nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

NAND市況是“業(yè)內(nèi)有史以來最糟糕的”

根據(jù)iSuppli公司的正式消息，NAND閃存供應(yīng)商所面臨的市況是業(yè)內(nèi)有史以來最惡劣的，并且這種狀況可能進(jìn)一步惡化。如果不是到了岌岌可危的境地，供應(yīng)商們就不會抱怨NAND閃存業(yè)務(wù)的定價和收益率的悲哀狀況了。與2006年第四季度17%的降幅相比，今年第一季度每Mb的NAND閃存的平均定價有望下降35%到40%。這種戲劇性的價格下滑意味著NAND閃存業(yè)務(wù)作為一個整體將在今年第一季度遭遇運(yùn)營損失，該市場有史以來第一次發(fā)生這樣的事情。經(jīng)濟(jì)學(xué)101法則需求對降價呈現(xiàn)彈性的響應(yīng)，市況惡劣的主要原因在于NAND供
關(guān)鍵字： NAND 閃存存儲 DRAM

NAND近期市場形勢升級為“中性”

對于受嚴(yán)重價格侵蝕打擊近六個月之久的NAND閃存供應(yīng)商來說，現(xiàn)在有好消息但不是最好的消息：iSuppli公司已經(jīng)更新了近期該市場的形勢評級。目前，iSuppli將2006年10月2日那一周以來一直保持的NAND供應(yīng)商市場形勢評級自“負(fù)面”升為“中性”。就在兩周前，iSuppli還認(rèn)為供應(yīng)商的情況是有史以來最為糟糕的。但是峰回路轉(zhuǎn)—在持續(xù)惡劣條件的情況下，其拐點(diǎn)即將來臨。 iSuppli的NAND動量指標(biāo)—上周跟蹤各項決定市場狀態(tài)因素的指標(biāo)向正臨界偏移，該現(xiàn)象是自2006年11月13日那一周后首次出現(xiàn)。
關(guān)鍵字： NAND 存儲

NAND市場在一季度遭遇最慘痛經(jīng)歷

一季度NAND閃存市場有多糟糕？糟糕得驚人！ • 全球NAND市場營收下降了6.84億美元，相比2006年第四季度下降了20.6%！ • 市場如此糟糕以至于一個被公認(rèn)為該市場領(lǐng)軍供應(yīng)商N(yùn)AND的營收在此期間下降了10.1%！ • &nbs
關(guān)鍵字： NAND

受三星停電事件影響 NAND價格上漲15-25%

根據(jù)集邦科技資料，8月上旬NAND型閃存價格受韓國三星停電事件影響，平均上漲約15-25%。集邦分析師指出，由于短期內(nèi)旬NAND型閃存市場供貨不足，預(yù)估8月下旬價格將持平或小漲。據(jù)港臺媒體報道，三星半導(dǎo)體廠區(qū)在8月3日下午發(fā)生停電事件，使得該公司的6、7、8、9以及14廠的生產(chǎn)均受到停電中斷的影響，但三星已宣布于8月4日下午恢復(fù)到正常生產(chǎn)狀況，根據(jù)該公司初步估計損失約4300萬美元。 &
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子三星停電 NAND 存儲器

NAND閃存芯片吃緊加劇行業(yè)整合態(tài)勢

隨著NAND閃存芯片需求的增加，內(nèi)存廠商已越來越難得到充足的NAND閃存芯片供應(yīng)，NAND閃存芯片吃緊加劇了內(nèi)存產(chǎn)業(yè)整合，業(yè)內(nèi)人士稱現(xiàn)在已有許多小規(guī)模的內(nèi)存廠商從市場中退出。　　今年前一段時間NAND閃存芯片價格出現(xiàn)了下滑，現(xiàn)在價格又開始了回升，可這并不能讓眾多內(nèi)存廠商高興起來，因為并非所有的內(nèi)存廠商都能得到足夠的NAND閃存芯片供應(yīng)，特別是在蘋果霸占了三星的大量NAND產(chǎn)品的情況下。　　現(xiàn)在約有一半的二線三線內(nèi)存廠商退出了NAND閃存業(yè)務(wù)，這也是不得已而為之，由
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子 NAND 閃存芯片

中芯國際切入NAND閃存市場

在iPhone的帶動下，NAND閃存市場近期一片大好，國內(nèi)的晶元代工大廠中芯國際也抵制不住NAND閃存市場的誘惑，在近期宣布，下半年將開始量產(chǎn)2Gb NAND閃存顆粒并已經(jīng)投入8Gb NAND閃存顆粒的研發(fā)，預(yù)計明年將成為全球重要的NAND閃存顆粒供應(yīng)廠之一。受到今年Q2內(nèi)存價格崩盤以及0.13微米制程代工競爭激烈影響，國內(nèi)晶元代工大廠中芯國籍Q2營收出現(xiàn)約200萬美元左右的稅后虧損。做為晶元代工
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子中芯國際 NAND

微軟聯(lián)手英特爾戴爾開發(fā)標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存接口

5月31日消息，美國當(dāng)?shù)貢r間5月30日，微軟公司宣布將與英特爾、戴爾結(jié)成合作伙伴關(guān)系，開發(fā)面向PC的標(biāo)準(zhǔn)NAND閃存接口。據(jù)techspot網(wǎng)站報道稱，名為“非揮發(fā)性內(nèi)存主機(jī)控制器接口組織”的這一組織是由英特爾倡導(dǎo)成立的，旨在利用閃存加速現(xiàn)代操作系統(tǒng)中的功能，例如Windows Vista中的ReadyBoost和ReadyDrive。該組織希望能夠加速其標(biāo)準(zhǔn)的普及，從而使其優(yōu)勢得到真正的體驗。英特爾或其它廠商是否會將這一接口提供給Windows之外的其它軟件還不得而知，但從該組
關(guān)鍵字： NAND 微軟消費(fèi)電子英特爾消費(fèi)電子

美國美光科技：NAND閃存的未來在SSD

作為贊助商參加Windows Hardware Engineering Conference（WinHEC）的美國美光科技公司(Micron Technology, Inc.)舉辦了名為“Flash Memory Technology Direction”的技術(shù)研討會（Technical Session）。該公司 Memory Products Group 的首席應(yīng)用工程師（D
關(guān)鍵字： NAND SSD 消費(fèi)電子消費(fèi)電子

NAND Flash和NOR Flash的比較

　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　相“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因
關(guān)鍵字： flash NAND NOR 存儲器消費(fèi)電子

臺模塊廠飽受NAND Flash缺貨之苦三星陣營臺廠壓力倍增

相較于DRAM價格萎靡不振，近期南韓內(nèi)存大廠三星電子(Samsung Electronics)對于拉抬NAND型閃存( Flash)市場不遺余力，然最令客戶頭痛的問題是，目前三星電子受限于產(chǎn)能問題，釋出給臺廠NAND Flash貨源仍相當(dāng)有限，各模塊廠都飽受缺貨之苦，而隸屬于東芝(Toshiba)陣營的客戶，尤其是內(nèi)存模塊大廠金士頓(Kingston)，由于東芝給予的成本較低，最近在大陸市場低價策略越來越積極，這讓與三星電子站在同一陣營的臺廠壓力倍增。近期三星電子不斷釋出N
關(guān)鍵字： Flash NAND 三星消費(fèi)電子模塊消費(fèi)電子

DRAM價格或?qū)⒂|底，NAND供應(yīng)商加快開發(fā)內(nèi)置產(chǎn)品

據(jù)Dramexchange消息，4月下半月的DRAM合約價格下跌到了20美元左右，這也影響到了現(xiàn)貨市場的價格走勢。面向2007年下半年P(guān)C銷售旺季，PC廠商將增加庫存，預(yù)計DRAM需求將隨之增長。因此，DRAM價格可能在2007年下半年觸底。價格持續(xù)下滑，已使DRAM廠商瀕臨虧損。向更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)移，以及提高1GB芯片的出貨量，將是決定2007年下半年DRAM廠商業(yè)績的兩大因素。由于需求仍然疲軟，現(xiàn)貨市場的價格環(huán)境保持低迷。DDR2 512MB 667MHz跌到了2.57美元附近，DDR2 eTT跌到
關(guān)鍵字： DRAM NAND 內(nèi)置產(chǎn)品消費(fèi)電子存儲器消費(fèi)電子

東芝推出業(yè)界容量最大的嵌入式 NAND 閃存

　　東芝公司 (Toshiba Corp.) 與其美洲子公司東芝美國電子元件公司 (Toshiba America Electronic Components, Inc.) 聯(lián)合宣布，該公司已經(jīng)推廣了一種新型嵌入式 NAND 閃存系列產(chǎn)品，這一系列產(chǎn)品遵從了 eMMC 標(biāo)準(zhǔn)并且容量達(dá)到該行業(yè)之最。這種容量為 16GB 的新設(shè)備旨在應(yīng)用于手機(jī)和攝像機(jī)等移動消費(fèi)產(chǎn)品。樣品將于今年第二季度推出市場，大批量的生產(chǎn)將于第四季度開始。在這之前，東芝將在本月開始推出 8GB 樣品，并將于第三季度開始大規(guī)模生產(chǎn)。　　
關(guān)鍵字： NAND 單片機(jī) 東芝嵌入式系統(tǒng) 閃存

從NAND閃存中啟動U-BOOT的設(shè)計

引言隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對大容量數(shù)據(jù)存儲的需求越來越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存設(shè)備就是為了滿足這種需求而迅速發(fā)展起來的。目前關(guān)于U-BOOT的移植解決方案主要面向的是微處理器中的NOR 閃存，如果能在微處理器上的NAND 閃存中實(shí)現(xiàn)U-BOOT的啟動，則會給實(shí)際應(yīng)用帶來極大的方便。 U-BOOT簡介 U-BOOT 支持ARM、 PowerPC等多種架構(gòu)的處理器，也支持Linux、NetBSD和VxWorks等多種操作系統(tǒng)，主要
關(guān)鍵字： NAND U-BOOT 消費(fèi)電子消費(fèi)電子

愛特梅爾推出新型ARM7 閃存微控制器

愛特梅爾推出業(yè)界首款支持千兆字節(jié)以上SDRAM、NAND Flash及CompactFlash存儲容量的ARM7 閃存微控制器通用內(nèi)存接口 (UMI) 配有錯誤糾正代碼控制器，能夠防止NAND 閃存丟失數(shù)位愛特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 現(xiàn)已為基于ARM7™ 的USB微控制器 SAM7 系列增添三款新產(chǎn)品。全新的 SAM7S
關(guān)鍵字： ARM7 CompactFlash Flash NAND SDRAM 愛特梅爾單片機(jī) 工業(yè)控制嵌入式系統(tǒng) 閃存微控制器存儲器工業(yè)控制

Micron35億美金押寶NAND閃存

美國半導(dǎo)體廠商Micron美光表示，他們將于2007年在NAND閃存業(yè)務(wù)上投入35億美金的巨資，以擴(kuò)充生產(chǎn)NAND閃存的設(shè)備之用。　　產(chǎn)業(yè)分析師認(rèn)為，美光之所以35億美金巨資押寶NAND閃存，一方面在于看好NAND閃存在計算機(jī)產(chǎn)品、消費(fèi)電子產(chǎn)品上的應(yīng)用前景，另外，美光也希望借此在和三星電子、東芝等競爭對手的NAND大戰(zhàn)當(dāng)中保持優(yōu)勢地位。　　美光之前和Intel合資成立IM Flash公司，目前的主營業(yè)務(wù)就是NAND閃存。
關(guān)鍵字： Micron NAND 單片機(jī) 美金嵌入式系統(tǒng) 閃存

共1105條 73/74 |‹ « 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 »

nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]