nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

　　存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨(dú)特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。　　縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達(dá)最先退出。奇夢達(dá)的退出使市場少了10萬片的月產(chǎn)能。　　在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲器也是走在前列，如
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金士頓砸1億美元　綁樁海力士產(chǎn)能

　　2010年存儲器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢，未來再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達(dá)1億美元金援，未來將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉(zhuǎn)進(jìn)32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
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三星推出64GB moviNAND閃存芯片

　　三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程N(yùn)AND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB，封裝內(nèi)部堆疊了16塊超薄設(shè)計(jì)的4GB芯片，并集成了閃存控制器，而整個(gè)芯片封裝的厚度僅不足0.06英寸。　　64GB moviNAND 　　另外，三星還計(jì)劃升級自己的microSDHC閃存卡產(chǎn)品。將三星microSDHC閃存卡的最高容量提升為32GB(內(nèi)部由8片4GB芯片堆疊而成)，比目前的最高容量提升了一倍。于此同時(shí)，閃存卡的最
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重塑產(chǎn)業(yè)前景迎接2010年IC業(yè)的大發(fā)展

　　編者點(diǎn)評(莫大康 SEMI China顧問)：國際上有許多市場分析公司與機(jī)構(gòu)，如 Gartner，iSuppli，IC Insight，Semico，VLSI及SEMI，SIA，WSTS等。為什么它們的預(yù)測值不同，有時(shí)差異還不小。據(jù)編者的看法任何預(yù)測都有三類，即樂觀、中等和悲觀。另外，由于每個(gè)市場分析公司其數(shù)據(jù)來源及分析的范圍各不同，所以數(shù)據(jù)不一樣是正常的。那該如何來觀察與判斷呢?通常要找品牌，即有些公司的數(shù)據(jù)相對可靠(經(jīng)驗(yàn)值)，如半導(dǎo)體數(shù)據(jù)是WSTS，SIA，Gartner，iSuppli，而設(shè)備材
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飚速度355MB/s 鎂光將發(fā)布6Gbps SSD

　　鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產(chǎn)品線，一個(gè)原生6Gbps的SATA設(shè)備引起了廣泛注意，鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下發(fā)布。　　這款SSD具體型號RealSSD C300，2.5寸外形設(shè)計(jì)，包含128和256GB兩種型號，讀取速度高達(dá)355MB/s,寫入速度達(dá)215MB/s，向下兼容3Gbps SATA。預(yù)計(jì)將面向北美、英國和歐洲大陸發(fā)布，128GB版售價(jià)大約450美元。　　
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東芝32nm制程N(yùn)AND閃存SSD硬盤將于二季度上市

　　日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重，其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷量僅次于三星公司，目前東芝公司推出的SSD硬盤產(chǎn)品中采用了自己設(shè)計(jì)的 NAND閃存控制器，這種產(chǎn)品在OEM廠商中口碑甚好。去年第三季度，東芝已經(jīng)開始量產(chǎn)32nm NAND閃存芯片，不過目前東芝所售出的SSD硬盤產(chǎn)品仍以43nm NAND型產(chǎn)品為主力，這樣OEM廠商乃至終端客戶便無法享受到32nm制程技術(shù)帶來低成本實(shí)惠。　　不過東芝近日宣布，他們將開始測試部分采用32nm NAND閃存芯片試制的SSD硬盤產(chǎn)品，并將于本季度推出
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一季度半導(dǎo)體供應(yīng)商將繼續(xù)維持低庫存

　　據(jù)iSuppli公司，經(jīng)過2009年對膨脹的庫存大幅削減，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計(jì)將在2010年第一季度維持低量庫存，以期在不明朗的經(jīng)濟(jì)環(huán)境中能獲益。　　半導(dǎo)體供應(yīng)商的庫存天數(shù)(DOI)預(yù)計(jì)將在第一季度下降到68.3，比2009年第四季度的68.5低。由于第四季度的DOI已經(jīng)比歷史平均水平低了2.9%，第一季度的庫存預(yù)計(jì)比這一標(biāo)準(zhǔn)還低6.9%。而第一季度的庫存會維持在可滿足要求的平衡水平上，庫存將達(dá)到非常低的水平--甚至有幾種具體設(shè)備會接近短缺的邊緣。　　圖示為iSuppli
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iSuppli：全球芯片庫存保持緊縮 NAND閃存或短缺

　　據(jù)市場研究公司iSuppli的調(diào)查，全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計(jì)將在第一季度保持輕庫存，以便在不確定的經(jīng)濟(jì)形勢下保持盈利。　　第一季度末庫存天數(shù)預(yù)計(jì)將減少至68.3天，上季度為68.5天。去年第四季度，庫存天數(shù)已經(jīng)少于歷史平均水平2.9%，第一季度預(yù)計(jì)將較普通水平少6.9%。　　iSuppli預(yù)測，由于庫存量仍將保持在較低水平，某些特殊器件將面臨短缺。　　2010年，預(yù)計(jì)庫存天數(shù)將穩(wěn)定在近70天左右。緊縮的庫存管理將幫助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)獲得兩位數(shù)增長，增長幅度預(yù)計(jì)為15.4%，而2009年減少12.4%
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威剛陳立白：今年DRAM市場多處于缺貨狀態(tài)

　　存儲器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進(jìn)1個(gè)股本的豐碩成績單，董事長陳立白表示，2010年的DRAM產(chǎn)業(yè)多數(shù)時(shí)間將處于缺貨的狀態(tài)，只要價(jià)格維持平穩(wěn)，預(yù)計(jì)對于模塊產(chǎn)業(yè)絕對是好事，往年會是傳統(tǒng)淡季的第2季，2010年將會見到淡季不淡，也不見五窮六絕;而NAND Flash產(chǎn)業(yè)價(jià)格則預(yù)計(jì)會起起伏伏，整體而言，DRAM表現(xiàn)會優(yōu)于NAND Flash產(chǎn)業(yè)。　　威剛2009年進(jìn)行高層人士調(diào)整，延攬前三星電子(Samsung Electronics)存儲器部門資深營銷副總金一雄擔(dān)任威剛總經(jīng)理一職，與原有的總經(jīng)理
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韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價(jià)格

　　韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布，并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區(qū)有操縱市場價(jià)格的行為，也宣告終止近3年來對該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。　　反壟斷監(jiān)管單位聲明，針對計(jì)算機(jī)記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關(guān)的價(jià)格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。　　2007年1月，F(xiàn)TC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進(jìn)行反壟斷調(diào)查，偵查是否有操縱價(jià)格的事實(shí)，之后已針對全球4家企業(yè)進(jìn)行調(diào)查，其中2家位于韓國，另外2家分別在美國和日本，但FTC并未公布詳細(xì)的企業(yè)名單。　　韓國快閃記
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韓國FTC：NAND Flash大廠無操控價(jià)格

　　據(jù)華爾街日報(bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，韓國公平貿(mào)易委員會(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NAND Flash存儲器大廠有任何操控價(jià)格的證據(jù)，將結(jié)束為期將近3年的調(diào)查。此外，韓國FTC表示，至目前為止所有和存儲器市場相關(guān)的操控價(jià)格調(diào)查皆已完成，包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場。　　韓國FTC自2007年1月開始調(diào)查存儲器產(chǎn)業(yè)是否存在操控價(jià)格的不法行為，并調(diào)查4家全球存儲器大廠，包括兩家韓國廠商、1家日本及1家美國廠商，然FTC并未透露遭調(diào)查的廠商名稱。　　存儲器產(chǎn)業(yè)近年來遭數(shù)個(gè)國家調(diào)查是否存在柯斷，近期
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韓國結(jié)束對閃存商反壟斷調(diào)查未發(fā)現(xiàn)違法行為

　　韓國公平交易委員會在一份聲明中表示尚未發(fā)現(xiàn)韓國或其他地區(qū)閃存廠商有操縱價(jià)格或其他壟斷行為的證據(jù)。　　該機(jī)構(gòu)調(diào)查了四家NAND閃存制造商。在被調(diào)查的四家廠商中，兩家位于韓國，其他位于美國和日本。不過公平交易委員會沒有點(diǎn)出這些廠商的名字。NAND閃存適用于于各種手持設(shè)備，包括數(shù)字音樂播放器、數(shù)碼相機(jī)和手機(jī)。　　根據(jù)三星電子和東芝的說法，今年8月，美國司法部也結(jié)束了這樣的調(diào)查。三星電子和東芝是全球前兩大NAND閃存芯片制造商。　　市場調(diào)查公司iSuppli的數(shù)據(jù)顯示第三季度三星在全球NAND閃存
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傳韓系三位元型MLC NAND芯片新品質(zhì)量存穩(wěn)定性問題

　　據(jù)業(yè)者透露，韓國廠商生產(chǎn)的三位元型MLC NAND閃存芯片新品在穩(wěn)定性和耐用性方面不如現(xiàn)有兩位元型產(chǎn)品，不過消息來源不愿意透露這家韓國廠商的具體名稱。據(jù)消息來源透露，這家韓國廠商首批推出的三位元MLC NAND閃存芯片只面向大陸以及美國地區(qū)的市場發(fā)售，不過目前部分銷往美國市場的產(chǎn)品已經(jīng)由于產(chǎn)品質(zhì)量不穩(wěn)定而遭到客戶的退貨。　　據(jù)閃存控制芯片的廠商表示，三位元型MLC NAND閃存芯片技術(shù)目前還處在初級發(fā)展階段，由于可能存在一些兼容性等方面的問題，因此需要3個(gè)月的時(shí)間對這種新產(chǎn)品進(jìn)行充分的測試。
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NAND閃存芯片價(jià)格本月逐步趨于平穩(wěn)

　　根據(jù)市場調(diào)研公司DRAMeXchange的最新統(tǒng)計(jì)，12月后半個(gè)月的MLC NAND閃存芯片價(jià)格和前半月相比持平，高密度芯片價(jià)格則將下降1-5%。　　其中，16Gb芯片期貨價(jià)格下降2-7%，32Gb芯片價(jià)格持平或下降3%，兩種芯片后半個(gè)月的平均銷售價(jià)格預(yù)計(jì)為4.42美元和7.18美元，8Gb芯片的平均價(jià)格依舊保持在4.02美元。　　盡管受到季節(jié)性銷售規(guī)律的影響，NAND閃存12月份的銷售價(jià)格依舊保持穩(wěn)定?？紤]到一些芯片制造商將重點(diǎn)轉(zhuǎn)移到了工藝升級上，產(chǎn)能上或受影響，很多下游廠商已經(jīng)開始存貨為即
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聚焦2010電子產(chǎn)業(yè)10大機(jī)遇

　　經(jīng)歷了09年初的低糜，IC產(chǎn)業(yè)正逐步從危機(jī)中復(fù)蘇，觀望其2010年的發(fā)展趨勢，可以說是機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存。本文將對于2010年電子產(chǎn)業(yè)市場的有利與不利因素分別敍述，供業(yè)界探討與分析。　　10大機(jī)遇　　1. IC行業(yè)的季節(jié)性需求好于預(yù)期。FBR分析師Craig Berger說：“亞洲芯片分銷商的最新訂單顯示，第4季度芯片銷售將環(huán)比下降4到8個(gè)百分點(diǎn)，比起上個(gè)月我們調(diào)查得出的環(huán)比下降10個(gè)百分點(diǎn)情況更好，這是由11月份的工業(yè)、消費(fèi)和智能手機(jī)芯片的強(qiáng)勁需求推動的的出貨量下降4%-8%，跌幅較
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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]