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Hynix新NAND快閃記憶體制造廠在清州投產(chǎn)

　　據(jù)國外媒體報道，全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix周四表示，其在韓國建成的新NAND快閃記憶體制造工廠正式投產(chǎn)。　　據(jù)國外媒體報道，Hynix表示，該新廠位于清州，月產(chǎn)量可達到30萬件，并有望于在數(shù)月后提高到50萬件。　　Hynix在清州還建有另外兩個芯片制造廠，目前正在運作當中。　　Hynix的首席執(zhí)行官Kim Jong-gap表示，公司計劃加強產(chǎn)品在價格方面的競爭力，并在接下來的研發(fā)道路中保持高水準的投資。
關鍵字： NAND Hynix 快閃記憶體

臺灣工研院建固態(tài)硬盤認證平臺

　　固態(tài)硬盤(SSD)借低價電腦熱潮迅速興起，英特爾、三星等國際大廠結合NAND閃存芯片制造和技術優(yōu)勢走在前列，臺系陣營為了急起直追，由當?shù)毓I(yè)情報機構工研院、測試廠百佳泰和臺廠合力發(fā)起的“SSD聯(lián)盟”(SSD Alliance)合作建立了一套測試認證平臺，希望藉此機會把SSD硬件測試平臺建立起來，為臺灣廠商臺廠搶占固態(tài)硬盤市場先機。　　工研院電光所詹益仁表示，英特爾將推出容量高達80GB的SSD產(chǎn)品，2009年還將推出100GB產(chǎn)品，其他包括三星電子、東芝等廠商也都在積極介入
關鍵字：固態(tài)硬盤 NAND 閃存芯片 SSD

英特爾筆記本專用SSD硬盤30天內(nèi)上市

　　英特爾NAND產(chǎn)品事業(yè)部今天發(fā)布了高性能固態(tài)驅動器(SSD)的產(chǎn)品線規(guī)劃和發(fā)布時間表。固態(tài)驅動器適用于移動與臺式機客戶端、企業(yè)級服務器、存儲設備和工作站。這一系列產(chǎn)品稱作英特爾高性能SATA固態(tài)驅動器產(chǎn)品線，是基于固態(tài)閃存的數(shù)據(jù)存儲設備，用于存儲計算機中的數(shù)據(jù)，可模擬并替代某些計算機中的硬盤驅動器。　　與傳統(tǒng)的硬盤驅動器(HDD)和目前市場上的固態(tài)驅動器相比，英特爾的全新固態(tài)驅動器具有更重要的優(yōu)勢，包括更快速的整體系統(tǒng)響應能力和計算機開/關啟動時間，卓越的耐用性和可靠性，更長的電池壽命和更低的企業(yè)
關鍵字：英特爾 NAND 固態(tài) 驅動器 SSD HDD

NAND閃存市場價格一路下滑降幅超10%

　　來自閃存制造業(yè)界的消息稱，預計在八月份晚期，當前閃存芯片市場上的主流產(chǎn)品——8GB和16GB NAND閃存芯片的合同價格將雙雙下滑10%. 　　NAND閃存芯片多用于當前的消費類產(chǎn)品上，包括蘋果的iPhone手機、iPod音樂播放器以及數(shù)碼相機等產(chǎn)品上。盡管每年第三季度為消費類產(chǎn)品的傳統(tǒng)銷售旺季，但今年卻無法止住NAND閃存芯片價格下滑步伐。　　三星電子以及SanDisk都對未來的NAND閃存市場持悲觀態(tài)度，由于NAND閃存價格一路下滑，從而引發(fā)他們失去對該市場信心。與此
關鍵字：閃存 NAND 芯片三星

NAND閃存的下一個熱點：性能

　　利用50-40nm的工藝制程節(jié)點，NAND閃存密度已達到16 GB/D及超過2B/C多級單元（MLC）技術。盡管位元密度強勁增長，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長，公司更加重視改進NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿足消費者的需要。再加上存儲產(chǎn)品價格急劇下降，高比特高性能已成為各個公司努力追求的方向。 2008年國際固態(tài)電路會議的論文和2007
關鍵字： NAND 柵極感應 DDR MLC MLC

三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一

　　新華網(wǎng)首爾8月20日電韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。　　三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱，今年1至6月份，三星閃存產(chǎn)品銷售額達75.1億美元，占全球閃存市場的30%。　　韓國海力士半導體公司位列第二，全球市場份額為13%，美國米克倫技術公司和日本的爾必達內(nèi)存公司分列第三、第四位，市場份額分別為8%和7%。　　三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷，第二季度該類產(chǎn)品銷售額達14.2億美元，占當季全球NAND閃存銷售的42.3%，
關鍵字：三星閃存 NAND DRAM

三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一

　　新華網(wǎng)首爾8月20日電韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。　　三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱，今年1至6月份，三星閃存產(chǎn)品銷售額達75.1億美元，占全球閃存市場的30%。　　韓國海力士半導體公司位列第二，全球市場份額為13%，美國米克倫技術公司和日本的爾必達內(nèi)存公司分列第三、第四位，市場份額分別為8%和7%。　　三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷，第二季度該類產(chǎn)品銷售額達14.2億美元，占當季全球NAND閃存銷售的42.3%，
關鍵字：三星半導體 DRAM NAND

東芝發(fā)布最大容量嵌入式NAND閃存

　　東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應用于移動數(shù)碼消費產(chǎn)品，包括手機和數(shù)碼相機，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產(chǎn)。隨著帶有控制器功能的存儲器需求不斷擴大，東芝已經(jīng)采取行動使其在這個不斷擴大的市場上占領領先地位，東芝還加入更大容量的模塊以鞏固公司的地位。
關鍵字：東芝 NAND 閃存嵌入式

TDK推出兼容U.DMA6的GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI　

　　TDK 公司日前宣布開發(fā)出GBDriver RA8系列NAND閃存控制器LSI，該產(chǎn)品計劃于九月份開始銷售。　　GBDriver RA8系列是用于U.DMA6的高速NAND控制器IC，與2K字節(jié)/頁和4K字節(jié)/頁的NAND閃存兼容。該控制器支持單級單元（SLC）和多級單元（MLC） NAND 閃存，實現(xiàn)了從128M字節(jié)到1 G字節(jié)（SLC）和256M字節(jié)到32G字節(jié)（MLC）的高速閃存存儲容量，因而該控制器適用的應用領域非常廣泛。此外，該控制器具有128 針TQPF 封裝方式和121 針VF
關鍵字： TDK NAND 閃存控制器 LSI

Hynix與Numonyx簽5年協(xié)議共同開發(fā)NAND技術

　　據(jù)國外媒體報道，近日，全球第二大電腦記憶體晶片制造商Hynix表示，已與意法半導體(STMicroelectronics NV)和英特爾的合資公司Numonyx BV簽署了一項為期五年的協(xié)議，拓展其在快速增長的NAND閃存領域的共同開發(fā)項目。　　據(jù)國外媒體報道，根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，兩家公司將合作擴大NAND產(chǎn)品線，推出新產(chǎn)品和實現(xiàn)技術創(chuàng)新，從而應對未來五年NAND技術所面臨的挑戰(zhàn)。　　根據(jù)協(xié)議內(nèi)容，Hynix和Numonyx將共同開發(fā)技術項目，聯(lián)合提供領先的NAND存儲技術和產(chǎn)品，并進行資源整合以促
關鍵字： NAND 閃存 Hynix 意法半導體 Numonyx

恒憶與海力士擴大合作共同推廣創(chuàng)新的NAND閃存技術與產(chǎn)品

　　恒憶（Numonyx）今天宣布與海力士半導體公司達成為期五年的協(xié)議，在飛速增長的NAND閃存領域擴展聯(lián)合開發(fā)計劃。針對NAND技術在未來五年面臨的挑戰(zhàn)，兩家公司將擴大NAND產(chǎn)品線并共同研發(fā)未來產(chǎn)品，進行技術創(chuàng)新。　　根據(jù)新協(xié)議，恒憶和海力士將擴大聯(lián)合開發(fā)的范圍，共同提供領先的NAND存儲器技術和產(chǎn)品，并且整合資源以加快未來NAND技術及解決方案的開發(fā)。在應用于手機多芯片封裝的移動DRAM領域，雙方也將進行合作。　　恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison表示："未來五年，在
關鍵字： NAND 恒憶海力士閃存

微控制器的市場前景及發(fā)展趨勢

　　微控制器廣泛應用于各種小型電器，隨著技術的發(fā)展，其不但價格低廉，而且功能越來越強大。由于家用電器、手持式消費電子產(chǎn)品、手持式通信裝置和車用電子等領域的市場推動，微控制器的使用量越來越大而且表現(xiàn)出了更新?lián)Q代的趨勢。預計在未來的市場中，低階應用將會以8位微控制器為主，而高階應用將會由32位微控制器稱霸。當然，也有可能沖出一個比32位微控制器更強大的產(chǎn)品，如果能夠控制成本，則32位微控制器將面臨很快被淘汰的命運。不過就目前的情形來看，32位微控制器將在市場中活躍一陣子。其市場占有率將會逐漸上升，到2010年
關鍵字：微控制器半導體微處理器 NAND

蘋果大量訂購NAND芯片：三星預警缺貨

　　據(jù)我國臺灣省的一家媒體報道稱，三星對其客戶發(fā)出預警，因蘋果大量訂購NAND閃存芯片，預計這類芯片將在一段時間內(nèi)缺貨。　　當?shù)貢r間本周三，《電子時報》報道稱，三星在對其客戶發(fā)出的預警中表示，蘋果最近向三星訂購了5000萬顆8Gb的NAND閃存芯片，計劃用于3G版iPhone上；想必大家都聽說此事了。因此三星的其它客戶需要等上一段時間后才能收到三星的發(fā)貨。三星是蘋果的固定供應商之一，兩家公司在2005年簽署了NAND閃存供貨合同。　　蘋果這次訂購的NAND閃存芯片總容量相當于5000萬GB(8Gb
關鍵字：三星 NAND 閃存蘋果

五月份全球半導體銷售增長7.5%達到218億美元

　　【eNet硅谷動力消息】半導體工業(yè)協(xié)會公布月度報告顯示，今年五月份全球半導體的銷售收入從去年同期的203億美元增長了7.5%達到218億美元。受到全球消費電子產(chǎn)品銷售強勁和美國消費性支出好轉的推動，五月份半導體銷售收入比四月份增長了2.8%，四月份全球半導體銷售收入為212億美元。　　數(shù)據(jù)顯示，在半導體銷售中，計算機是最大的終端市場。今年前五個月，全球半導體銷售收入達到1034億美元，比去年同期增長了5.3%。　　半導體工業(yè)協(xié)會總裁George Scalise在一份聲明中表示，盡管有媒體報告了
關鍵字：半導體計算機芯片數(shù)碼相機手機 NAND 閃存

全球閃存市場達254億美元廠商Q4投身30nm制程

　　據(jù)外電報道，NAND Flash(閃存)制造廠制程技術持續(xù)不斷推進，集邦科技表示，各Flash制造廠自今年第四季起將陸續(xù)轉進30納米制程技術。　　根據(jù)美光預估，今年全球NAND Flash市場可望增長至254億美元規(guī)模，除了目前一般數(shù)字影音播放器、UFD(通用串行總線閃存儲存驅動器)、記憶卡等應用外，也相當看好移動儲存市場的發(fā)展?jié)摿Α? 　　為降低生產(chǎn)成本，強化競爭力，NAND Flash制造廠持續(xù)不斷進行制程技術微縮，其中IM Flash陣營已宣示，34納米制程技術將于今年第四季投產(chǎn)。韓國三星電
關鍵字：閃存 NAND Flash 移動儲存 30納米

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]