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基于ARM9內(nèi)核Processor對外部NAND FLASH的控制實現(xiàn)

目前流行的ARM9 CPU中,沒有集成NAND FLASH的控制器,可以通過使用NOR FLASH的控制器或者VLIO的控制器,實現(xiàn)對外部NAND FLASH的控制.實測結(jié)果顯示,用8 b I/O的NAND FLASH,在文件系統(tǒng)下讀/寫的速度為3 MB/s,擦除的速度為65 MB/s,滿足現(xiàn)在流行手持設(shè)備對Memory的要求.
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NAND Flash毛利率不復(fù)當(dāng)年新帝全球裁員

　　受到NAND Flash價格直落影響，原本在快閃記憶卡產(chǎn)業(yè)執(zhí)牛耳地位的新帝(SanDisk)，日前無預(yù)警全球大裁員，這次裁員幅度約10分之1。目前以美國總部作為初步的縮減人力計劃區(qū)域，但其它地區(qū)包括亞洲在內(nèi)，不排除有進一步縮減人力的計劃。　　事實上，新帝在2年前合并以色列儲存廠商msystems和近幾年面臨幾波NAND Flash大崩盤之后，新帝的營運組織就一直在改組，但這次是首度大規(guī)模裁員，也使得內(nèi)部員工人心惶惶。　　新帝的營運業(yè)務(wù)涵蓋上游NAND Flash生產(chǎn)制造、NAND Flash控
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一種在片上系統(tǒng)中實現(xiàn)Nand Flash控制器的方法

　　1　引　言　　Flash因為具有非易失性及可擦除性在數(shù)碼相機、手機、個人數(shù)字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設(shè)備中得到廣泛的應(yīng)用。自1989年東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)以來, Nand Flash以其相對于Nor Flash具有更小的體積,更快的寫入和擦除速度,更多次的可擦除次數(shù),以及更低廉的每bit價格得到了迅速發(fā)展。大容量的Nand Flash特別適合現(xiàn)在數(shù)碼設(shè)備中大數(shù)據(jù)量的存儲攜帶,可以降低成本,提高性能。　　ARM7TDMI是世界上廣泛使用的32位嵌入式RIS
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DSP處理器與FLASH存儲器的接口設(shè)計

DSP與FLASH存儲器的接口設(shè)計是嵌入式系統(tǒng)設(shè)計的一項重要技術(shù)，本文以基于三個C6201／C6701 DSP芯片開發(fā)成功的嵌入式并行圖像處理實時系統(tǒng)為例，介紹這一設(shè)計技術(shù)。
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透視 FPGA 的安全性

　　今天的設(shè)計人員已經(jīng)在許多不同的領(lǐng)域中選擇FPGA作為首選的解決方案。這些FPGA器件早已超越了原本作為原型設(shè)計工具的范疇，逐漸用于生產(chǎn)應(yīng)用中，尤其是消費電子和汽車電子等領(lǐng)域。據(jù)Gartner Dataquest市場研究公司指出，F(xiàn)PGA器件在汽車應(yīng)用中的使用規(guī)模從2002到2005年增加約七倍。　　這個增長在很大程度上是來自于FPGA本身的特點。由于象全球定位系統(tǒng) (GPS) 導(dǎo)航裝置和DVD播放機之類設(shè)備的產(chǎn)品壽命相對較短，因此縮短其開發(fā)周期變得非常重要。可編程邏輯便可為設(shè)計人員提供所需的靈活性
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HOLTEK新推出HT46F47E于A/D型Flash MCU

　　03/03/2008訊,HOLTEK半導(dǎo)體繼I/O型Flash MCU之后，推出A/D型Flash MCU HT46F47E。HT46F47E的程序內(nèi)存可以透過ISP (In-System-Programming) 接口直接對已制造好的產(chǎn)品進行MCU程序內(nèi)存的燒錄，且燒錄次數(shù)可達十萬次，此項特性讓客戶能夠很容易地做產(chǎn)品的軟件更新，因而能夠縮短產(chǎn)品的上市時間，并可提供更好的售后服務(wù)。例如客戶可以在產(chǎn)品出貨前燒錄最新版的程序及調(diào)校參數(shù)，不需受限于燒錄次數(shù)；在產(chǎn)品售出后可以很方便地做軟件升級，提供更高的附加
關(guān)鍵字： Flash MCU

ZigBee技術(shù) 無線傳感器網(wǎng)絡(luò)節(jié)點 MCl3192 LPC2138

　　摘要以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對比NAND Flash和NOR Flash的異同;介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了硬件接口設(shè)計和軟件設(shè)計，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。　　關(guān)鍵詞 NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統(tǒng) 　　1 NAND Flash和NOR Flash 　　閃存(Flash Memory)由于其具有非易失性、電可擦除性、可重復(fù)編程以及高密度、低功耗等特點，被廣泛地應(yīng)用于手
關(guān)鍵字： NAND Flash uPSD3234A單片機嵌入式系統(tǒng)

NAND Flash芯片K9F1208在uPSD3234A上的應(yīng)用

以Samsung NAND Flash器件K9F1208為例，對比NAND Flash和NOR Flash的異同；介紹大容量NAND Flash在uPSD3234A增強型單片機系統(tǒng)中的應(yīng)用，完成了硬件接口設(shè)計和軟件設(shè)計，并給出硬件連接圖和部分程序代碼。
關(guān)鍵字： K9F1208 Flash 3234A NAND

NAND Flash上均勻損耗與掉電恢復(fù)在線測試

　　摘要 NAND Flash以其大容量、低價格等優(yōu)勢迅速成為嵌入式系統(tǒng)存儲的新寵，因此其上的文件系統(tǒng)研究也日益廣泛，本文簡要介紹了常用的NAND Flash文件系統(tǒng)YAFFS，并針對YAFFS在均勻損耗和掉電恢復(fù)方面進行在線測試。在給出測試結(jié)果的同時，著重研究嵌入式軟件測試方案和方法;對測試結(jié)果進行分析，并提出改進方案和適用環(huán)境。　　關(guān)鍵詞 NAND Flash 均勻損耗軟件測試 YAFFS 　　引言　　隨著嵌入式技術(shù)在各種電子產(chǎn)品中的廣泛應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)存儲和管理已經(jīng)成為一個重要
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Flash 單片機自編程技術(shù)的探討

???????核心器件:?MSP430? ??? ???????1?MSP430芯片F(xiàn)lash存儲器的結(jié)構(gòu)? ???????Flash存儲器模塊是一個可獨立操作的物理存儲器單元。全部模塊安排在同一個線性地址空間中，一個
關(guān)鍵字： Flash 單片機自編程

NAND和NOR flash詳解

NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后，仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。　　
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TMS320C64x的16-bit Flash加載的可行性分析與實現(xiàn)

　　l 引言　　在仿真環(huán)境下調(diào)試DSP板程序之后，還有一項重要的工作要做：怎樣實現(xiàn)程序代碼的脫機加載。TMS320C6000系列DSP提供了3種引導(dǎo)方式：不加載、HPI加載以及Flash (ROM)加載。實際應(yīng)用中，多采用外接Flash來加載程序代碼。此種方法簡單、靈活、成本低，因而受到廣大工程技術(shù)人員的青睞。由于開發(fā)的DSP系統(tǒng)應(yīng)用板最終要脫離仿真器獨立運行，而TMS320C64x系列DSP本身不帶這樣的存儲體，掉電后程序及數(shù)據(jù)就會丟失。這就需要1個能在斷電后保存程序及初始化數(shù)據(jù)的存儲體。Flash
關(guān)鍵字： TMS320C64x Flash

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)2008年再纏斗戰(zhàn)線不斷擴大

　　快閃內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在2007年有點出乎各界意料，整個產(chǎn)業(yè)的高點反而是落在第一季底，第二、三季深受NAND Flash缺貨所苦，大家的發(fā)展反而綁手綁腳，一路往下滑;2007下半年不但沒有傳統(tǒng)的消費性電子產(chǎn)品旺季出現(xiàn)，反而NAND Flash價格劇烈的忽上忽下，可說是一團混亂，終于2007年第四季面臨了NAND Flash崩跌走勢，雖然大家對于「寒流」來襲，都已有心理準(zhǔn)備，但仍是不敢大意。　　TRI觀點：　　2007年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的變化多端，出乎大家的意料，然而其中影響甚巨的一個事件，就是Samsun
關(guān)鍵字：內(nèi)存 NAND Flash MCU和嵌入式微處理器

基于USB息線的MC68HC908JB8 Flash在線編程

本文采用USB接口的ICP方法，燒寫速度快，無需專用的電平轉(zhuǎn)換芯片，硬件通過微處理器JB8的USB接口與計算機USB口連接即可。
關(guān)鍵字： Flash USB 908 JB8

2008：巨型晶圓廠初露鋒芒

　　以DRAM和Flash為代表的存儲器平均銷售價格(ASP)自去年年初以來經(jīng)歷了令人震驚的下滑。隨著現(xiàn)貨價格與合約價格不斷創(chuàng)下新低，價格壓力充斥著整個上一季度。由于價格走低，對于NAND閃存等存儲器的需求正在升溫。呈井噴之勢的預(yù)測數(shù)字顯示出我們當(dāng)前正處在黎明前的黑暗階段，一個巨大而不斷增長的市場即將出現(xiàn)。某些預(yù)測顯示NAND閃存需求量將從2006年7,370億兆字節(jié)增長至2011年的33.5萬億兆字節(jié)。　　大舉擴產(chǎn)NAND閃存　　低價同時也推動了需求的增長，使得部分廠商出現(xiàn)供給不足。以東芝(To
關(guān)鍵字： DRAM Flash 三星 MCU和嵌入式微處理器

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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]