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DDR3來臨 2010年DRAM市場云開月明

  • 　　2009年DRAM 市場烏云籠罩，廠商艱難度過黑暗時期，終于守得云開見月明。春季溫和復(fù)蘇，夏季迎來光明。價格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。 　　三星走在前列，營業(yè)利潤率為19%，營業(yè)收入達22 億美元，市場份額擴大到35.5%的最高水平。 　　DDR3 來臨 　　第三季度，下一代 DRAM 技術(shù)——DDR3 看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來的一股潮流。iSuppli 公司預(yù)測，DDR3 出貨量將在2010 年第一季度超過DDR2。 　　三星在 DDR3
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機臺交期延　DRAM廠制程微縮絆腳石

  • 　　2010年臺DRAM廠將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)，但新制程關(guān)鍵恐未必在技術(shù)上，而在于浸潤式微顯影(Immersion Scanner)機臺設(shè)備采購是否能跟上腳步，近期業(yè)界傳出瑞晶機臺原本2月要交貨，但目前交期已遞延至4月，南亞科和華亞科之前亦傳出機臺交貨不及，公司則澄清前期機臺已順利拉進來，轉(zhuǎn)換制程進度一切正常。 　　DRAM廠決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)最大挑戰(zhàn)是資金問題，其中，機臺購置成本占相當大比重，由于1臺機臺設(shè)備動輒要價新臺幣10億元，且每臺機器產(chǎn)能約僅1萬片，若1座產(chǎn)能達10萬片的12寸
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嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案

  • 嵌入式系統(tǒng)中DRAM控制器的CPLD解決方案,介紹怎樣在嵌入式CPU 80C186XL DRAM刷新控制單元的基礎(chǔ)上，利用CPLD技術(shù)和80C196XL的時序特征設(shè)計一個低價格、功能完整的DRAM控制器的方法，并采用VHDL語言編程實現(xiàn)。
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南亞科擴建12寸廠　全球市占挑戰(zhàn)10%

  • 　　南亞科將逆勢擴建旗下12寸廠，從現(xiàn)有3萬片擴增至5萬~6萬片，成為此波DRAM景氣復(fù)蘇后，首家擴產(chǎn)的臺系DRAM廠。值得注意的是，南亞科單月產(chǎn)能(加計華亞科)約9.5萬片，以目前全球單月12寸廠產(chǎn)能約100萬片計算，南亞科擴產(chǎn)后，全球市占率將首度挑戰(zhàn)10%，成為臺塑集團在 DRAM產(chǎn)業(yè)重要里程碑。 　　DRAM廠喜迎產(chǎn)業(yè)景氣復(fù)蘇，但苦于無錢擴增產(chǎn)能，2009年下半除趕緊將減產(chǎn)的產(chǎn)能回復(fù)，對于制程演進亦快馬加鞭，包括美光(Micron)、爾必達(Elpida)陣營2010年紛宣布要轉(zhuǎn)進40奈米制程世代
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4大DRAM陣營競爭激烈 美光、爾必達提前導(dǎo)入40納米

  • 　　2010年4大DRAM陣營三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場直接拉到40納米世代!繼爾必達跳過50納米制程，大舉轉(zhuǎn)換至45納米后，美光陣營也不甘示弱宣布年中將同步轉(zhuǎn)42納米。華亞科表示，表示旗下的50納米制程是最正統(tǒng)的完整世代技術(shù)，并非是制程微縮下的產(chǎn)物，因此成本競爭力有十足把握;在爾必達、美光跟上制程進度后，年底4大陣營技術(shù)實力大幅縮小，競爭更激烈。 　　雖然三星電子和海力士已先一步轉(zhuǎn)到40納米世代，其中三星是
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海力士第4季獲利6,570億韓元　創(chuàng)3年新高

  • 　　全球第2大計算機存儲器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財報，隨著全球個人計算機(PC)景氣回溫，海力士獲利創(chuàng)下3年來新高。 　　2009年第4季海力士營收為2.8兆韓元(約24.7億美元)，較第3季大幅成長32%，海力士營收成長主因為DRAM及NAND Flash存儲器出貨量成長，同時，DRAM平均售價也上揚，此外，第4季海力士凈利為6,570億韓元，更較第3季大幅成長167%。 　　和2009年第3季相較，2009年第4季海力士DRAM平均售價及出貨量分別成長26%及12%，至于N
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三星將向Rambus支付9億內(nèi)存專利授權(quán)費以達成和解

  • 　　韓國三星公司與Rambus公司本周二宣布就兩家之間的專利權(quán)官司達成和解協(xié)議，三星公司將在五年之內(nèi)逐步向Rambus公司支付總額達9億美金的專利授 權(quán)費用.據(jù)協(xié)議規(guī)定，三星將首先一次性支付給Rambus公司2億美元，并在此后的5年之中以平均每季度支付2500萬美元的方式逐步將剩下的金額以專利授權(quán)費的形式支付給對方，其中包括一筆用于購買三星現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品所使用的Rambus專利終身授權(quán)的資金。另外，協(xié)議還規(guī)定三星將向Rambus公司投資2億美元。 　　據(jù)Rambus公司高級副總裁Sharon Holt
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廠商采取搭售策略 挽回DDR2銷售頹勢

  • 　　全球DRAM市場正加速進行世代交替，DDR3芯片因缺貨使得價格持續(xù)上漲，DDR2價格卻嚴重下跌，且累積庫存越來越多，近期韓系DRAM大廠開始祭出買DDR3模塊必須搭配買DDR2模塊的搭售策略，希望系統(tǒng)廠和模塊廠不要只購買DDR3模塊，由于DDR3模塊在現(xiàn)貨市場貨源奇缺，使得部分下游通路商亦跟進DRAM大廠，采取搭售策略，希望在DDR2與DDR3 模塊世代交替的同時，避免產(chǎn)品價格嚴重背道而馳。 　　近期DRAM市場已呈現(xiàn)兩極化發(fā)展，DDR3芯片市場缺貨情況持續(xù)惡化，但DDR2芯片庫存卻是愈堆愈多，存儲
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DDR3成主流產(chǎn)品 海力士增NAND Flash產(chǎn)能

  • 　　據(jù)彭博(Bloomberg)報導(dǎo)，海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時，海力士希望于2010年增加在DRAM市場的市占率，并倍增NAND Flash的產(chǎn)能。 　　根據(jù)研究機構(gòu)iSuppli資料，2009年第3季海力士于全球DRAM市場市占率為21.7%，落后三星電子(Samsung Electronics)的35.5%， 　　海力士也將增加NAND Flash產(chǎn)能，金鐘甲表示，2010年底前海力士計劃倍增NAND
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海力士擬償還8.88億美元債務(wù) 得益于芯片需求

  • 　　據(jù)國外媒體報道，由于計算機內(nèi)存芯片供不應(yīng)求可能有助于利潤創(chuàng)下4年來新高，全球第二大內(nèi)存芯片廠商海力士計劃今年償還逾1萬億韓元債務(wù)(約合8.88億美元)。 　　海力士首席執(zhí)行官金鐘甲(Kim Jong-kap)日前在接受采訪時表示，“我們的目標是，在進行必要投資的同時償還巨額債務(wù)。目前，海力士有息債務(wù)約為7萬億韓元(約合62.16億美元)。” 　　更少的債務(wù)和更高的利潤有助于海力士吸引其他收購方。去年11月，曉星公司撤消了收購海力士的收購要約。分析師稱，由于PC需求增長，今年
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臺灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3

  • 　　2010年P(guān)C主流內(nèi)存標準從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實。據(jù)臺灣媒體報道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺系DRAM芯片制造商都在加快產(chǎn)能從DDR2向DDR3轉(zhuǎn)換的步伐。根據(jù)稍早前的報道，臺灣力晶(PSC)半導(dǎo)體以及他們和日本爾必達合資的瑞晶電子(Rexchip)預(yù)計，今年第一季度DDR3晶圓在其總產(chǎn)能中所占比例 將超過70%。而去年第三季度，DDR3顆粒占其產(chǎn)量的比例還不足5%。從去年第四季度開始，力晶和瑞晶已經(jīng)明顯加快了增產(chǎn)DDR3的步伐。 　　另一家DRAM大廠
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為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標

  • 　　存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標。 　　縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產(chǎn)能。 　　在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲器也是走在前列，如
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365天：DRAM產(chǎn)業(yè)從地獄到天堂

  • 　　2009年DRAM產(chǎn)業(yè)在地獄和天堂里各走一遭，年初1顆DRAM均價還在0.5美元，當時生產(chǎn)成本還在2美元，可見虧損有多嚴重，各廠只好宣布停工、減產(chǎn)，巨額虧損的問題延伸至臺、美、日DRAM廠大整合階段，也演變成國與國之間的戰(zhàn)爭。但到了年底，DRAM廠又開始生龍活虎起來，中間歷程看似短短 365天，但個中辛酸DRAM廠冷暖自知，未來各界看好DRAM產(chǎn)業(yè)有2年的好光景，終于擺脫地獄魔咒，前進在通往天堂的路上。 　　365天之間可以發(fā)生多少事?它可以讓平均每天虧損新臺幣1億元、每1季虧損超過百億元的DRAM
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DDR2乏人問津　DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能

  • 　　DDR2和DDR3 1月上旬合約價走勢迥異，DDR2合約價大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，近期臺系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶，預(yù)計第1季底DDR3比重將達70%，速度超乎預(yù)期。不過，亦有業(yè)者認為，若大家都搶著把DDR2產(chǎn)能轉(zhuǎn)走，說不定會意外讓DDR2跌勢止穩(wěn)，反而有利于DDR2價格走勢。 　　臺 DRAM廠表示，原本業(yè)者認為在農(nóng)歷春節(jié)前DDR2買氣還有最后一搏機會，因為DDR2若
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PC機電源內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析

  • 要看電源是由什么組成的，最好的方法是我們打開電源的外殼，看看電源的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。 二極管組成，另一種是將四個二極管封裝在一起。而后一種的方式就被稱為全橋。全橋和二極管所能承受的最低耐壓程度和最大電流是有限值
  • 關(guān)鍵字： 分析  結(jié)構(gòu)  內(nèi)部  電源  PC  
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