探索建立對大陸和臺灣的固態(tài)存儲產(chǎn)業(yè)共同標(biāo)準(zhǔn)，與會者們預(yù)計隨著制程逐漸過渡到20nm，NAND閃存價格將出現(xiàn)大幅下跌，最終實現(xiàn)一個可負擔(dān)的水平，不過這一時間點被認為是2011年以后。　　此外，來自大陸的工業(yè)代表敦促盡快發(fā)展和規(guī)范SSD的規(guī)格，以解決來自國際供應(yīng)商控制的核心技術(shù)。　　去年Fusion-io公司首席科學(xué)家Steven Wozniak曾表示，他并不認為SSD硬盤會很快就能替換普通硬盤。不過由于SSD硬盤功耗更低，同時性能更高，也不需
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蘋果NAND Flash減單　三星、新帝策略轉(zhuǎn)向

　　由于傳出大客戶蘋果(Apple)開始減少下單，加上原本三星電子(Samsung Electronics)供應(yīng)NAND Flash數(shù)量相當(dāng)有限，12月供應(yīng)量控制亦開始松動，以及白牌記憶卡在市面上流通數(shù)量增加，使得淡季需求明顯反映在現(xiàn)貨及合約價上，近2個月NAND Flash價格從高檔連續(xù)緩跌，累計回檔幅度相當(dāng)深。不過，多數(shù)存儲器業(yè)者認為，由于價格跌幅已大，預(yù)計后續(xù)再大跌機率不大，25日NAND Flash 11月下旬合約價開出，便呈現(xiàn)持平到小跌局面。　　存儲器業(yè)者表示，蘋果對于NAND Flash供
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NAND成本優(yōu)勢明顯，NOR成明日黃花

　　市場研究機構(gòu)水清木華日前發(fā)布“2009年手機內(nèi)存行業(yè)研究報告”指出，NOR閃存在512Mb是個門檻。高于350Mb，NOR閃存的成本飛速增加。同時，NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一，應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大，成本優(yōu)勢越明顯，應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛，應(yīng)用廠家也多。手機市場變化迅速，現(xiàn)在每一款手機的生命周期通常都小于5年，NOR最強大的優(yōu)勢“長壽”也不復(fù)存在。盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降，但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion。而NAND
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恒憶躍居世界最大NOR閃存供應(yīng)商

　　盡管IC產(chǎn)業(yè)在步入2009年的時候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟危機影響的存儲產(chǎn)業(yè)終于看到了復(fù)蘇的曙光。面對市場可預(yù)期的需求增長，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應(yīng)市場需求，擴充產(chǎn)能。一是通過從高節(jié)點技術(shù)向低節(jié)點技術(shù)的制程升級，進一步擴大位級產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。　　展望2010年的市場前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球存儲器解
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恒憶樂觀展望2010年發(fā)展前景

　　盡管 IC 產(chǎn)業(yè)在步入 2009 年的時候還是前景迷茫，但在歲末之際，曾深受經(jīng)濟危機影響的存儲產(chǎn)業(yè)終于看到了復(fù)蘇的曙光。面對市場可預(yù)期的需求增長，恒憶 (Numonyx) 通過兩方面的舉措響應(yīng)市場需求，擴充產(chǎn)能。一是通過從高節(jié)點技術(shù)向低節(jié)點技術(shù)的制程升級，進一步擴大位級產(chǎn)能;二是充分發(fā)揮“靈活資產(chǎn)(Asset Smart)”策略的優(yōu)勢，與合資晶圓廠、代工伙伴一起增加產(chǎn)能。　　展望2010年的市場前景，主管恒憶亞洲區(qū)嵌入式業(yè)務(wù)及渠道的銷售副總裁龔翊表示：“作為全球
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手機內(nèi)存：NAND優(yōu)勢愈加明顯，NOR風(fēng)光不再

　　市場研究機構(gòu)水清木華日前發(fā)布"2009年手機內(nèi)存行業(yè)研究報告"指出,NOR閃存在512Mb是個門檻.高于350Mb,NOR閃存的成本飛速增加.同時,NOR閃存的應(yīng)用領(lǐng)域單一,應(yīng)用廠家很少;而NAND閃存則容量越大,成本優(yōu)勢越明顯,應(yīng)用領(lǐng)域更廣泛,應(yīng)用廠家也多.手機市場變化迅速,現(xiàn)在每一款手機的生命周期通常都小于5年,NOR最強大的優(yōu)勢"長壽"也不復(fù)存在.盡管NOR閃存的成本在進入65納米后也大幅度下降,但是專心NOR領(lǐng)域的只有Spansion.而NAND領(lǐng)域,三
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IEEE：NAND閃存技術(shù)將在十年之內(nèi)遭遇技術(shù)極限

　　《IEEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術(shù)，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，結(jié)果選出了兩個最有希望的候選者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。　　PCRAM我們偶爾會有所耳聞。它基于硫系玻璃的結(jié)晶態(tài)和非結(jié)晶態(tài)相變屬性，單元尺寸較小，而且每個單元內(nèi)能保存多個比特，因此存儲密度和成本
關(guān)鍵字： NAND 閃存相變存儲

TIMC與DRAM產(chǎn)業(yè)再造計劃

　　2008年DRAM產(chǎn)業(yè)跌落谷底，臺灣DRAM廠開門做生意平均每天虧新臺幣1億元，且龐大的負債成為臺灣科技產(chǎn)業(yè)的巨大問題，因此經(jīng)濟部為挽救臺灣內(nèi)存演產(chǎn)業(yè)，宣布要進行產(chǎn)業(yè)再造，成立臺灣內(nèi)存公司(Taiwan Memory Company;TMC)，之后因為此名字已被其它公司注冊，因此改名為Taiwan Innovation Memory Company，簡稱為TIMC。　　TIMC正式于2009年7月31日登記成立，董事長為聯(lián)電榮譽副董事長宣明智，帶領(lǐng)臺灣內(nèi)存產(chǎn)業(yè)再造的任務(wù)，目的在于協(xié)助臺灣DRAM產(chǎn)
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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]