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Vishay的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導(dǎo)通電阻

  • 2013 年 9 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，擴(kuò)充其采用超小PowerPAK? SC-70封裝的TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
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一款功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計(jì)與制作

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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LTC4366高壓浪涌抑制器應(yīng)用深入講解（獨(dú)家收錄）

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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LTC4366浪涌抑制器工作原理詳解

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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LTC4366浪涌抑制器入門簡(jiǎn)介

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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內(nèi)置MOSFET降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器NJW1933

  • 日本無線株式會(huì)社（總部：東京都中央?yún)^(qū)　代表取締役社長(zhǎng)：小倉(cāng)　良）開發(fā)出了一款600mA， 500kHz的小型封裝降壓型開關(guān) ...
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飛兆汽車級(jí)高速、低邊驅(qū)動(dòng)器系列可提高效率、簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

  • 使用功率MOSFET的汽車應(yīng)用要求柵極驅(qū)動(dòng)器具備高峰值驅(qū)動(dòng)電流和低輸出阻抗。來自飛兆半導(dǎo)體的 FAN31xx_F085 和FAN32xx_F085* 系列高速、低端汽車合格柵極驅(qū)動(dòng)器(紐約證券交易所代碼： FCS)為電源和其他高效MOSFET開關(guān)應(yīng)用帶來了靈活性，可提供大量功能和性能組合選擇以創(chuàng)建緊湊、高效和可靠的設(shè)計(jì)。
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東芝針對(duì)移動(dòng)設(shè)備的高電流充電電路將推出超緊湊型MOSFET

  • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布，該公司已經(jīng)為智能手機(jī)和平板電腦等移動(dòng)設(shè)備的高電流充電電路的開關(guān)推出了超緊湊型MOSFET，包括兩種電池。
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東芝推出高壓MOSFET “πMOS VIII”系列

  • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新系列高壓MOSFET “πMOS VIII”系列，并推出了該系列的首款產(chǎn)品“TK9J90E”，并計(jì)劃于2013年8月投入量產(chǎn)。
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東芝擴(kuò)充低壓N通道MOSFET陣容

  • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布通過“MOSFET”擴(kuò)充移動(dòng)設(shè)備鋰離子電池和電源管理開關(guān)專用保護(hù)電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻，可減少設(shè)備的傳導(dǎo)損失。
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騙子成堆的LED燈具廠商……

利用理想二極管和熱插拔控制器隔離電源故障

  • 用肖特基二極管實(shí)現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA網(wǎng)絡(luò)及存儲(chǔ)服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系...
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東芝擴(kuò)大用于基站和服務(wù)器的功率MOSFET陣容

  • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布為其用于基站和服務(wù)器的通用直流-直流轉(zhuǎn)換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產(chǎn)品。這些產(chǎn)品使用最新的第八代低電壓溝槽結(jié)構(gòu)，并實(shí)現(xiàn)了頂尖[1]低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能。即日開始批量生產(chǎn)。
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東芝為基站和服務(wù)器推出30V電壓功率MOSFET

  • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布為專用于基站和服務(wù)器的通用DC-DC轉(zhuǎn)換器推出30V電壓功率MOSFET系列。這些產(chǎn)品采用了最新的第八代低壓溝槽結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了最高級(jí)別的低導(dǎo)通電阻和高速轉(zhuǎn)換。該系列產(chǎn)品計(jì)劃于6月底投入量產(chǎn)。
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對(duì)使用銅絲鍵合的功率MOSFET進(jìn)行失效分析

  • 摘要：由于銅絲鍵合可以替代金鍵合，價(jià)格又便宜，正在被越來越多地應(yīng)用到微電子元器件當(dāng)中。目前的情況表明銅是可行的替代品，但是證明其可靠性還需要采用針對(duì)銅絲鍵合工藝的新型失效分析(FA)技術(shù)。
  • 關(guān)鍵字： 銅絲鍵合  MOSFET  金鍵合  失效分析  金屬層  201308  
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