pc-dram 文章進(jìn)入pc-dram技術(shù)社區(qū)

日本爾必達(dá)計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)Spansion閃存資產(chǎn)

　　日本爾必達(dá)周四稱，計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)晶片制造商Spansion的NAND閃存資產(chǎn)。　　爾必達(dá)希望提供半導(dǎo)體模組，結(jié)合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋果iPhone等智能手機(jī)方面的運(yùn)用愈發(fā)增加。爾必達(dá)正在追趕DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)三星電子和海力士半導(dǎo)體。　　爾必達(dá)發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示，該公司正在就獲得Spansion的閃存技術(shù)，及意大利的四五十名工程師進(jìn)行談判。他拒絕就該公司將為該收購(gòu)案斥資的規(guī)模進(jìn)行評(píng)論。　　日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)稱，爾必達(dá)記憶體將斥資30-50億日?qǐng)A(合3400-5
關(guān)鍵字：爾必達(dá) DRAM

美光攜手南亞科技開發(fā)20納米芯片制程技術(shù)

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，臺(tái)灣南亞科技總裁連日昌周三表示，公司目前正在與合作伙伴美光科技聯(lián)手，共同為未來(lái)的DRAM生產(chǎn)開發(fā)先進(jìn)的20納米芯片制程技術(shù)。　　這項(xiàng)先進(jìn)的芯片制程技術(shù)有助于提高芯片性能、減少芯片耗電量、降低芯片生產(chǎn)成本。連日昌周三在臺(tái)北的一次媒體活動(dòng)中說(shuō)，企業(yè)要想在未來(lái)五年的DRAM市場(chǎng)上保持競(jìng)爭(zhēng)力，擁有領(lǐng)先技術(shù)至關(guān)重要。　　采用20納米制程技術(shù)生產(chǎn)芯片將有助美光和南亞科技與業(yè)界領(lǐng)先企業(yè)三星電子展開更加有效的競(jìng)爭(zhēng)。當(dāng)前，三星已經(jīng)在它的生產(chǎn)線上采用了30納米芯片制程技術(shù)。三星稱，使用30納米
關(guān)鍵字：三星電子 DRAM 20納米

DDR3測(cè)試產(chǎn)能不足　DRAM封測(cè)廠加緊進(jìn)設(shè)備

　　隨著各家DRAM廠加快腳步轉(zhuǎn)進(jìn)DDR3，對(duì)后段廠而言，封裝產(chǎn)能利用率處于高檔，然測(cè)試、預(yù)燒等相關(guān)產(chǎn)能則呈不足現(xiàn)象，各家封測(cè)廠上演搶機(jī)臺(tái)戲碼，希望能夠盡量提前讓機(jī)臺(tái)進(jìn)駐廠區(qū)，隨著工作天數(shù)恢復(fù)正常，存儲(chǔ)器封測(cè)廠3月接單熱絡(luò)，預(yù)期單月?tīng)I(yíng)收應(yīng)可處于歷史高檔水平。　　受惠于2010年存儲(chǔ)器市場(chǎng)復(fù)蘇，以及DDR2轉(zhuǎn)換至DDR3速度加快，力成訂單能見(jiàn)度延展至6~7月，華東也看到4月訂單。整體產(chǎn)能利用率依舊維持滿載，客戶端需求非常強(qiáng)勁，產(chǎn)出速度還跟不上訂單的腳步。尤其在測(cè)試部分，卡在測(cè)試機(jī)臺(tái)供應(yīng)不及，測(cè)試產(chǎn)能不足
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 DRAM DDR3

TIMC停擺傳言滿天飛　臺(tái)面下耳語(yǔ)連連

　　臺(tái)“經(jīng)濟(jì)部”長(zhǎng)施顏祥今日將會(huì)見(jiàn)DRAM相關(guān)業(yè)者，業(yè)者最期待經(jīng)濟(jì)部如何處理臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)的問(wèn)題。雖然再造方案面臨停擺，但市場(chǎng)風(fēng)風(fēng)雨雨的傳言卻從未停歇，包括之前傳出TIMC可能會(huì)藉瑞晶的殼，執(zhí)行B計(jì)畫來(lái)大復(fù)活，導(dǎo)致力晶堅(jiān)持要買回瑞晶股份來(lái)提防;再者，TIMC員工并入瑞晶，在新竹辦公室更傳出清算的動(dòng)作，更被解讀為掩護(hù)TIMC地下化的假動(dòng)作，然這一切傳言，可望在施顏祥對(duì)外說(shuō)明后，正式告一段落。　　「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」回到1年前的原點(diǎn)，尤其在立法院堅(jiān)持杯葛國(guó)發(fā)基金
關(guān)鍵字： TIMC DRAM 存儲(chǔ)器

美日韓陣營(yíng)鼎立 DRAM產(chǎn)業(yè)淘汰賽沒(méi)有終點(diǎn)

　　2009年全球DRAM產(chǎn)業(yè)從全球前五強(qiáng)變成四強(qiáng)鼎立，歐系代表奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)正式退出市場(chǎng)，也宣告溝槽式技術(shù)陣營(yíng)的結(jié)束。展望2010年DRAM產(chǎn)業(yè)新頁(yè)，將會(huì)是美、日、韓陣營(yíng)合寫歷史，但目前臺(tái)灣的DRAM版圖中，韓系已消失，未來(lái)臺(tái)灣分為美、日兩陣營(yíng)來(lái)抵御三星電子(Samsung Electronics )的勢(shì)力坐大，惟產(chǎn)業(yè)淘汰賽沒(méi)有終點(diǎn)，最后一名很容易跟隨奇夢(mèng)達(dá)的命運(yùn)，因此美光(Micron)和爾必達(dá)(Elpida)未來(lái)競(jìng)爭(zhēng)會(huì)更為激烈，且臺(tái)灣將成為美、日兩陣營(yíng)比劃武功的重要戰(zhàn)場(chǎng)。　　DRAM產(chǎn)
關(guān)鍵字： Qimonda DRAM

威剛董事長(zhǎng)預(yù)計(jì)DRAM市場(chǎng)二季度起出現(xiàn)供應(yīng)短缺

　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，威剛科技董事長(zhǎng)陳立白(Simon Chen)今日表示，從第二季度開始，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)市場(chǎng)可能會(huì)面臨供應(yīng)短缺問(wèn)題，到今年下半年，供需缺口可能會(huì)達(dá)到10%。　　據(jù)報(bào)道，很多DRAM生產(chǎn)商已將部分DDR-2芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)為生產(chǎn)DDR-3，這推動(dòng)DDR-2芯片價(jià)格在傳統(tǒng)淡季第一季度出現(xiàn)上漲。　　報(bào)道稱，自春節(jié)假期結(jié)束以來(lái)，DDR2現(xiàn)貨價(jià)格已上漲6.8%。　　威剛科技主要生產(chǎn)USB閃盤驅(qū)動(dòng)器。
關(guān)鍵字：威剛 DRAM DDR2

臺(tái)灣DDR2內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)節(jié)后上漲7%

　　據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，內(nèi)存(DRAM)補(bǔ)貨潮號(hào)角響起，DDR2現(xiàn)貨價(jià)打破傳統(tǒng)淡季束縛率先表態(tài)，農(nóng)歷年后上漲近7%，創(chuàng)近一個(gè)多月新高。相關(guān)大廠如力晶、茂德、威剛等可望受惠，但科技大廠可能得要擔(dān)心，資訊產(chǎn)品供應(yīng)鏈下半年會(huì)出現(xiàn)缺貨潮。　　威剛董事長(zhǎng)陳立白指出，電子大廠都在談缺工，其實(shí)缺工問(wèn)題不大，缺貨才是下半年大難題。主要是筆記型與桌上型電腦等產(chǎn)品會(huì)面臨這個(gè)問(wèn)題。　　根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)26日的報(bào)價(jià)，1Gb DDR2有效測(cè)試顆粒(eTT)上漲逾2%，均價(jià)2.35美元，創(chuàng)近一個(gè)多月新
關(guān)鍵字：茂德 DDR2 DRAM

2010年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出預(yù)計(jì)猛增51%

　　市場(chǎng)研究公司IC Insights預(yù)計(jì)，今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬，包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的廠商的投資總額預(yù)計(jì)增長(zhǎng)67%，而產(chǎn)業(yè)整體支出增長(zhǎng)額預(yù)計(jì)為51%。　　“如果不算Intel，排名前十中的其他9家公司支出額將增長(zhǎng)91%。”IC Insights總裁Bill McClean指出。然而，盡管許多公司計(jì)劃在今年將產(chǎn)能翻倍，但仍然無(wú)法阻止IC價(jià)格的上漲和供應(yīng)短缺的局面發(fā)生，尤其是下半年。　　大
關(guān)鍵字： Samsung DRAM 存儲(chǔ)

2010年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出預(yù)計(jì)猛增51% 大型芯片廠商領(lǐng)跑

　　市場(chǎng)研究公司IC Insights預(yù)計(jì)，今年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出中的2/3將由支出前十位的公司包攬，包括Samsung、Intel、TSMC和Toshiba。今年支出前十位的廠商的投資總額預(yù)計(jì)增長(zhǎng)67%，而產(chǎn)業(yè)整體支出增長(zhǎng)額預(yù)計(jì)為51%。　　“如果不算Intel，排名前十中的其他9家公司支出額將增長(zhǎng)91%。”IC Insights總裁Bill McClean指出。然而，盡管許多公司計(jì)劃在今年將產(chǎn)能翻倍，但仍然無(wú)法阻止IC價(jià)格的上漲和供應(yīng)短缺的局面發(fā)生，尤其是下半年。　　大
關(guān)鍵字： Samsung DRAM 芯片半導(dǎo)體

Gartner：今年全球半導(dǎo)體銷售額將增長(zhǎng)20%

　　市場(chǎng)研究公司Gartner預(yù)計(jì)，2010年全球半導(dǎo)體營(yíng)收將增長(zhǎng)20%，達(dá)到2760億美元。　　2009年，全球半導(dǎo)體營(yíng)收下滑了10%。但Gartner周三指出，今年全球半導(dǎo)體銷售額有望達(dá)到2760億美元，與去年的2310億美元相比將增長(zhǎng)19.5%。　　Gartner表示，處理器和內(nèi)存是推動(dòng)2010年半導(dǎo)體營(yíng)收增長(zhǎng)的主要?jiǎng)恿?。其中，DRAM芯片漲幅將達(dá)到55%。　　Gartner預(yù)計(jì)，至少在2014年之前，半導(dǎo)體市場(chǎng)將持續(xù)增長(zhǎng)。到2012年，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3040億美元。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體處理器 DRAM 內(nèi)存

iSuppli預(yù)計(jì)今年全球DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)將增40%

　　2月24日消息，市場(chǎng)研究公司iSuppli預(yù)計(jì)，今年全球DRAM內(nèi)存芯片市場(chǎng)增幅將超過(guò)40%，也是3年來(lái)的首次增長(zhǎng)。　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道稱，iSuppli表示，今年全球DRAM內(nèi)存芯片銷售額將增長(zhǎng)至319億美元，2009年、2008年和2007年DRAM內(nèi)存芯片銷售額分別下滑了3.7%、25.1%和7.5%。　　iSuppli分析師邁克·霍華德當(dāng)?shù)貢r(shí)間上周四說(shuō)，“今年DRAM內(nèi)存市場(chǎng)將繼續(xù)去年第四季度的增長(zhǎng)趨勢(shì)，增長(zhǎng)40%。” 　　推動(dòng)去年第四季度DRAM
關(guān)鍵字： DRAM 內(nèi)存芯片

英飛凌向爾必達(dá)提出專利侵權(quán)訴訟

　　英飛凌科技股份公司今日宣布，該公司及其子公司英飛凌科技北美分公司已于2010年2月19日向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)遞交起訴書，稱爾必達(dá)(Elpida Memory Inc.)制造并向美國(guó)進(jìn)口銷售的某些DRAM半導(dǎo)體產(chǎn)品侵犯了英飛凌在半導(dǎo)體制程和元件制造方面四項(xiàng)重要發(fā)明專利，涉嫌不公平貿(mào)易。　　英飛凌公司管理委員會(huì)成員兼銷售、營(yíng)銷、技術(shù)與研發(fā)負(fù)責(zé)人Hermann Eul博士指出：“英飛凌在業(yè)界一直處于先進(jìn)半導(dǎo)體制程的領(lǐng)先地位。我們將盡力保護(hù)我們通過(guò)持續(xù)研發(fā)所獲得的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。&rdqu
關(guān)鍵字：英飛凌 DRAM

iSuppli：2010年DRAM內(nèi)存市場(chǎng)將增長(zhǎng)40%

　　據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli稱，經(jīng)過(guò)連續(xù)三年的下降之后，DRAM內(nèi)存市場(chǎng)2010年的銷售收入將達(dá)到319億美元，增長(zhǎng)40%。　　iSuppli負(fù)責(zé)DRAM內(nèi)存業(yè)務(wù)的高級(jí)分析師Mike Howard在聲明中說(shuō)，2010年將在2009年第四季度增長(zhǎng)的基礎(chǔ)上繼續(xù)增長(zhǎng)。2009年第四季度整個(gè)DRAM內(nèi)存行業(yè)的銷售收入環(huán)比增長(zhǎng)了40%。 Howard指出出貨量的增長(zhǎng)和平均銷售價(jià)格的提高是這種增長(zhǎng)的主要原因。　　2009年第四季度是DRAM內(nèi)存行業(yè)在最近的記憶中表現(xiàn)最好的一個(gè)季度。據(jù)iSuppli稱，20
關(guān)鍵字： Elpida DRAM 內(nèi)存

基于CAN核的四冗余通信板設(shè)計(jì)與modelsim仿真

關(guān)鍵字： CAN總線 PC/104 FPGA Modelsim

海力士：DRAM恐供給過(guò)剩

　　DRAM廠普遍看好今年市況之際，全球第二大DRAM廠海力士(Hynix)卻發(fā)出警語(yǔ)，認(rèn)為今年DRAM恐出現(xiàn)供給過(guò)剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產(chǎn)業(yè)的大廠。　　全球DRAM龍頭三星上周才公開表示，看好整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，海力士卻發(fā)布警語(yǔ)，看法與三星大為迥異。　　外電報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Kim Jong-kap)在接受媒體采訪時(shí)透露，由于各大芯片廠都大舉擴(kuò)大資本支出，擔(dān)心DRAM會(huì)供給過(guò)剩;不過(guò)，他認(rèn)為儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)需求仍會(huì)不錯(cuò)。
關(guān)鍵字： Hynix DRAM