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金士頓砸1億美元 綁樁海力士產(chǎn)能
- 2010年存儲器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫,許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠,紛積極募資搶錢,而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢,未來再以貨源抵債,近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達(dá)1億美元金援,未來將以DRAM和NAND Flash貨源償還,形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉(zhuǎn)進(jìn)32奈米,全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座,并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
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海力士股東靈活掌握售股規(guī)模 欲在第二季選出買家
- 韓國海力士半導(dǎo)體的債轉(zhuǎn)股股東,將對出售的股份規(guī)模持靈活態(tài)度,這部分股票市值最高達(dá)35億美元。這些股東計劃在今年上半年挑選出一買家。 這些股東包括韓國外換銀行和國有的韓國金融公司(Korea Finance Corp),共同持有海力士半導(dǎo)體28%的股權(quán),將在1月29日前收到初步購買要約。海力士半導(dǎo)體是全球第二大存儲芯片制造商。 韓國金融公司首席執(zhí)行官Ryu Jae-han稱,“談到股票規(guī)模,可能僅會出售15%,不過這取決于股東委員會的決議。”該公司是去年末從韓國產(chǎn)業(yè)銀
- 關(guān)鍵字: 海力士 DRAM
硅晶圓需求旺 1Q報價將調(diào)漲5~10%
- 晶圓代工12寸高階產(chǎn)能吃緊,加上8寸晶圓廠營運也維持高檔,已傳出上游硅晶圓廠交貨不及,產(chǎn)能無法應(yīng)付晶圓代工業(yè)者所需,確定2010年第 1季硅晶圓報價將調(diào)漲5~10%;加上目前晶圓代工第2季訂單恐不俗,DRAM存儲器晶圓廠也都陸續(xù)恢復(fù)產(chǎn)能,第2季可能再接力調(diào)漲約10%。 繼大陸太陽能電池生產(chǎn)用硅晶圓傳出調(diào)漲之后,晶圓代工廠用硅晶圓也確定漲價,目前2010年第1季漲價幅度介于5~10%之間。由于晶圓代工廠包括臺積電在內(nèi)高階制程產(chǎn)能滿載,更有吃緊之虞,包括硅晶圓大廠Shin-Etsu與代理商崇越、Su
- 關(guān)鍵字: DRAM 晶圓代工
基于Profibus-DP的PLC與PC現(xiàn)場總線控制系統(tǒng)
- 本文章通過結(jié)合現(xiàn)行開發(fā)的基于PROFIBUS-DP的石油化工發(fā)油控制系統(tǒng),主要介紹了現(xiàn)場總線技術(shù),以及如何實現(xiàn)PROFIBUS總線與PLC通訊的相關(guān)技術(shù)。
- 關(guān)鍵字: 總線 控制系統(tǒng) 現(xiàn)場 PC Profibus-DP PLC 基于
DDR3將成為2010年主流 廠商以先進(jìn)制程跟進(jìn)
- DRAM業(yè)在走出低谷后,2010年前景看好,DRAM廠商積極擴(kuò)產(chǎn)應(yīng)對。其中臺塑集團(tuán)的南科、華亞科最為積極,華亞科全年資本支出更比2009年呈倍數(shù)成長。 南科、華亞科已邁入50納米制程技術(shù)階段,南科暫定2010年資本支出約為5.9億美元,比2009年增長逾45%。南科預(yù)計,在第二季度時,旗下月產(chǎn)能3萬片的12英寸廠將全部以50納米制程投片,第三季度所有產(chǎn)品都采用50納米制程投片。 看好DDR3將成為2010年主流,南科計劃逐步提升DDR3產(chǎn)品的比重,目標(biāo)由2009年第四季度的30%-40%提
- 關(guān)鍵字: Elpida 50納米 DRAM 晶圓
重塑產(chǎn)業(yè)前景 迎接2010年IC業(yè)的大發(fā)展
- 編者點評(莫大康 SEMI China顧問):國際上有許多市場分析公司與機(jī)構(gòu),如 Gartner,iSuppli,IC Insight,Semico,VLSI及SEMI,SIA,WSTS等。為什么它們的預(yù)測值不同,有時差異還不小。據(jù)編者的看法任何預(yù)測都有三類,即樂觀、中等和悲觀。另外,由于每個市場分析公司其數(shù)據(jù)來源及分析的范圍各不同,所以數(shù)據(jù)不一樣是正常的。那該如何來觀察與判斷呢?通常要找品牌,即有些公司的數(shù)據(jù)相對可靠(經(jīng)驗值),如半導(dǎo)體數(shù)據(jù)是WSTS,SIA,Gartner,iSuppli,而設(shè)備材
- 關(guān)鍵字: IC NAND DRAM
爾必達(dá)40納米制程正式對戰(zhàn)美光
- 一度缺席全球DRAM產(chǎn)業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(dá)(Elpida),隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程,爾必達(dá)狀況更顯得困窘,在經(jīng)過近1年臥薪嘗膽后,爾必達(dá)2010年開春終于宣布,40納米6F2制程技術(shù)已于廣島廠順利完成試產(chǎn),良率水平優(yōu)于預(yù)期,確定2010年可一舉進(jìn)入40納米世代,子公司瑞晶更宣示只要花新臺幣120億元,就可將旗下8萬片12寸晶圓廠全數(shù)轉(zhuǎn)到40納米制程,與美光及南亞科、華亞科陣營對戰(zhàn)煙硝味濃厚。 DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米制程是重要分水嶺,除技術(shù)難度外,1臺動輒逾新臺幣
- 關(guān)鍵字: Elpida DRAM 50納米
韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價格
- 韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布,并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區(qū)有操縱市場價格的行為,也宣告終止近3年來對該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 反壟斷監(jiān)管單位聲明,針對計算機(jī)記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、DRAM芯片等) 相關(guān)的價格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 2007年1月,F(xiàn)TC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進(jìn)行反壟斷調(diào)查,偵查是否有操縱價格的事實,之后已針對全球4家企業(yè)進(jìn)行調(diào)查,其中2家位于韓國,另外2家分別在美國和日本,但FTC并未公布詳細(xì)的企業(yè)名單。 韓國快閃記
- 關(guān)鍵字: Hynix DRAM DRAM
美光爭取華亞科主導(dǎo)權(quán) 臺塑拒絕成瑞晶翻版
- 華亞科辦理6.4億股的現(xiàn)金增資,南亞科和美光(Micron)等大股東按原持股比例認(rèn)購現(xiàn)增額度,但近期傳出美光向臺塑集團(tuán)攤牌,希望能增加認(rèn)購比例,爭取華亞科更多股權(quán),惟臺塑集團(tuán)回決此提議,認(rèn)為目前「等權(quán)共治」策略較佳。內(nèi)存業(yè)者表示,在瑞晶股權(quán)落入爾必達(dá)(Elpida)手中后,華亞科主導(dǎo)權(quán)亦成為臺、美雙方角力戰(zhàn)場,背后意義在于DRAM產(chǎn)能分配和潛在市占率。不過,針對美光要求提高華亞科持股一事,華亞科與南亞科均不予置評。 2009年臺DRAM產(chǎn)業(yè)整合計劃白忙1年,而茂德與海力士(Hynix)分手,亦使
- 關(guān)鍵字: 華亞科 DRAM DDR3
2010年全球DRAM市場展望
- 全球DRAM廠商自2006年紛紛投入“擴(kuò)廠競賽”以來,DRAM市場嚴(yán)重供過于求的陰霾就揮之不去,在這樣心理預(yù)期下,DRAM價格持續(xù)性下跌也就顯得理所當(dāng)然。 所幸,金融海嘯的發(fā)生,迫使除三星電子(Samsung Electronics)外的全球DRAM廠商都必須削減資本支出,停止原先擴(kuò)廠計劃,單就臺灣各家DRAM業(yè)者為例,2008年第4季以來就有5座12吋廠、合計31萬片12吋晶圓月產(chǎn)能的建廠計劃遭到凍結(jié)或延后,茂德更為確?,F(xiàn)金,暫時退出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM生產(chǎn)行列,轉(zhuǎn)而投入晶圓
- 關(guān)鍵字: Samsung DRAM
臺12寸DRAM廠廢墟變黃金 美日都覬覦
- 臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)成也12吋晶圓廠、敗也12吋晶圓廠!在金融風(fēng)暴期間,臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)身背2,000億元的負(fù)債,每天搖旗吶喊希望政府金援,否則整個產(chǎn)業(yè)面臨垮臺的命運,根本原因就是過去幾年間,業(yè)者太容易拿到資本市場的資金,因此盲目蓋了太多的12吋廠,隨著微軟(Microsoft)的Vista換機(jī)潮成夢一場,DRAM供需失衡的問題浮出,全球金融風(fēng)暴成為壓垮駱駝的最后1根稻草,DRAM產(chǎn)業(yè)從此陷入惡夢。 熬過2009年,第1個出局的,反而不是始終為人詬病沒有技術(shù)扎根的臺灣DRAM廠,而是奇夢達(dá)(Qimo
- 關(guān)鍵字: 奇夢達(dá) DRAM 晶圓
2010年內(nèi)存市場預(yù)測:價格走高 產(chǎn)能不足
- 隨著2010年寒假及春節(jié)的臨近,電子賣場即將迎來新一輪的銷售高潮。記者在走訪中關(guān)村電子賣場時了解到,步入2010年,多數(shù)型號內(nèi)存價格已有小幅上漲,或已計劃漲價。銷售人員向記者介紹道,從2009年中旬至今,內(nèi)存價格一路上揚(yáng),其主要原因在于金融危機(jī)對中國市場的影響逐漸消逝,而各廠家的出貨量沒有迅速提高,導(dǎo)致部分廠家、型號的內(nèi)存出現(xiàn)短時間缺貨。 據(jù)商家預(yù)計,2010年內(nèi)存價格仍會緩慢上漲,寒假銷售情況被普遍看好。 據(jù)國外專業(yè)分析機(jī)構(gòu)DRAMeXchange報道,受2010年P(guān)C銷量看漲以及OEM
- 關(guān)鍵字: 奇夢達(dá) DRAM DDR3 內(nèi)存
韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價格
- 韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布,并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區(qū)有操縱市場價格的行為,也宣告終止近3年來對該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 反壟斷監(jiān)管單位聲明,針對計算機(jī)記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、NAND芯片等) 相關(guān)的價格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 2007年1月,F(xiàn)TC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進(jìn)行反壟斷調(diào)查,偵查是否有操縱價格的事實,之后已針對全球4家企業(yè)進(jìn)行調(diào)查,其中2家位于韓國,另外2家分別在美國和日本,但FTC并未公布詳細(xì)的企業(yè)名單。 韓國快閃記
- 關(guān)鍵字: 海力士 NAND DRAM
韓國FTC:NAND Flash大廠無操控價格
- 據(jù)華爾街日報(WSJ)報導(dǎo),韓國公平貿(mào)易委員會(FTC)并未發(fā)現(xiàn)NAND Flash存儲器大廠有任何操控價格的證據(jù),將結(jié)束為期將近3年的調(diào)查。此外,韓國FTC表示,至目前為止所有和存儲器市場相關(guān)的操控價格調(diào)查皆已完成,包括DRAM、SRAM及NAND Flash市場。 韓國FTC自2007年1月開始調(diào)查存儲器產(chǎn)業(yè)是否存在操控價格的不法行為,并調(diào)查4家全球存儲器大廠,包括兩家韓國廠商、1家日本及1家美國廠商,然FTC并未透露遭調(diào)查的廠商名稱。 存儲器產(chǎn)業(yè)近年來遭數(shù)個國家調(diào)查是否存在柯斷,近期
- 關(guān)鍵字: Samsung DRAM 存儲器芯片 NAND
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