nand 文章進入nand技術(shù)社區(qū)

Intel 開始出貨25nm 8GB 閃存芯片

　　英特爾今天開始出貨25納米NAND閃存，容量為8GB，新款芯片外型上比原有的34nm版本更小，但存儲能力卻增加了一倍，這種芯片主要面向智能手機和多媒體播放器。　　同時英特爾還暗示600GB的固態(tài)硬盤產(chǎn)品將在今年年末出現(xiàn)，使用的應(yīng)該也就是這款閃存芯片。
關(guān)鍵字：英特爾 25納米 NAND

三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關(guān)

　　2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中，仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭，根據(jù)集邦統(tǒng)計，三星的市占率高達39.2%，東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后，第1季位元成長率較上季增加15%，但平均單價(ASP)小跌5%，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元，較上季39.1億元成長11.6%。　　NAND Flash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈，但2010年表現(xiàn)空間不多，在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
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美光12億美元并恒憶坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)

　　美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco Partners)。　　完成收購恒憶后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營收約5.50億美元，自由現(xiàn)金流量達4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
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傳英特爾今年發(fā)布600GB 25nm SSD

　　Fudzilla消息，英特爾今年將有SSD方面的大計劃，預(yù)計在今年第四季度，公司將展示一款160GB-600GB的大容量高速SSD產(chǎn)品。　　這種SSD基于25nm MLC NAND Flash打造，取代之前的34nm MLC技術(shù)，容量包括160、300和600GB，屬于第二代X25-M產(chǎn)品序列，包含1.8和2.5英寸版本。　　其中1.8英寸版本最大容量300GB，將成為供應(yīng)家庭娛樂和消費電子的主推產(chǎn)品。
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海力士：一季度DRAM芯片平均售價季漲3%

　　以收入計全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導(dǎo)體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布，一季度公司動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)平均售價季比上升3%，09年四季度漲幅為26%。　　然而，海力士半導(dǎo)體公司在一份聲明中稱，一季度NAND快閃記憶芯片售價季比下降8%，09年四季度降幅為5%。　　該公司補充道，一季度DRAM芯片發(fā)貨量季比上升6%，NAND芯片發(fā)貨量季比持平。　　海力士半導(dǎo)體公布，該公司一季度營業(yè)利潤率為28%，09年四季度該公司營業(yè)利潤率為25%。
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抓緊景氣回升 IM Flash新加坡廠提前運作

　　英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash，為了趕上半導(dǎo)體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營運。　　2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場，遂于2006年初合資成立IM Flash，由英特爾出錢出力，美光則提供技術(shù)，由IM Flash專門為這2家公司生產(chǎn)NAND Flash。但在半導(dǎo)體景氣循環(huán)來到低點，再加上金融海嘯的沖擊下，IM Flash受到嚴重沖擊，在2008年IM Flash裁員800人，花費35億美元打造，本應(yīng)于2
關(guān)鍵字：三星電子 NAND Flash

三星電子全球率先批量生產(chǎn)20納米制程NAND閃存

　　據(jù)外電報道，三星電子表示，該公司從上周末開始批量生產(chǎn)20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。　　20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產(chǎn)性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導(dǎo)體行業(yè)率先投入到了量產(chǎn)。　　三星電子相關(guān)負責(zé)人表示，公司同時開發(fā)20納米制程32GB多層單元專用controller，確保了與30納米級NAND閃存相同的穩(wěn)定性。　　三星電子的20納米制程NAND閃存將先用于手機存儲卡SD卡。　　此外，今年2月公布開發(fā)20納米制程64GB NAND閃存
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Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn)

Nand+Flash存儲管理在DSP系統(tǒng)中的實現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲的主要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 實現(xiàn) DSP 管理 Flash 存儲 Nand

三星第一季營業(yè)利潤38億美元同比猛增7倍

　　據(jù)國外媒體報道，三星電子今天發(fā)布的財報顯示，受益于PC需求增加以及電視價格上漲，該公司第一季度營業(yè)利潤同比猛增7倍。　　利潤增長　　三星的初步財報顯示，該公司第一季度營業(yè)利潤約為4.3萬億韓元(約合38億美元)，上下浮動區(qū)間為2000億韓元，去年同期調(diào)整后營業(yè)利潤僅為 5900億韓元。根據(jù)彭博社的調(diào)查，15名分析師此前對三星營業(yè)利潤的中位數(shù)預(yù)期為4.27萬億韓元。　　外界預(yù)計，受到存儲芯片以及平板顯示器價格上漲的刺激，三星第一季度將創(chuàng)下今年最好業(yè)績。受此影響，三星股價周一創(chuàng)下歷史新高。分析
關(guān)鍵字：三星電子 NAND 存儲芯片

分析師認為全球芯片市場仍有支撐點

　　按Benchmark Euqity研究公司報道, 緊接著2009年未的迅速地復(fù)蘇, 進入2010年時全球半導(dǎo)體業(yè)在數(shù)量上仍有15-20%的增長。　　按Benchmark的分析師Gary Mobley的看法, 從2009年1月的谷底算起,全球芯片出貨量己經(jīng)增長大於75%。在相同的期間美國費城半導(dǎo)體指數(shù)也增長相近的量。　　當(dāng)大部分工業(yè)分析師都認為今年半導(dǎo)體市場有20%的增長時,Benchmark分析師相信今年非　　常可能有22%-24%的增長。　　其中某些芯片的庫存包括存儲器，部分模擬電路
關(guān)鍵字：芯片 NAND 智能手機

嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應(yīng)用

嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應(yīng)用,當(dāng)前各類嵌入式系統(tǒng)開發(fā)設(shè)計中，存儲模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Nor-flash存儲器的容量較小、寫入速度較慢，但因其隨機讀取速度快，因此在嵌入式系統(tǒng)中，常應(yīng)用在程
關(guān)鍵字：應(yīng)用原理 Nand-Flash 系統(tǒng) 嵌入式

09年全球前十大NAND供應(yīng)商排行榜出爐

　　市場研究機構(gòu)Web-Feet Research公布2009年全球NAND閃存供貨商排行榜，三星電子(Samsung Electronics)仍穩(wěn)居市占率第一名位置，其后則是東芝(Toshiba)與SanDisk;SanDisk的表現(xiàn)意外亮眼，領(lǐng)先美光(Micron)、海力士(Hynix)與英特爾(Intel)。　　在其它市場研究機構(gòu)的排行榜中，SanDisk往往并未列名，因為在某些情況下該公司是與合作伙伴東芝視為一體。Web-Feet Research報告中列出了17家閃存制造商的出貨成績，東芝與
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2009年亞太半導(dǎo)體供應(yīng)商表現(xiàn)出色

　　來自調(diào)研公司 iSuppli的統(tǒng)計顯示，2009年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體處于下滑狀態(tài)，但總部在亞太地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商卻實現(xiàn)了逆勢上漲。　　亞太區(qū)供應(yīng)商專注熱門產(chǎn)品　　iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示，2009年總部位于亞太地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商合計營業(yè)收入實際增長2.3%，從2008年的435億美元上升到445億美元。相比之下，2009年全球半導(dǎo)體營業(yè)收入銳減11.7%，從2008年的2602億美元降至2299億美元。　　“去年芯片產(chǎn)業(yè)形勢黯淡，而亞太地區(qū)的供應(yīng)商卻設(shè)法實現(xiàn)了增長，因為他們專注于
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東芝計劃耗資150億日元生產(chǎn)25納米閃存

　　東芝公司今年計劃耗資150億日元(約合1.6億美元)興建一條試驗生產(chǎn)線，生產(chǎn)小于25納米制程的NAND閃存芯片。　　目前東芝生產(chǎn)的NAND閃存是采用32與43納米技術(shù)，主要應(yīng)用于手機及數(shù)字相機等電子消費產(chǎn)品。為生產(chǎn)新的25納米制程以下的芯片，需使用較短光波的極紫外光微影(EUV lithography)技術(shù)，因此，東芝也將進行相應(yīng)的技術(shù)升級。目前，東芝已向荷蘭半導(dǎo)體微影系統(tǒng)大廠ASML訂購設(shè)備，預(yù)計在今年夏天試驗投產(chǎn)。消息一經(jīng)公布，東芝在股市中漲幅達3.5%，遠遠超過同類電氣機器指數(shù)0.8%的漲幅
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Micron發(fā)布季度報告 DRAM銷售環(huán)比增長24%

　　Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010財年第二季度的運營成果。對于2010財年的第二季度，該公司取得了可歸屬于其股東的3.65億美元，合攤薄股每股0.39美元的凈收入，其凈銷售額達近20億美元。相比之下，2010財年第一季度的凈收入為2.04億美元，合攤薄股每股0.23美元，凈銷售額為17.4億美元，并且2009財年第二季度的凈虧損為7.63億美元，合攤薄股每股0.99美元，凈銷售額為10億美元。2010財年之前各個時期的金額及
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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]