NAND Flash供需出現(xiàn)進一步緊繃的狀況。究其原因，除年底旺季需求增加外，最大廠之Samsung工廠3日發(fā)生停電事故，導致市場產生供給量減少之預期亦是主因。然而合約價部份，由于廠商仍存在過度上漲，可能造成需求冷卻之疑慮。因此，即使上漲也應止于小幅上揚。 Samsung之京畿道器興市主力工廠3日發(fā)生大規(guī)模停電，生產NAND Flash等之6條生產線全部停止運轉。雖然4日恢復運轉，但原本部份制造中的產品將廢棄?，F(xiàn)階段Samsung與市場上仍有一定庫存量，9月份實際供給
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三星 NAND 閃存
據(jù)閃存技術的最大支持者之一稱，閃存將“接管”整個世界。 本周三，SanDisk CEO Eli Harari在“閃存峰會”上說，一方面，NAND閃存正在打跨競爭對手。NAND已經(jīng)使1英寸硬盤失去了用武之地，現(xiàn)在，它又對1.8英寸，甚至是更大的2.5英寸筆記本電腦硬盤構成了威脅。 他說，NAND下一個大市場將是視頻，明年，市場上將會出現(xiàn)配置了更多閃存的相機和拍照手機。明年，市場上還將出現(xiàn)更多的閃存筆記本電腦。 在未來的5-7年內，NAND還將開始取代DRAM。由于技
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NAND 閃存
2007年NAND Flash價格走勢戲劇化，但對下游廠商而言，可謂是幾家歡樂幾家愁，一線快閃記憶卡大廠樂得NAND Flash價格止跌反彈，終止長達1年的慘淡經(jīng)營時期；然對于產業(yè)中的二、三線記憶卡廠而言，這波NAND Flash價格大漲的行情，反而不是什么好消息。因為小廠的拿貨能力有限，當上游NAND Flash大廠供給一夕大減，連一線大廠都不見得拿得到足夠的貨源時，等于是宣判小廠正式出局！ 業(yè)界表示，這波NAND Flash價格上漲除了是蘋果(Ap
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NAND 閃存 消費電子
集邦科技昨天公布第二季全球NAND Flash銷售排名，南韓三星(Samsung)第二季市占率達43.9%，穩(wěn)居全球龍頭寶座，日本東芝 (Toshiba)居次，海力士 (Hynix)位居第三；包括三星等前三大廠合計市占率達85.5%，市場集中度高。集邦科技表示，第二季由于制造商暫緩產能擴充計劃，加上大廠們新制程技術轉換仍處調整期，因此整體NAND Flash位產出量僅維持與第一季相當水平，不過受惠于產品價格止跌大幅彈升1成以上水平，帶動NANDFlash制造廠銷售
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三星 NAND 閃存
NOR 和NAND 是閃存(Flash Memory)的兩大主要類型，強調可靠性的NOR 主要用途在于應用程序和操作系統(tǒng)儲存(Code Storage)，成本較低的NAND 則主要使用于數(shù)據(jù)儲存(Data Storage)方面，近來由于手機、數(shù)字相機、數(shù)字音樂播放機、可攜式媒體播放機(PMP)、機頂盒(STB)等終端產品的需求旺盛，帶動兩者銷售量持續(xù)成長，尤其NAND 在蘋果計算機推出的數(shù)字音樂播放機iPod 熱賣
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NAND 內存
閃存的合約價格在7月下半月繼續(xù)上漲，不過目前漲勢已經(jīng)逐漸減緩。DRAM廠商預計第三季度價格將輕微上漲，同時出貨量也大幅提升了。同時，NAND目前價格也呈現(xiàn)上升趨勢，這主要得益于閃存應用范圍的不斷拓展。 DRAM報價一片漲聲 根據(jù)內存交易機構DRAMeXchange（集邦電子）的數(shù)據(jù)，在7月上半月，512Mb DDR2芯片的合約價格上漲了20%以上，不過7月下半月的上漲幅度回落到了3%。 DRAMeXchange表示，目前一些PC OEM廠商向DRAM廠商索要報價
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NAND DRAM 閃存
集邦科技表示，手機及MP3/PMP播放器是今年耗用NAND Flash產能最多的前兩大終端裝置，合計使用的NAND Flash將占市場需求端的一半以上，達52.1%，將是左右NAND Flash市場供需的關鍵。集邦科技指出，手機將是今年NAND Flash最大應用市場，所占比重達27.3%，MP3/PMP播放器次之，約占24.8%；其中MP3/PMP播放器市場，iPod全球市占率超過一半以上，Apple因而是影響市場供需的關鍵廠商。至于手機市場方面，由于NAND&n
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NAND 閃存 消費電子
NAND型快閃存儲器(Flash)終端需求快速擴散，從過去由數(shù)碼相機(DSC)獨霸應用端型態(tài)，近期已轉變成MP3播放器、手機、DSC金三角撐起一片天局面，3者合計占NAND Flash應用達80%，隨身碟應用則緊追在后；值得注意的是，自2007年第3季起，由于插卡式手機快速普及，使得手機占NAND Flash應用比重已正式超過MP3播放器。 目前NAND Flash應用主要包括DSC、MP3播放器、手機、隨身碟和其它應用，其中，DSC、MP3播放器、手機等3項領域共占
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NAND 閃存 消費電子
根據(jù)內存市場研究公司集邦科技(DRAMeXchang)所發(fā)表的最新報告，七月上旬NAND Flash合約價出爐；SLC市場供給吃緊、合約價大漲，平均漲幅約15%~30%。而根據(jù)集邦的研究數(shù)據(jù)來觀察，整體NAND Flash需求將在本季超過供給，下半年NAND Flash產出將供不應求。 在MLC部分，集邦表示，因供貨商持續(xù)將產能轉往8Gb以上的產品，另外加上iPhone題材所帶來的預期心理，4Gb產出日益降低而大漲30%，高容量MLC也順勢漲了
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NAND 內存 存儲器
集邦科技最新報告指出，伴隨需求持穩(wěn)放大，加上DRAM、FLASH產能供給調整趨于平衡，NAND FLASH浮現(xiàn)供給缺口跡象，七月上旬NANDFLASH合約報價，SLC大漲15％至30％之多％。集邦認為，依照當前掌握數(shù)據(jù)觀察，整體NAND Flash需求將在第三季超過供給，下半年NAND Flash將供不應求，第三季、第四季供給缺口各約0.3％、1.5％。 模塊廠勁永指出，F(xiàn)lash第二季初仍持續(xù)下跌，因上游國際大廠SLC及MLC制程轉換影響，五月份下旬價格才開始緩步
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NAND 閃存
NAND flash方面，由于iPhone內部使用的NAND flash顆粒是以三星（Samsung）的產品為主，所以三星的NAND flash營收也將因iPhone的熱賣而直接受益。集邦科技預估iPhone今年下半年出貨量至少約在400萬支左右，而2008年iPhone的出貨量將占全球手機市場的1%左右，到達1200萬支。倘若iPhone今年下半年4GB和8GB的出貨比重相同，則iPhone耗用NAND flash的數(shù)量為192mn (1Gb的顆粒為單位
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iPhone NAND 閃存
NAND型閃存(Flash)供應端下半年恐將拉警報，造成供貨嚴重不足主因，除英特爾(Intel)為搶進50nm制程，決定既有采用78nm制程所生產NAND Flash將暫不供應下游客戶端，還有三星電子(Samsung Electronics)及海力士(Hynix)亦為強化整體競爭力，被迫將產能加速轉進至50nm主流制程，加上為供應蘋果(Apple)下半年龐大訂單，還必須挪出部分采70nm制程產能，在產能兩頭燒情況下，亦無力滿足下游客戶訂單需求，因此，業(yè)界紛預期2007年下半全球NA
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NAND 閃存
全球NAND型閃存(Flash)大廠美光(Micron)近來針對全球NAND Flash市場未來發(fā)展發(fā)出警語表示，目前NAND Flash廠制程技術發(fā)展相當快速且先進，但微影技術無法跟上NAND Flash廠發(fā)展，尤其令人感到驚訝的是，微影設備商技術竟遠落后NAND Flash大廠數(shù)年，幾家NAND Flash廠商為于未來順利發(fā)展，還必須領先微影設備商，自行開發(fā)一些相關技術。 近來全球各大DRAM廠為能有效運用旗下晶圓廠，加上NAND&
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NAND 閃存 美光 Micron
根據(jù)國外媒體報導， NAND閃存市場上的競爭業(yè)者，包括Hynix、IM Flash與Toshiba等，最近都悄悄增加產量，并且準備推出45nm以下的產品。這個領域的供貨商不但在程序技術上激烈競爭，也在準備因應市場上新的需求與產品的周期。市面上逐漸出現(xiàn)需要NAND的新應用，例如flash BIOS、solid-state storage與具備DVR功能，采用閃存的電視機。NAND業(yè)者最近動作頻仍，市場領導供貨商Samsung Electronics展示了一款30-nm NAND組件，第二大供貨商 Toshi
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NAND 閃存
NAND閃存產業(yè)風水輪流轉，變化相當快速，原本第一季度頭號存儲卡廠商SanDisk還被第二名的金士頓（Kingston）苦苦追趕，飽受價格大跌之苦，然經(jīng)過這一波缺貨潮的洗禮之后，SanDisk成為了閃存存儲卡產業(yè)中的最大贏家。從上游NAND閃存晶圓，到終端成品制造一條鞭掌握的模式，在缺貨時期的優(yōu)勢發(fā)揮淋漓盡致。 SanDisk2007年第一季度受到NAND閃存價格大跌、終端需求疲弱不振的影響，財報出現(xiàn)了赤字，SanDisk在2007年第一季度凈虧損57.5萬美元，每股剛好損益平衡，第二季度受到了NAND閃
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NAND 閃存 存儲器
nand介紹
一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR.
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [
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