nand 文章進(jìn)入nand技術(shù)社區(qū)

NAND芯片漲價(jià)15% 或引iPad漲價(jià)

　　亞洲最大半導(dǎo)體交易市場Dramexchange分析師西恩·楊15號(周三)表示，東芝旗下一家芯片工廠突發(fā)短時電力故障，以致NAND芯片出現(xiàn)停產(chǎn)。該分析師還表示，到2011年1月中旬之前，包括iPad在內(nèi)等多款產(chǎn)品均在使用的這款NAND閃存芯片價(jià)格或?qū)⑸蠞q15%。　　
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Gartner下調(diào)2011年度半導(dǎo)體設(shè)備市場預(yù)測

　　根據(jù)Gartner發(fā)布的報(bào)告，該公司下調(diào)對于明(2011)年度半導(dǎo)體設(shè)備市場的預(yù)測;原先該公司預(yù)期將成長4.9%，現(xiàn)在預(yù)期將縮減1%。另外，Gartner原先預(yù)估今年成長113%，現(xiàn)在估計(jì)可達(dá)131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出，今年產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了有史以來最強(qiáng)勁的成長，不過2011年度的市場將比較疲軟，屆時設(shè)備采購主要的重點(diǎn)將在于產(chǎn)能的擴(kuò)充而不是在技術(shù)設(shè)備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬，NAND將是記憶體領(lǐng)域中資本投資最多者。
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2011年半導(dǎo)體市場回歸正常軌道

　　2010年全球半導(dǎo)體市場成長幅度超過30%，這是在歷經(jīng)過去幾年全球不景氣之后，經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇所展現(xiàn)出的成果。而據(jù)Semico預(yù)測，2011年全球半導(dǎo)體銷售額年成長幅度大約小于10%。乍看之下，這比2010年成長率要低得多，它代表壞消息嗎?事實(shí)上，這個溫和的成長數(shù)據(jù)代表著半導(dǎo)體市場正在回歸正常軌道。　　
關(guān)鍵字：東芝半導(dǎo)體 NAND

美光新加坡廠明年投產(chǎn)

　　美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進(jìn)，已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座，在擴(kuò)產(chǎn)速度上，美光在2011年也不會缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產(chǎn)，對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，美光表示不擔(dān)心供過于求，在產(chǎn)能增加的同時，平板計(jì)算機(jī)等應(yīng)用也大幅崛起，預(yù)計(jì)2011年NAND Flash市場供需可維持健康的狀態(tài)。　　
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臺灣加入NAND Flash戰(zhàn)局

　　臺灣長久缺席的快閃存儲器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險(xiǎn)，全球大廠紛競逐下世代技術(shù)，近期國家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲器，計(jì)劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲器廠及晶圓代工廠加入，首波會先洽談臺系存儲器廠，目標(biāo)5~10年內(nèi)將此技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，讓臺灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。
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東芝停電事故或?qū)⒁I(lǐng)NAND閃存漲價(jià)

　　亞洲最大的半導(dǎo)體交易市場Dramexchange分析師周三表示，由于東芝一家芯片工廠因短時電力故障而停產(chǎn)的影響，到2011年1月中旬之前，NAND閃存芯片的價(jià)格可能會上漲15%。　　
關(guān)鍵字：東芝 NAND

東芝日本廠跳電受影響產(chǎn)能恐達(dá)20%

　　華爾街日報(bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會影響接下來的產(chǎn)能，普遍使用于智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)及數(shù)碼音樂播放器的NAND價(jià)格將因此跟漲。　　東芝表示，這次的跳電事件可能影響未來2個月的產(chǎn)能，減少20%的產(chǎn)出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產(chǎn)，總產(chǎn)出約占市場產(chǎn)能的3分之1，出貨量僅次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。　　接下來幾個月，全球的快閃存儲器市場的供
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半導(dǎo)體存儲器廠商恢復(fù)大型設(shè)備投資

　　2010年在半導(dǎo)體存儲器業(yè)界，各廠商紛紛恢復(fù)了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結(jié)狀態(tài)的大型設(shè)備投資。由此，市場上的份額競爭再次變得激烈起來。 2008～2009年導(dǎo)致各廠商收益惡化的價(jià)格下跌在2010年上半年僅出現(xiàn)了小幅下跌。然而，進(jìn)入2010年下半年后，以DRAM為中心、價(jià)格呈現(xiàn)出大幅下降的趨勢。2011年很有可能再次進(jìn)入殘酷的實(shí)力消耗戰(zhàn)。技術(shù)方面，微細(xì)化競爭愈演愈烈，以突破現(xiàn)有存儲器極限為目標(biāo)的新存儲器的開發(fā)也越來越活躍。　　
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應(yīng)用材料預(yù)估半導(dǎo)體設(shè)備市場將保持5%的成長率

　　針對2011年半導(dǎo)體資本支出的趨勢，設(shè)備大廠應(yīng)用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠資本支出將大幅成長，幅度將勝過DRAM產(chǎn)業(yè)，晶圓代工也仍然相當(dāng)強(qiáng)勁，預(yù)估整體半導(dǎo)體設(shè)備市場將有持平至5%的成長幅度。　　
關(guān)鍵字：應(yīng)用材料 NAND

預(yù)計(jì)明年NAND閃存銷售量漲價(jià)跌

　　集邦科技發(fā)布近日報(bào)告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達(dá)到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價(jià)格將同比下降35%。　　集邦科技稱，新款智能機(jī)、平板機(jī)的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節(jié)性銷售因素影響。到二季度時，閃存市場的供需就會更加平衡，價(jià)格下降幅度不會太大。　　
關(guān)鍵字： NAND 20nm

全球IC市場喜憂參半

　　根據(jù)VLSIResearch發(fā)布的報(bào)告，該公司預(yù)測2010年度全球IC市場將成長32%，2011年度將成長8%;2010年度設(shè)備市場將成長103%，2011年度將成長10.6%。該公司認(rèn)為目前的全球IC市場呈現(xiàn)出一些正面與負(fù)面的跡象;　
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NAND Flash存儲器管理算法的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)

關(guān)鍵字： Flash NAND 存儲器管理算法映射物理地址

用于SD卡的NAND flash控制芯片的設(shè)計(jì)

　　O 引言　　Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持?jǐn)?shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點(diǎn)，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。本文給出了
關(guān)鍵字：芯片設(shè)計(jì) 控制 flash SD NAND 用于

未來幾年NAND閃存將面臨過剩隱憂

　　據(jù)iSuppli公司，由于智能手機(jī)以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到最高紀(jì)錄。　　預(yù)計(jì)2010年NAND閃存營業(yè)收入將達(dá)到187億美元，比去年的135億美元勁增38%，部分利益于智能手機(jī)和蘋果iPad等消費(fèi)電子產(chǎn)品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長，2011年NAND閃存市場將繼續(xù)增長，盡管不及今年強(qiáng)勁。iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)明年NAND閃存市場上升25%至225億美元。　　
關(guān)鍵字： NAND 智能手機(jī)

2011年全球DRAM經(jīng)營慘淡

　　2010年對于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，可說是值得紀(jì)念的一年，拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)年成長率將高達(dá)30%，創(chuàng)下10年以來新高紀(jì)錄。然而，受到PC產(chǎn)業(yè)成長趨緩影響，2011年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)僅將成長5%，移動通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長的重要動能。預(yù)估2011年移動通訊用產(chǎn)品占總體半導(dǎo)體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機(jī)等移動通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。　　
關(guān)鍵字： SAMSUNG DRAM NAND

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nand介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]