nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

張汝京下課中芯大漲

　　為中芯解開多年無(wú)法突破的經(jīng)營(yíng)困境，而與臺(tái)積電未來(lái)如能合作，將會(huì)是個(gè)雙贏的局面。張汝京的下臺(tái)，為臺(tái)積電、中芯國(guó)際都找到下一個(gè)春天。　　11月11日，臺(tái)灣有四家報(bào)紙的頭版頭條報(bào)道了同一則新聞：中芯國(guó)際創(chuàng)辦人、執(zhí)行長(zhǎng)張汝京宣布辭職;董事會(huì)即刻宣布由王寧國(guó)接任執(zhí)行董事兼集團(tuán)總裁、首席執(zhí)行官。全世界最大的晶圓代工廠臺(tái)積電入股中芯半導(dǎo)體10%的股份。　　中芯將分5年賠償臺(tái)積電2億美元，并且無(wú)償授予臺(tái)積電8%的中芯股權(quán)，且臺(tái)積電另可在3年內(nèi)以每股1.3港幣的價(jià)格認(rèn)購(gòu)2%的中芯股權(quán)。　　這件事情所以在臺(tái)灣
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Intel-鎂光發(fā)起反擊,2xnm制程N(yùn)AND芯片將投入試制

　　在本月22日召開的一次電話會(huì)議上，鎂光公司聲稱他們很快便會(huì)試制出2x nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品，并對(duì)其進(jìn)行取樣測(cè)試。盡管鎂光沒有透露這種2xnm制程的具體規(guī)格數(shù)字，但外界認(rèn)為他們很可能會(huì)于明年初公布有關(guān)的細(xì)節(jié)信息。這樣，鎂光及其NAND技術(shù)的合作伙伴Intel公司很有希望在明年利用這種新制程技術(shù)，甩開對(duì)手三星和東芝，重新回到領(lǐng)先全球NAND制作技術(shù)的寶座上。目前Intel和鎂光兩家公司合資創(chuàng)立有一家專門負(fù)責(zé)NAND業(yè)務(wù)的IM閃存技術(shù)公司。　　除了制造閃存芯片之外，Intel和鎂光還有出售基
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海力士：2010年DRAM供不應(yīng)求

　　據(jù)華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲(chǔ)器市場(chǎng)表現(xiàn)，將提升資本支出并擴(kuò)張產(chǎn)能。　　海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價(jià)在11月后并未下滑，此外，預(yù)期2010年全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)市場(chǎng)需求將增加10%、全球DRAM存儲(chǔ)器芯片將缺貨，半導(dǎo)體市場(chǎng)已走出過去3年的谷底，前景相當(dāng)穩(wěn)定。　　隨著景氣逐漸回升，海力士計(jì)劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術(shù)水平，及擴(kuò)張目前的NAND
關(guān)鍵字： Hynix 存儲(chǔ)器 NAND

PC DRAM容量提升至2.92GB　DRAM現(xiàn)貨價(jià)大漲3%　

　　沈寂已久的DRAM價(jià)格再度動(dòng)起來(lái)，存儲(chǔ)器廠對(duì)于DRAM產(chǎn)業(yè)后市看法相當(dāng)樂觀，DRAM廠供貨呈現(xiàn)小幅吃緊狀態(tài)，目前個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)搭載存儲(chǔ)器平均容量成長(zhǎng)16%至2.92GB，未來(lái)消費(fèi)性PC機(jī)種搭載DRAM容量可望升級(jí)至4GB，市場(chǎng)對(duì)于后市看法相當(dāng)樂觀，原本外界預(yù)期12月合約價(jià)格會(huì)開始下跌，反應(yīng)淡季效應(yīng)，但目前開出是持平，反映市場(chǎng)供給不多，而22日現(xiàn)貨價(jià)格又開始蠢蠢欲動(dòng)，一口氣大漲3%;此外，下游模塊廠皆看好2010年DRAM市場(chǎng)表現(xiàn)將優(yōu)于NAND Flash市場(chǎng)。　　存儲(chǔ)器模塊廠一致看好2010
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東芝等日本半導(dǎo)體廠紛紛取消年底假期持續(xù)生產(chǎn)

　　隨著薄型電視等產(chǎn)品需求呈現(xiàn)增長(zhǎng)，東芝(Toshiba)等日本半導(dǎo)體大廠也紛紛取消或縮短今年年底的新年假期持續(xù)進(jìn)行生產(chǎn)，有別于去(2008)年年底動(dòng)輒停工近20天的嚴(yán)峻局面。　　報(bào)導(dǎo)指出，東芝旗下生產(chǎn)NAND型閃存的四日市工廠去年年底12吋產(chǎn)線停工達(dá)13天，惟因今年春天以后智慧型手機(jī)訂單增加，故四日市工廠今年年底假期將持續(xù)進(jìn)行生產(chǎn)不停工。　　報(bào)導(dǎo)指出，NEC電子(NEC Electronics)旗下子公司所屬的熊本川尻工廠原先計(jì)劃于元旦期間停工2天，惟因使用于薄型電視和環(huán)保車的微控制器(MCU)
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東芝等日本半導(dǎo)體巨頭恢復(fù)增產(chǎn)投資

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，日本國(guó)內(nèi)的半導(dǎo)體巨頭重新開啟了增產(chǎn)投資的大門。東芝公司一直生產(chǎn)手機(jī)等設(shè)備上使用的閃存，并在該領(lǐng)域排名全球第二，該公司計(jì)劃與美國(guó)公司共同出資1500億日元，以提高這方面的產(chǎn)能，增產(chǎn)程度約為4成。爾必達(dá)公司主要生產(chǎn)PC的內(nèi)存，該公司計(jì)劃在2010財(cái)年向主要生產(chǎn)廠投資600億日元，將出貨量提高3成。　　自今年夏天以來(lái)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)呈現(xiàn)堅(jiān)挺的走勢(shì)，PC銷售等在需求的刺激下得到恢復(fù)。全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)后，日本IT業(yè)大公司一改過去的謹(jǐn)慎投資的態(tài)度而變?yōu)榉e極投資，以期待與韓國(guó)三星公司展開競(jìng)爭(zhēng)。　
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東芝、爾必達(dá)提高半導(dǎo)體事業(yè)資本支出

　　自2009年夏季起全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求回溫，日本半導(dǎo)體大廠增資動(dòng)作亦轉(zhuǎn)趨積極。日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)指出，東芝(Toshiba)將與美國(guó)業(yè)者共同投資1,500億日?qǐng)A(約16億美元)于NAND Flash事業(yè)，提高約4成產(chǎn)能;爾必達(dá)(Elpida)亦計(jì)劃在2010年度中，投資600億日?qǐng)A于主力據(jù)點(diǎn)，以增加3成出貨量。　　報(bào)導(dǎo)指出，東芝擬于2010年度初期在三重縣四日市NAND Flash廠導(dǎo)入尖端設(shè)備，此亦為2007年來(lái)東芝在NAND Flash事業(yè)上的大舉投資。據(jù)悉，增設(shè)新生產(chǎn)線后，整廠生產(chǎn)規(guī)模將由26萬(wàn)
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傳東芝投資22億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，消息人士周一透露，東芝可能將投資2000億日元(約合22億美元)擴(kuò)大NAND閃存芯片生產(chǎn)。到2010年4月底，東芝的閃存芯片生產(chǎn)規(guī)模將擴(kuò)大40%。　　報(bào)道稱，東芝當(dāng)前還計(jì)劃在2012年3月之前，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資總計(jì)5000億日元。市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli上周發(fā)布研究數(shù)據(jù)顯示，今年第三季度全球NAND閃存市場(chǎng)業(yè)績(jī)強(qiáng)勁，東芝表現(xiàn)最為搶眼，營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)近50%。　　iSuppli的報(bào)告稱，全球NAND閃存市場(chǎng)第三季度的營(yíng)收較第二季度的31億美元，增長(zhǎng)了25.5%，達(dá)39.4億美元。
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消息稱張汝京或?qū)⒐芾碇行境啥技拔錆h芯片廠

　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，近期市場(chǎng)傳出中芯國(guó)際將切割代管的成都廠及武漢廠等兩地晶圓廠，而兩座廠將可能由中芯前總裁張汝京出面統(tǒng)籌管理，張汝京等于找到了新舞臺(tái)。　　臺(tái)灣媒體引述“內(nèi)部人士”的話報(bào)道稱，成都及武漢兩地政府日前希望與中芯國(guó)際CEO王寧國(guó)見面，但王寧國(guó)未有正面回應(yīng)，目前中芯切割兩晶圓廠政策已是箭在弦上，成都市政府上周密會(huì)中芯前總裁張汝京，兩地政府希望未來(lái)成都廠及武漢廠由張汝京出面統(tǒng)籌管理。　　據(jù)報(bào)道，中芯在張汝京時(shí)代，曾與成都、武漢等兩地方政府達(dá)成協(xié)議，成都市政府出資成立成
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東芝第三季度NAND閃存營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)近50%

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，市場(chǎng)研究公司iSuppli最新研究數(shù)據(jù)顯示，第三季度全球NAND閃存市場(chǎng)業(yè)績(jī)強(qiáng)勁，東芝表現(xiàn)最為搶眼，營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng)近50%。　　全球NAND閃存市場(chǎng)第三季度的營(yíng)收較第二季度的31億美元，增長(zhǎng)了25.5%，達(dá)39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強(qiáng)于市場(chǎng)，其NAND閃存營(yíng)收較第二季度的9.24億美元增長(zhǎng)了47.5%，達(dá)14億美元。東芝在全球NAND閃存市場(chǎng)上位居第二，僅次于三星電子。　　iSuppli資深分析師Michael Yang說：“東芝在第三季度充分利用了有利的NAN
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東芝發(fā)布業(yè)內(nèi)最大容量嵌入式NAND閃存模組

　　東芝公司本周一發(fā)布了據(jù)稱為業(yè)內(nèi)最大容量的64GB嵌入式NAND閃存模組。這種模組內(nèi)建專用的控制器，并內(nèi)含16個(gè)采用32nm制程技術(shù)制作的32Gbit存儲(chǔ)密度的閃存芯片，這種閃存芯片的厚度則僅有30微米。　　這款內(nèi)存模組產(chǎn)品裝備在便攜設(shè)備如iPod/智能手機(jī)等之上后，手機(jī)的存儲(chǔ)容量將實(shí)現(xiàn)倍增。比如采用單閃存模組設(shè)計(jì)的iPhone的容量可由原來(lái)的32GB提升到64GB,而采用雙閃存模組設(shè)計(jì)的iPod touch的最大容量則可達(dá)到128GB。　　東芝本月將開始對(duì)外提供這種64GB嵌入式閃存模組的
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臺(tái)美日DRAM廠連手抗韓策略發(fā)酵

　　兩大韓系內(nèi)存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調(diào)高2010年資本支出，繼三星預(yù)計(jì)投入30億美元擴(kuò)產(chǎn)及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺(tái)系DRAM廠合作，盡管過去喊出的臺(tái)美日廠連手抗韓策略，在DRAM整合戲碼停擺后沒再被提起，但DRAM廠指出，實(shí)際上全球4大DRAM陣營(yíng)板塊運(yùn)動(dòng)，仍按照臺(tái)美日廠連手抗韓局勢(shì)發(fā)展。　　隨著三星和海力士都擴(kuò)增2010年資本支出，隱約釋出對(duì)
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張忠謀：臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)將面臨三大挑戰(zhàn)

　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀日前表示，臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢(shì)引起的新臺(tái)幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價(jià)格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負(fù)成本。　　張忠謀只提到美元弱勢(shì)，并沒有說新臺(tái)幣有升值壓力，張忠謀認(rèn)為，全球經(jīng)濟(jì)都在復(fù)蘇中，復(fù)蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復(fù)蘇，但張忠謀認(rèn)為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴(yán)峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴(yán)峻因?yàn)槭沁^去兩年、甚至十年沒遇見過。　　第一個(gè)挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺(tái)灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來(lái)愈弱，這會(huì)是一個(gè)趨勢(shì)，相對(duì)地新臺(tái)幣波
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12月上旬合約價(jià)DRAM持平　Flash下跌

　　12月上旬的存儲(chǔ)器合約價(jià)格中，DRAM合約價(jià)意外持平開出，南亞科副總經(jīng)理白培霖表示，主要是個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價(jià)格則反應(yīng)市場(chǎng)需求不佳，16Gb芯片價(jià)格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合約價(jià)格貼近現(xiàn)貨價(jià)格水平，下游存儲(chǔ)器業(yè)者都盡量減少庫(kù)存水位，以免營(yíng)運(yùn)被跌價(jià)的NAND Flash芯片庫(kù)存燙傷。　　近期DRAM現(xiàn)貨價(jià)格持續(xù)反彈，1Gb容量DDR2價(jià)格從2美元反彈至2.5美元，屬于觸底反彈，然整個(gè)市場(chǎng)的交易量是相當(dāng)有限，反倒是原本各界預(yù)期12月上旬
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張忠謀：臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)

　　12月9日消息，臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀昨日表示，臺(tái)灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢(shì)引起的新臺(tái)幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價(jià)格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負(fù)成本。　　張忠謀只提到美元弱勢(shì)，并沒有說新臺(tái)幣有升值壓力，張忠謀認(rèn)為，全球經(jīng)濟(jì)都在復(fù)蘇中，復(fù)蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復(fù)蘇，但張忠謀認(rèn)為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴(yán)峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴(yán)峻因?yàn)槭沁^去兩年、甚至十年沒遇見過。　　第一個(gè)挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺(tái)灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來(lái)愈弱，這會(huì)是一個(gè)趨勢(shì)
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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡(jiǎn)單的來(lái)說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]