nand 文章進入nand技術(shù)社區(qū)

U-Boot從NAND Flash啟動的實現(xiàn)

摘要：U-Boot不能從NAND Flash啟動給應(yīng)用帶來些不便，因此修改U-Boot使其支持從NAND Flash啟動。分析了U-Boot啟動流程的兩個階段及實現(xiàn)從NAND Flash啟動的原理和思路，并根據(jù)NAND Flash的物理結(jié)構(gòu)和存儲特點，增加U-
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日本半導(dǎo)體企業(yè)1Q財報喜憂參半

　　日本半導(dǎo)體廠2010年度第1季(4~6月)財報表現(xiàn)明暗兩極。東芝(Toshiba)、爾必達(Elpida)拜內(nèi)存事業(yè)表現(xiàn)亮眼之賜，獲利從谷底攀升;瑞薩電子(RenesasElectronics)則因系統(tǒng)芯片事業(yè)拖累，該季仍難揮別虧損陰霾。　　東芝半導(dǎo)體事業(yè)的營業(yè)利益皆為NANDFlash所挹注。副社長村岡富美雄表示，受惠于蘋果(Apple)iPhone等智能型手機需求帶動，加上 NANDFlash均價跌幅趨緩，東芝半導(dǎo)體事業(yè)表現(xiàn)遠超過預(yù)期。小幅虧損的系統(tǒng)芯片事業(yè)亦因NANDFlash的豐沛獲利得以
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VLSI提高半導(dǎo)體預(yù)測但CEO們?nèi)允侵斏鞯臉酚^

　　VLSI提高IC預(yù)測，但是該公司看到雖然很多產(chǎn)品供不應(yīng)求，但是有一種可能DRAM市場再次下跌。　　同時由于經(jīng)濟大環(huán)境可能對于產(chǎn)業(yè)的影響，目前對于產(chǎn)業(yè)抱謹慎的樂觀，如Marvell.Silicon Image及其它公司的大部分高管都有同樣的看法。　　VLSI在它的最新看法中發(fā)現(xiàn)各種數(shù)據(jù)是交叉的，按VLSI的最新預(yù)測，2010年IC市場可能增長30%，但是2011年僅增長3.7%。而2010年半導(dǎo)體設(shè)備增長96%。　　而在之前的預(yù)測中認為2010年全球IC市場增長28.1%，其它預(yù)測尚未改變。
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分析師認為閃存熱但是供應(yīng)鏈不配套

　　無疑2009年對于閃存市場是可怕之年。　　要感謝產(chǎn)業(yè)的很快復(fù)蘇，預(yù)測2010年全球閃存市場已經(jīng)很熱，然而按Web-Feet Research報告，其供應(yīng)鏈部分卻遭受困境。　　按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報告，NOR及NAND市場都很熱。NOR市場由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場與2009年相比增長33.4%，達215億美元。　　這是好的消息而壞消息在供應(yīng)鏈中也開始傳了出來。　　Apple及其它OEM釆購大量的閃存，使得市場中有些購買者采
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蘋果砸中閃存

　　iPhone、iPad等蘋果i家族產(chǎn)品的熱銷，正引發(fā)連鎖反應(yīng)。　　7月28日，閃存企業(yè)SanDisk全球高級副總裁兼零售業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Shuki Nir在上海接受本報記者專訪時表示，蘋果產(chǎn)品的熱銷消耗了整個閃存芯片市場不少庫存，目前行業(yè)正處于供不應(yīng)求的局面。　　受此拉動，閃存芯片巨頭們普遍迎來了一個靚麗的財季。　　近期陸續(xù)出爐的最新一季財報顯示，在iPhone以及iPad的拉動下，閃存芯片近期需求及價格大幅上升，英特爾、三星、美光、海力士、東芝、SanDisk等閃存芯片主要提供商在當(dāng)季的銷售
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三星電子第二季度凈利潤36億美元同比增83%

　　據(jù)國外媒體報道，三星電子周五發(fā)布了該公司2010年第二季度財報。財報顯示，受芯片業(yè)務(wù)大幅增長的推動，公司第二季度凈利潤同比增長83%。　　在截至6月30日的第二季度，三星電子凈利潤為4.28萬億韓元(約合36億美元)。這一業(yè)績好于上年同期，2009年第二季度，三星電子的凈利潤為2.33萬億韓元。三星電子第二季度運營利潤為5萬億韓元(約合41億美元)，創(chuàng)公司季度運營利潤歷史新高，同比增長87.5%。三星電子第二季度營收為37.9萬億韓元，較去年同期增長17%。三星電子本月初發(fā)布的初步財報顯示，公司第
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EUV要加大投資強度

　　未來半導(dǎo)體制造將越來越困難已是不爭的事實。巴克萊的C J Muse認為如DRAM制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰(zhàn)階段，在4x，3x節(jié)點時發(fā)現(xiàn)了許多問題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒有)，是黃金時刻，然后在芯片制造中其它的工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)也有很多，如兩次圖形曝光(在NAND，DRAM及l(fā)ogic中)，高k金屬柵等。由此，在未來的2011-2012年，甚至更長一段時期內(nèi)必須要加大投資強度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時間，它是在牛/熊市小組座談會上發(fā)表此看法) 。另一位會議
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三星明年將量產(chǎn)次世代NAND Flash

　　三星電子(Samsung Electronics)宣布，2011年將開始量產(chǎn)較既有快閃存儲器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年開始量產(chǎn)后，采用該產(chǎn)品的智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)中所儲存的影片、照片、音樂等再生速度將更上一層樓。　　三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的Toggle DDR2.0規(guī)格NAND Flash開發(fā)作業(yè)，并計劃于2011年投入量產(chǎn)。三星計劃20奈米制程以下的NAND Flash產(chǎn)品將
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三星與東芝聯(lián)合加快NAND Flash速度

　　三星和東芝公司已經(jīng)宣布了一個合作計劃，旨在制定新規(guī)范推動NAND快閃記憶體的傳輸速率，具體來說，兩家公司致力于發(fā)展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術(shù)，這比目前版本的NAND閃存接口技術(shù)快了十倍，這項技術(shù)將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開發(fā)的ONFI接口進行直接競爭，主要面向高性能產(chǎn)品例如SSD以及智能手機和消費電子產(chǎn)品。　　三星和東芝公司目前供應(yīng)NAND快閃記憶體市場70%的貨源，因此它們在行業(yè)內(nèi)具有相當(dāng)大的話語權(quán)，這對他們的新規(guī)范計劃將非常有利。　　三星上個月
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爾必達與Spansion簽署NAND Flash代工協(xié)議

　　日廠爾必達(Elpida)將與飛索半導(dǎo)體(Spansion)擴大合作范圍，雙方除共同研發(fā)NAND Flash制程技術(shù)與產(chǎn)品外，爾必達將為飛索半導(dǎo)體代工生產(chǎn)NAND Flash。另外，爾必達亦在研擬雙方合作研發(fā)NOR Flash，并為其代工的可能性。　　據(jù)悉，爾必達已取得飛索的NAND IP技術(shù)的授權(quán)，該項技術(shù)乃是以其稱為MirrorBit的獨家技術(shù)為基礎(chǔ)。此外，爾必達計劃自2011年起透過旗下的廣島12寸廠，為飛索代工生產(chǎn)高階NAND Flash，而雙方亦將各自進行客戶營銷。　　路透(Reut
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三星東芝支持高速DDR 2.0 NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)

　　三星和東芝今天共同宣布，雙方將協(xié)力支持新一代高性能NAND閃存技術(shù)：擁有400Mbps接口的DDR NAND閃存，即toggle DDR 2.0規(guī)范。兩家公司將支持這一規(guī)范成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，被業(yè)界廣泛接受使用。　　最初的SDR NAND閃存架構(gòu)接口速度僅為40Mbps，現(xiàn)行的DDR 1.0標(biāo)準(zhǔn)將接口帶寬提高到了133Mbps。三星和東芝推動的toggle DDR 2.0規(guī)范則進一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND閃存的10倍。　　高速閃存接口的優(yōu)勢不言而喻，未來將
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三星東芝宣布將參與DDR2.0 NAND接口規(guī)范制定工作

　　閃存業(yè)兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制訂工作，這種新一代閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的接口數(shù)據(jù)傳輸率將高達400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時候會完成該標(biāo)準(zhǔn)規(guī) 范的制定工作，另外也沒有說明新一代閃存規(guī)范使用的閃存芯片存儲密度參數(shù)。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動和消費級電子類應(yīng)用。　　現(xiàn)有的DDR1.0版本NAND閃存接口規(guī)范只是將DDR數(shù)據(jù)傳輸接口與傳統(tǒng)的單倍數(shù)據(jù)傳輸率NAND單元結(jié)合在一起使用，接口數(shù)據(jù)傳輸率僅133Mbit/s
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爾必達赴臺設(shè)NAND Flash研發(fā)中心

　　據(jù)了解，日商爾必達已決定來臺設(shè)立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領(lǐng)域。爾必達來臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣，未來將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進一步合作。　　據(jù)悉，爾必達與臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達與臺灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達互動密切，爾必達已于日前向經(jīng)濟部遞出在臺設(shè)立研發(fā)中心的初步計劃書，經(jīng)濟部正進行審查中。　　官員透露，爾必達來臺設(shè)立研發(fā)中心的計劃相當(dāng)成熟，已進入實質(zhì)合作內(nèi)容洽談中，研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動態(tài)存儲器
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亞洲需求成全球半導(dǎo)體市場強力支撐

　　全球半導(dǎo)體市場需求成長已優(yōu)于2008年秋季金融危機爆發(fā)前的水平，2010年5月半導(dǎo)體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來看，含大陸在內(nèi)的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續(xù)成長中，已成為全球半導(dǎo)體市場需求的強力支撐。然因市場對歐洲經(jīng)濟成長仍持疑慮，2010年秋季后市場需求動態(tài)值得關(guān)注。　　美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計數(shù)據(jù)指出，金融危機爆發(fā)前全球半導(dǎo)體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導(dǎo)體銷售額達2
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SEMICON West來臨之際那些分析師說些什么？

　　編者點評：每年的SEMICON West時，時間己經(jīng)過半，所以業(yè)界都會關(guān)心下半年與未來會是怎么樣。2010年半導(dǎo)體業(yè)可能十分亮麗，似乎已成定局。然而對于設(shè)備業(yè)看似今年的增長幅度達90%，但是許多設(shè)備公司仍是興奮不起來，因為2010年業(yè)績的增長仍顯不足于彌補之前的損失。而未來的前景有點模糊，增長點來自哪里?似乎誰也說不清楚。　　SEMICON West美國半導(dǎo)體設(shè)備展覽會即將開幕，與去年全球IC下降不同，如今半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)有點紅火。　　按市場調(diào)研公司 VLSI預(yù)計，2010年半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)增長96%
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體設(shè)備 NAND DRAM

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]