nor flash 文章進入nor flash技術(shù)社區(qū)

美光宣布推出車用高密度NOR閃存裝置

　　美光科技(Micron Technology, Inc. )今日宣布推出面向汽車應(yīng)用的高密度 Axcell? NOR 閃存裝置，強化其在汽車市場廣泛的產(chǎn)品組合和領(lǐng)先的技術(shù)。該裝置采用最先進的NOR 閃存工藝技術(shù)，為信息娛樂制造商、車內(nèi)電腦和其他汽車電子產(chǎn)品提供最高容量的存儲解決方案。　　
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NAND Flash的壞塊管理設(shè)計

NAND Flash的壞塊管理設(shè)計,摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設(shè)計和實現(xiàn)方案，詳細闡述了壞塊映射表的建立、維護及其相關(guān)算法，同時分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應(yīng)用。測試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
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NAND Flash管理算法的設(shè)計及實現(xiàn)

給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設(shè)計方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級和頁級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義，同時還提出了對flash的分區(qū)方法。
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MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存成趨勢

　　因應(yīng)MCU成長快速及程序數(shù)據(jù)儲存需要，MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存設(shè)計成為主流趨勢，MCU大廠也紛紛以購并或結(jié)盟掌握內(nèi)嵌Flash的相關(guān)IP與制程技術(shù)。本文將探討內(nèi)嵌FlashIP制程技術(shù)，為下一代FlashMCU帶來的技術(shù)變革。　　
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飛索轉(zhuǎn)型求生存　鎖定嵌入式存儲器

　　NOR Flash產(chǎn)業(yè)昔日霸主飛索(Spansion)在脫離破產(chǎn)保護后，積極進行大反撲，除了快速處理掉2座晶圓廠賣給德州儀器(TI)外，在產(chǎn)品在線也做大幅度的調(diào)整，除鞏固車用NOR Flash產(chǎn)品線之外，也投入相當(dāng)大資源在內(nèi)嵌式NOR Flash領(lǐng)域，這部分一直是飛索最擅長同時也是成長性最高的一塊市場，包括工業(yè)領(lǐng)域、個人計算機(PC)等市場，未來內(nèi)嵌式NOR Flash產(chǎn)品的成長性相當(dāng)強勁。　　飛索表示，除了已耕耘20年的車用NOR Flash產(chǎn)品線外，飛索也會把大量資源放在內(nèi)嵌式產(chǎn)品上，這會是未
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基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設(shè)計

基于FLASH的嵌入式存儲系統(tǒng)設(shè)計,1 引言

FLASH（閃速存儲器）作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其
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飛索宣示車用NOR Flash主權(quán) 與Freescale攜手進軍儀表板市場

　　NOR Flash大廠飛索(Spansion)在車用NOR Flash市場上積極宣示主權(quán)，日前宣布與飛思卡爾半導(dǎo)體(Freescale Semiconductor)合作開發(fā)存儲器子系統(tǒng)(memory subsystem)，為汽車業(yè)帶來兼具成本效益和高可靠性能的新一代儀表板，飛索的Multi- I/O SPI產(chǎn)品包括32Mb、64Mb和128Mb容量已通過飛思卡爾的認證，已開始出貨中，且多家汽車代工制造廠已開始進行數(shù)碼顯示的設(shè)計。　　飛索表示，旗下MirrorBitR SPI的Multi-l/O系列
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TMS320C6712的外部內(nèi)存自引導(dǎo)功能的實現(xiàn)

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旺宏聯(lián)貸180億元入袋為12吋廠擴產(chǎn)準(zhǔn)備

　　NOR Flash大廠旺宏順利募資順利，成功獲得新臺幣180億元聯(lián)貸案，由于大客戶任天堂的3D新款游戲機即將上市，旺宏的12吋晶圓廠將加緊腳步，在2011年進入量產(chǎn)，預(yù)計2010、2011的資本支出共達10億美元，這次聯(lián)貸案成功，也順利充實擴廠的資金來源;此外，受惠近期日圓升值，旺宏將是最直接的受惠者。　　旺宏董事長吳敏求表示，目前旺宏手上現(xiàn)金水位還有300億元，為了擴建12吋晶圓廠的財務(wù)規(guī)劃需求，正式與15家銀行辦理聯(lián)貸案，共募得180億元，2011年12吋晶圓廠將可順利步入量產(chǎn)，初期規(guī)劃年底前
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分析稱臺系DRAM廠明年可望大幅增長

　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
關(guān)鍵字：南科 DRAM Flash

NAND Flash跌價深　上游大廠開始對模塊廠讓步

　　NAND Flash價格經(jīng)歷一段大修正后，原本對于價格談判完全不肯讓步的上游NAND Flash大廠，在面對庫存節(jié)節(jié)攀高的情況下，態(tài)度已開始松動，部分模塊廠開始回補一些庫存，不過，全球兩大NAND Flash陣營三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)則因為有蘋果(Apple)訂單的撐腰，對于價格仍是相當(dāng)強硬，顯示蘋果仍是NAND Flash產(chǎn)業(yè)的唯一大補丸。　　近期NAND Flash價格修正頗深，除了歐洲和美國市場需求不佳，尤其是返校需求完全是虛晃一招外，大陸
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分析稱臺系DRAM廠2011年可望大幅增長

　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出，在臺系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRA
關(guān)鍵字：南科 DRAM Flash

臺系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)

　　根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出，臺系DRAM廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片，明年上半年可達6萬片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片，同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm，預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠，以品牌銷售顆料計，南科明年將成為臺灣DRAM廠之冠。　　
關(guān)鍵字：南科 DRAM Flash

NAND Flash市況兩極　靜待8月底補貨潮

　　2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價卻還是跌不停，存儲器業(yè)者表示，蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強勁，但零售市場買氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平均合約價給拉下來，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應(yīng)蘋果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高，但又不愿降價，與模塊廠陷入僵局。　　近期大陸因為亞運因素，
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采用外接Flash存儲器件對SOPC系統(tǒng)開發(fā)的實現(xiàn)

采用外接Flash存儲器件對SOPC系統(tǒng)開發(fā)的實現(xiàn),1 Flash在SOPC中的作用 Flash在SOPC中的作用主要表現(xiàn)在兩方面：一方面，可用Flash來保存FPGA的配置文件，從而可以省去EPCS芯片或解決EPCS芯片容量不夠的問題。當(dāng)系統(tǒng)上電后，從Flash中讀取配置文件，對FPGA進行配置。
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 開發(fā) 實現(xiàn) SOPC 器件 Flash 存儲采用

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nor flash介紹

NOR Flash存儲器　　NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]