nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

美光推出NAND與低功率DRAM多芯片封裝產(chǎn)品

　　美光科技股份有限公司日前宣布，該公司將業(yè)界一流的34納米4Gb單層單元NAND閃存與50納米2Gb LPDDR相結(jié)合，生產(chǎn)出了市場(chǎng)上最先進(jìn)的NAND-LPDDR多芯片封裝組合產(chǎn)品。美光新推出的4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝產(chǎn)品以智能手機(jī)、個(gè)人媒體播放器和新興的移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備為應(yīng)用目標(biāo)。較小的外形尺寸、低成本和節(jié)能是這類(lèi)應(yīng)用的核心特色。　　美光公司目前向客戶推出4Gb NAND-2Gb LPDDR多芯片封裝試用產(chǎn)品，預(yù)計(jì)于2010年初投入量產(chǎn)。4Gb NAND-2Gb LPDDR組合
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三星：2010存儲(chǔ)芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況

　　10月28日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的記憶體芯片制造商韓國(guó)三星電子周三表示，該公司目標(biāo)要在三年內(nèi)將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收提高逾50%，并對(duì)2010年記憶體市場(chǎng)發(fā)表樂(lè)觀的看法。　　三星電子將在周五公布第三季財(cái)報(bào)。該公司估計(jì)，今年半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營(yíng)收為166億美元，并稱(chēng)目標(biāo)要在2012年達(dá)到255億美元營(yíng)收。　　三星指出，明年動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)和NAND快閃記憶體(閃存)芯片將出現(xiàn)小規(guī)模短缺情況。　　韓國(guó)三星半導(dǎo)體事業(yè)群總裁勸五鉉在一項(xiàng)高層主管會(huì)議上發(fā)表上述預(yù)估，公司發(fā)言人士也確認(rèn)了這項(xiàng)消
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Intel宣布一項(xiàng)技術(shù)突破內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米

　　英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項(xiàng)新技術(shù).這兩家公司稱(chēng),這種新技術(shù)將使非易失性存儲(chǔ)器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 　　英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開(kāi)發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說(shuō),這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲(chǔ)屬性縮小到一個(gè)內(nèi)存類(lèi). 　　This image shows phase-change memory bu
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內(nèi)存市場(chǎng)價(jià)量普漲，存儲(chǔ)廠商轉(zhuǎn)虧為盈

　　最近幾個(gè)月來(lái)，DRAM價(jià)格連連上漲，同時(shí)也拉升了NAND Flash顆粒的價(jià)格。各大晶圓廠和模組廠也都連連傳出利好消息。雖然各大內(nèi)存廠商的產(chǎn)品訂單和資金流相較2009年年初的金融海嘯時(shí)期已經(jīng)有較大起色，但是這內(nèi)存的價(jià)格上漲也波及到了電子賣(mài)場(chǎng)中的零售價(jià)格。那么究竟現(xiàn)在的內(nèi)存產(chǎn)品是怎樣的一個(gè)局面呢，下面小編就給大家來(lái)個(gè)深度分析，給你講講這里面的道道。　　9月DRAM價(jià)格猛增13% Flash亦漲4% 　　9月的1Gbit DDR2 DRAM的平均報(bào)價(jià)約為 1.70 美元，較上個(gè)月多出了近 13%。D
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SanDisk Q3意外由虧轉(zhuǎn)盈內(nèi)存產(chǎn)業(yè)展望樂(lè)

　　美國(guó)內(nèi)存大廠SanDisk近日公布第3季財(cái)報(bào)，意外由虧損轉(zhuǎn)為強(qiáng)勁獲利，主要由于銷(xiāo)售額優(yōu)于預(yù)期，以及先前減記的庫(kù)存收入回補(bǔ)加持。這也反映了內(nèi)存制造商持續(xù)受惠于閃存芯片市場(chǎng)好轉(zhuǎn)趨勢(shì)。　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，SanDisk第3季由去年同期的虧損1.659億美元或每股74美分，改善為獲利2.313億美元或每股99美分。去除特殊項(xiàng)目后，每股獲利則為76美分，優(yōu)于分析師預(yù)期的每股26美分。　　該季營(yíng)收增長(zhǎng)14%至9.352億美元，遠(yuǎn)優(yōu)于公司今年7月份預(yù)估的介于7.25-7.75億美元，以及分析師預(yù)期的7.87
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力晶成立TFC 拋出NAND Flash深水炸彈規(guī)劃投入200億元

　　“經(jīng)濟(jì)部”「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計(jì)畫(huà)」20日最后截止日期，卻出現(xiàn)戲劇性變化!臺(tái)塑集團(tuán)旗下南亞科和華亞科宣布不送件，形同退出這次計(jì)畫(huà);而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并將這次臺(tái)灣存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)整合規(guī)模推升到NAND Flash格局，反將了臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)一軍。力晶董事長(zhǎng)黃崇仁表示，2010年將投入40奈米制程量產(chǎn)NAND Flash，且100%為自有技術(shù)，比任何同業(yè)都符合“經(jīng)濟(jì)部”所要求技術(shù)扎根條件，未來(lái)力晶
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鎂光34nm企業(yè)級(jí)MLC/SLC NAND閃存明年初量產(chǎn)

　　鎂光34nm制程企業(yè)級(jí)MLC/SLC NAND閃存芯片已經(jīng)進(jìn)入試樣階段，MLC部分的存儲(chǔ)密度可達(dá)32Gb，寫(xiě)入壽命達(dá)3萬(wàn)次，是普通MLC產(chǎn)品的6倍;SLC部分存儲(chǔ)密度為16Gb，寫(xiě)入壽命同樣為3萬(wàn)次，是普通SLC產(chǎn)品的3倍. 　　鎂光這次開(kāi)發(fā)成功的34nm MLC/SLC閃存芯片支持ONFI2.1接口規(guī)范(Open NAND Flash Interface)，數(shù)據(jù)傳輸率最高可達(dá)200MB/S，而且可以采用閃存封裝內(nèi)部集成多片閃存芯片的封裝方案。　　鎂光表示，明年初這兩種閃存芯片便可正式量產(chǎn)。
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市場(chǎng)供貨吃緊，NAND閃存合約價(jià)持續(xù)上揚(yáng)

　　研究機(jī)構(gòu)集邦科技(DRAM eXchange)表示，10月上旬主流MLC NAND Flash合約均價(jià)上漲約8%~10%，主要原因是多數(shù)供貨商已接獲部份電子系統(tǒng)廠客戶10月到11月的旺季長(zhǎng)單，同時(shí)近期記憶卡客戶的旺季備貨需求，因此NAND Flash市場(chǎng)供貨吃緊，在賣(mài)方主導(dǎo)市場(chǎng)下，10月上旬NAND Flash合約價(jià)持續(xù)地上揚(yáng)。　　　　16Gb MLC NAND Flash合約價(jià)走勢(shì)圖　　集邦科技指出，在10月到11月，多數(shù)NANDFlash供貨商份仍將優(yōu)先供貨給電子系
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NAND Flash缺翻天　三星推品牌記憶卡與民爭(zhēng)食？

　　2009年NAND Flash缺貨缺翻天，三星電子(Samsung Electronics)在享有最大獲利之余，不但對(duì)飽受缺貨之苦的存儲(chǔ)器模塊廠袖手旁觀，還要推出「SAMSUNG」自有品牌記憶卡產(chǎn)品來(lái)?yè)屖晨蛻麸埻耄降缀J里是賣(mài)什么藥?業(yè)界相當(dāng)好奇!而原本應(yīng)該站在反對(duì)立場(chǎng)的大客戶創(chuàng)見(jiàn)，這次卻成為三星自有品牌記憶卡的代理商，究竟整起故事的來(lái)龍去脈為何?連同業(yè)都有霧里看花之感，只能說(shuō)三星2009年真的是新人事、新作風(fēng)，每一步都讓業(yè)界跌破眼鏡! 　　與三星做生意的客戶都知道，2009年不論在DRAM或是N
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NAND Flash強(qiáng)勢(shì)不墜模塊廠9月?tīng)I(yíng)收將再寫(xiě)新高

　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋(píng)果(Apple)備貨和智能型手機(jī)內(nèi)嵌存儲(chǔ)器的帶動(dòng)，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價(jià)大漲至7.5美元，存儲(chǔ)器模塊廠9月?tīng)I(yíng)收在NAND Flash和DRAM芯片價(jià)格雙雙大漲的帶動(dòng)下，預(yù)計(jì)可再次創(chuàng)下新高，同時(shí)第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月?tīng)I(yíng)收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見(jiàn)也受惠歐洲市場(chǎng)買(mǎi)氣回籠，9月預(yù)計(jì)可達(dá)新臺(tái)幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月?tīng)I(yíng)收預(yù)估可達(dá)35億~40億元，勁永9月?tīng)I(yíng)收也將維持高檔不墜。　　NAND Flash現(xiàn)貨
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三星DRAM芯片停止對(duì)臺(tái)供貨

　　三星電子(Samsung Electronics)2009年隨著新經(jīng)營(yíng)團(tuán)隊(duì)上任，營(yíng)運(yùn)策略出現(xiàn)不少重大轉(zhuǎn)變，將影響存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)生態(tài)，三星日前決定全面停止對(duì)臺(tái)銷(xiāo)售DRAM芯片，一律只銷(xiāo)售DRAM模塊。存儲(chǔ)器廠表示，三星策略明顯側(cè)重OEM市場(chǎng)，減少與現(xiàn)貨客戶合作，就連NAND Flash芯片供貨策略，亦同樣以消費(fèi)性電子大廠為優(yōu)先，尤其近期PC廠對(duì)于DRAM模塊需求強(qiáng)勁，三星供應(yīng)臺(tái)灣DRAM模塊數(shù)量大減，市場(chǎng)日前甚至喊出 1條DDR2模塊40美元天價(jià)。　　存儲(chǔ)器業(yè)者指出，三星2009年在全球供貨策略出現(xiàn)許多
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NAND Flash強(qiáng)勢(shì)不墜　模塊廠9月?tīng)I(yíng)收將再寫(xiě)新高

　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到蘋(píng)果(Apple)備貨和智能型手機(jī)內(nèi)嵌存儲(chǔ)器的帶動(dòng)，32Gb容量的MLC型NAND Flash均價(jià)大漲至7.5美元，存儲(chǔ)器模塊廠9月?tīng)I(yíng)收在NAND Flash和DRAM芯片價(jià)格雙雙大漲的帶動(dòng)下，預(yù)計(jì)可再次創(chuàng)下新高，同時(shí)第3季獲利也將雨露均沾;群聯(lián)9月?tīng)I(yíng)收續(xù)創(chuàng)歷史新高，創(chuàng)見(jiàn)也受惠歐洲市場(chǎng)買(mǎi)氣回籠，9月預(yù)計(jì)可達(dá)新臺(tái)幣30億~35億元水平，威剛更在PC OEM的DRAM模塊訂單涌入下，9月?tīng)I(yíng)收預(yù)估可達(dá)35億~40億元，勁永9月?tīng)I(yíng)收也將維持高檔不墜。　　NAND Flash現(xiàn)貨
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數(shù)據(jù)中心和企業(yè)IT需求將推動(dòng)SSD增長(zhǎng)六倍

　　據(jù)iSuppli 公司，雖然2009 年面向筆記本電腦的固態(tài)硬盤(pán)(SSD)銷(xiāo)售因?yàn)閮?nèi)存價(jià)格飛漲而受挫，但企業(yè)市場(chǎng)對(duì)彌補(bǔ)上述領(lǐng)域的疲軟表現(xiàn)是綽綽有余，從而推動(dòng)今年整體SSD 市場(chǎng)的營(yíng)業(yè)收入將增長(zhǎng)六倍。　　第二季度NAND 閃存的成本大幅上升，引起SSD 價(jià)格跳漲，使其與硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)相比缺乏競(jìng)爭(zhēng)力，并影響其在筆記本電腦中的普及。 NAND 閃存是SSD 中的關(guān)鍵部分，約占其價(jià)值的90%。然而，對(duì)于尋求擴(kuò)展功能和降低整體功耗的企業(yè)數(shù)據(jù)中心來(lái)說(shuō)，SSD 仍然是一個(gè)具有吸引力的選擇。　　由于企業(yè)
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IC資本支出依然謹(jǐn)慎供應(yīng)收緊價(jià)格上漲

　　分析師指出，資本支出創(chuàng)下歷史新低使IC市場(chǎng)供應(yīng)收緊，價(jià)格可能隨之上漲，但可能會(huì)發(fā)生其他不可預(yù)料的結(jié)果。　　IC Insights總裁Bill McClean稱(chēng)，今年半導(dǎo)體資本支出在銷(xiāo)售額中所占的比例降至12%，創(chuàng)歷史新低。芯片商在經(jīng)歷了嚴(yán)重衰退后，對(duì)資本投入依然比較謹(jǐn)慎。　　“我們還不知道資本支出比例12%意味著什么。”McClean說(shuō)道，“我們從來(lái)沒(méi)有遇到過(guò)這種情況。” 　　資本支出比例在2008年為16%，2004年至2007年均在20%至
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東芝Sandisk計(jì)劃明年啟用2xnm制程量產(chǎn)閃存芯片

　　據(jù)業(yè)者透露，東芝及其閃存合作伙伴SanDisk計(jì)劃要在明年下半年開(kāi)始采用20nm級(jí)別制程來(lái)量產(chǎn)NAND閃存芯片。另外兩家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合資興建的閃存芯片廠將逐月增大閃存芯片的產(chǎn)能，直至達(dá)到20萬(wàn)片的產(chǎn)能水平。　　東芝公司最近已經(jīng)開(kāi)始32nm制程3bpc(每存儲(chǔ)單元3bit數(shù)據(jù))閃存芯片的量產(chǎn)，按原先的計(jì)劃，合資的四日市芯片廠32nm制程芯片的產(chǎn)量應(yīng)在今年底前達(dá)到總產(chǎn)量的50%左右，不過(guò)按目前的產(chǎn)能規(guī)劃來(lái)看，實(shí)際的量產(chǎn)實(shí)施時(shí)間看來(lái)已經(jīng)會(huì)有所拖延。　　另一方面，對(duì)手In
關(guān)鍵字： SanDisk 20nm NAND 閃存芯片

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱(chēng)為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類(lèi)似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱(chēng)為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫(xiě)速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]