nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

Hynix宣布已成功開(kāi)發(fā)出26nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品

　　南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開(kāi)發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開(kāi)始量產(chǎn)這種閃存芯片之后，他們已經(jīng)于日前成功開(kāi)發(fā)出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱將于今年7月份開(kāi)始量產(chǎn)基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產(chǎn)品. 　　按閃存芯片市占率計(jì)算，Hynix公司去年在閃存芯片市場(chǎng)上的市占率排在第三位，僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據(jù)此前的報(bào)道顯示，三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計(jì)劃于今年第二季度推出基于25n
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傳鎂光公司欲收購(gòu)Numonyx公司

　　業(yè)界傳言鎂光公司目前仍在考慮收購(gòu)Numonyx公司事宜，并稱其仍對(duì)NOR閃存市場(chǎng)抱有興趣。一位市場(chǎng)分析師稱：”我聽(tīng)說(shuō)鎂光有可能會(huì)收購(gòu) Numonyx公司，這說(shuō)明他們似乎在考慮要成為一家為諾基亞等廠商提供閃存產(chǎn)品服務(wù)的一站式廠商。“ 　　此前鎂光已經(jīng)與Intel公司合資成立了專門生產(chǎn)NAND閃存的IM Flash公司，而Numonyx公司則原來(lái)也是Intel內(nèi)部負(fù)責(zé)NOR閃存的部門，不過(guò)后來(lái)Intel將這家公司從Intel分離出來(lái)，并成立了Numonyx，他們把這家公司的49%
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技術(shù)領(lǐng)先領(lǐng)先別無(wú)所求：Intel NAND閃存新戰(zhàn)略縱覽

　　在最近舉辦的一次會(huì)議上，Intel公司屬下NAND閃存集團(tuán)的新任老總Tom Rampone透露了有關(guān)Intel閃存業(yè)務(wù)的一個(gè)驚人規(guī)劃，他們計(jì)劃在閃存技術(shù)和SSD產(chǎn)品市場(chǎng)上取得領(lǐng)先地位，但他們并不準(zhǔn)備在散片NAND閃存市場(chǎng) 上扮演領(lǐng)軍人的角色?？雌饋?lái)他們并不愿意在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn)的NAND閃存散片市場(chǎng)和三星，現(xiàn)代以及東芝這些廠商一爭(zhēng)高下，但于此同時(shí),他們又表現(xiàn)出想把三星從SSD業(yè) 務(wù)排名第一的寶座上拉下來(lái)的意圖。　　Intel不準(zhǔn)備在NAND閃存散片市場(chǎng)稱雄的決定令人稍感驚奇，過(guò)去他們一旦進(jìn)入某個(gè)市場(chǎng)，那
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應(yīng)用材料兩名高管因竊取三星技術(shù)機(jī)密被捕

　　據(jù)報(bào)道，韓國(guó)檢方近日逮捕了兩名美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料Applied Materials高管，罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術(shù)等機(jī)密并出售給了競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手海力士。　　美國(guó)證券交易委員會(huì)的報(bào)告顯示，Applied已經(jīng)確認(rèn)此事，并透露說(shuō)其中一人是前應(yīng)用材料韓國(guó)(AMK)高管、現(xiàn)任應(yīng)用材料副總裁，另一名則是應(yīng)用材料韓國(guó)子工廠的高管。　　應(yīng)用材料在一封電子郵件中表示，由于韓國(guó)檢方目前還未公布兩人的姓名，他們也不方便透露兩者的信息。作為應(yīng)用材料的一大客戶，三星的利益顯然受到了傷害
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創(chuàng)造消費(fèi)價(jià)值是關(guān)鍵

　　32位MCU強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng) 　　從全球范圍內(nèi)的微控制器(MCU)的市場(chǎng)情況看(如圖1)，08年出貨量是119億美元，到09年降低到86億美元。從增長(zhǎng)曲線看，32位微控制器在過(guò)去5年增長(zhǎng)了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增長(zhǎng)。從銷售額來(lái)看，在2009年的前10個(gè)月里有7個(gè)月32位高過(guò)8位，到10月底時(shí)，32位總體下降了近23%，而8位MCU下降了近27%。從數(shù)量上看，8位的下降是26%，而32位只下降10%，因此從單位數(shù)量來(lái)說(shuō)，32位下降較少，NXP(恩智浦)認(rèn)為32位還是有比較強(qiáng)勁的增長(zhǎng)勢(shì)頭，這
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危機(jī)中求生存東芝擬關(guān)閉福岡NAND工廠

　　據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)，東芝計(jì)劃今年關(guān)閉其國(guó)內(nèi)2個(gè)NAND閃存工廠之一,而把存儲(chǔ)芯片封裝工作全部集中于另一工廠。　　即將關(guān)閉的工廠隸屬于Toshiba LSI Package Solution Corp，位于福岡縣宮若市,該廠生產(chǎn)設(shè)備以及約400名員工將被轉(zhuǎn)移到東芝三重縣四日市的工廠。　　為降低生產(chǎn)成本，東芝會(huì)將日本本部作為其研發(fā)及測(cè)試中心，并加速將量產(chǎn)工作移往海外。
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英特爾、美光聯(lián)手推出25納米NAND

　　英特爾公司和美光科技公司今天宣布推出世界上首個(gè)25納米NAND技術(shù)——該技術(shù)能夠增加智能手機(jī)、個(gè)人音樂(lè)與媒體播放器(PMP)等流行消費(fèi)電子產(chǎn)品，以及全新高性能固態(tài)硬盤(SSD)的存儲(chǔ)容量，提供更高的成本效益。　　NAND閃存可用于存儲(chǔ)消費(fèi)電子產(chǎn)品中的數(shù)據(jù)和其它媒體內(nèi)容，即使在電源關(guān)閉時(shí)也能保留信息。NAND制程尺寸的縮小，推動(dòng)了該技術(shù)持續(xù)發(fā)展并不斷出現(xiàn)新的用途。25納米制程不僅是當(dāng)前尺寸最小的NAND技術(shù)，也是全球最精密的半導(dǎo)體技術(shù)——這項(xiàng)技術(shù)成就將
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蘋果刺激NAND Flash需求　各界引頸盼望

　　蘋果(Apple)新產(chǎn)品iPad正式亮相，內(nèi)建16GB、32GB和64GB等3種容量的固態(tài)硬碟(SSD)，可望為低迷許久的NAND Flash市場(chǎng)注入強(qiáng)心針!根據(jù)外資和市調(diào)機(jī)構(gòu)估計(jì)，2010年iPad出貨量將介于600萬(wàn)~1,000萬(wàn)臺(tái)不等，占NAND Flash需求量上看4%，同時(shí)也為產(chǎn)業(yè)開(kāi)創(chuàng)新應(yīng)用領(lǐng)域。惟近期NAND Flash報(bào)價(jià)波動(dòng)相當(dāng)平靜，并未反映蘋果效應(yīng)，下游廠指出，大陸在農(nóng)歷年前又開(kāi)始嚴(yán)查走私，因此當(dāng)?shù)匦枨箐J減，預(yù)計(jì)年后才會(huì)發(fā)動(dòng)補(bǔ)貨行情。　　蘋果推出的平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)
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Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存

　　由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開(kāi)始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以領(lǐng)先其他競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手長(zhǎng)達(dá)一年之久。IMFT公司在閃存工藝上一向非常激進(jìn)，每12-15個(gè)月便升級(jí)一次：成立之初是72nm，2008年是50nm，去年則率先達(dá)到了34nm，在業(yè)內(nèi)領(lǐng)先六個(gè)月左右，也讓Intel提前搶先發(fā)布了34nm第二代X25-M固態(tài)硬盤，美光也即將推出RealSSD C300系列。IMFT生產(chǎn)的閃存芯片有49%供給In
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DRAM跌價(jià)襲擊　模塊廠1月?tīng)I(yíng)收處變不驚

　　2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補(bǔ)貨行情落空，DRAM價(jià)格大跌，所幸NAND Flash價(jià)格比預(yù)期強(qiáng)勢(shì)，存儲(chǔ)器模塊廠1月?tīng)I(yíng)收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營(yíng)收受到2月農(nóng)歷過(guò)年工作天數(shù)減少影響，而呈現(xiàn)下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認(rèn)為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤(rùn)較高，另一方面DDR3短期會(huì)被DDR2價(jià)格帶下來(lái)，但整體第1季DDR3供貨仍相對(duì)吃緊。　　存儲(chǔ)器模塊廠2009年交出豐厚的成績(jī)單，創(chuàng)見(jiàn)、威剛都賺足1個(gè)股本，但2010年1月立
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韓國(guó)成功改良NOR芯片可大幅提升手機(jī)性能

　　韓聯(lián)社(Yonhap)引述首爾大學(xué)說(shuō)法指出，1組韓國(guó)工程師已改良手機(jī)用芯片技術(shù)，可大幅提升手機(jī)性能。　　首爾大學(xué)表示，該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的NOR芯片，可克服過(guò)去的諸多缺點(diǎn)。負(fù)責(zé)人表示，盡管NOR芯片能快速回溯資料，但卻因?yàn)镹OR芯片的容量上限僅有1GB，且更較耗能，而被NAND芯片擊敗。相較之下，NAND Flash可儲(chǔ)存32GB的資料，占據(jù)更大優(yōu)勢(shì)。NAND芯片可用于MP3、攝影機(jī)和USB存儲(chǔ)器等裝置上。　　一般的NOR芯片通常并不特別，不過(guò)首爾大學(xué)工程師所開(kāi)發(fā)的芯片卻有重要特點(diǎn)。該團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)教授表示
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英特爾和美光計(jì)劃下周公布閃存芯片的新進(jìn)展

　　英特爾公司和美光科技計(jì)劃下周公布閃存芯片的新進(jìn)展。　　兩家公司有一個(gè)生產(chǎn)NAND閃存芯片的合資企業(yè)，這種芯片應(yīng)用于手機(jī)，音樂(lè)播放器和其他驅(qū)動(dòng)器上。　　2009年，兩家公司表示，它們正開(kāi)發(fā)提高閃存芯片性能的技術(shù)，在芯片的存儲(chǔ)單元上存儲(chǔ)三位數(shù)據(jù)。大多數(shù)NAND芯片單元儲(chǔ)存一位或兩位數(shù)據(jù)。　　這樣，兩家公司就能以更高的存儲(chǔ)性能，更低的成本生產(chǎn)芯片。
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2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化

　　NAND Flash市場(chǎng)未脫傳統(tǒng)淡季，仍在等待蘋果(Apple)補(bǔ)貨效應(yīng)出現(xiàn)，2010年1月下旬NAND Flash合約價(jià)大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調(diào)漲，低容量芯片要嚴(yán)防3-bit-per-cell架構(gòu)的TLC(Triple- Level Cell)成為市場(chǎng)的價(jià)格殺手，但高容量產(chǎn)品新增產(chǎn)能又相當(dāng)有限，因此2010年NAND Flash價(jià)格發(fā)展持續(xù)兩極化。　　近期NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)和合約價(jià)都有止跌的跡象，1月下旬NAND Flash合約價(jià)持平開(kāi)出，在高容量32Gb和64Gb
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海力士第4季獲利6,570億韓元　創(chuàng)3年新高

　　全球第2大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財(cái)報(bào)，隨著全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng)下3年來(lái)新高。　　2009年第4季海力士營(yíng)收為2.8兆韓元(約24.7億美元)，較第3季大幅成長(zhǎng)32%，海力士營(yíng)收成長(zhǎng)主因?yàn)镈RAM及NAND Flash存儲(chǔ)器出貨量成長(zhǎng)，同時(shí)，DRAM平均售價(jià)也上揚(yáng)，此外，第4季海力士?jī)衾麨?,570億韓元，更較第3季大幅成長(zhǎng)167%。　　和2009年第3季相較，2009年第4季海力士DRAM平均售價(jià)及出貨量分別成長(zhǎng)26%及12%，至于N
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內(nèi)存業(yè)醞釀地震：傳金士頓1億美元購(gòu)買海力士

　　業(yè)內(nèi)人士日前透露,美國(guó)金士頓科技公司(Kingston Technology )預(yù)付了1億美元給韓國(guó)海力士半導(dǎo)體公司以購(gòu)買其2010年需要的內(nèi)存和NAND閃存. 　　此外,該業(yè)內(nèi)人士還表示,總部在臺(tái)灣的威剛科技(a-data technology)正在尋求途徑,增加其2010年的芯片供應(yīng)商數(shù)量并且保證能通過(guò)預(yù)付款的方式獲得足夠多的芯片供應(yīng),而威剛所需要的內(nèi)存此前主要來(lái)自韓國(guó)供應(yīng)商. 　　內(nèi)存模塊制造商正在擺脫對(duì)三星電子的依賴,因?yàn)槿请娮觾?yōu)先向PC和系統(tǒng)OEM廠商供貨. 　　另外有消息稱,海力士
關(guān)鍵字：金士頓內(nèi)存 NAND

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡(jiǎn)單的來(lái)說(shuō)，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]