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利用PowerTrench MOSFET應(yīng)對(duì)更高功率密度的新挑戰(zhàn)

引言隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)從紙張型向數(shù)字信息管理型方向發(fā)展，用于數(shù)據(jù)處理、存儲(chǔ)和網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)中心在個(gè)人業(yè)務(wù)、學(xué)術(shù)...
關(guān)鍵字： PowerTrench MOSFET

　　電機(jī)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員需要能夠在嚴(yán)苛的應(yīng)用條件下，提高效率同時(shí)確保最高可靠性的解決方案。為此，飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了SPM? 5 智能功率模塊系列三相 MOSFET 逆變器解決方案，為設(shè)計(jì)人員提供交流感應(yīng)電機(jī) (ACIM) 和無(wú)刷直流電機(jī)逆變器解決方案，適用于功率最高為 200 W 的電機(jī)，包括風(fēng)扇電機(jī)、洗碗機(jī)和各種小型工業(yè)電機(jī)。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET SPM

用肖特基二極管實(shí)現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如，μTCA 網(wǎng)絡(luò)及存儲(chǔ)服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“或”電路還用于采用備用電源的系統(tǒng)，例如 AC 交流適配器和備份電池饋送。
關(guān)鍵字：凌力爾特肖特基二極管 MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴(kuò)充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

　　雖然所有領(lǐng)先指標(biāo)都顯示2013年下半年將恢復(fù)季節(jié)性增長(zhǎng)，但包括半導(dǎo)體在內(nèi)的電子元件產(chǎn)業(yè)目前訂單情況遜于當(dāng)前市場(chǎng)復(fù)蘇階段的預(yù)期水平。據(jù)IHS公司的元件價(jià)格走勢(shì)追蹤服務(wù)，這種需求缺口可能限制今年電子元件市場(chǎng)的增長(zhǎng)幅度。　　2013年商品類芯片的總體前景仍然堅(jiān)挺，預(yù)計(jì)半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入增長(zhǎng)4.8%，盡管該市場(chǎng)的各個(gè)領(lǐng)域不會(huì)同樣強(qiáng)勁。　　在假日季節(jié)之前的這個(gè)時(shí)期，MOSFET、電容與邏輯器件的訂單活動(dòng)沒有呈現(xiàn)出通常的水平。這個(gè)階段通常出現(xiàn)交貨期延長(zhǎng)和價(jià)格上漲現(xiàn)象，而目前尚未看到這些情況。同時(shí)，消費(fèi)電子、汽
關(guān)鍵字：電子元件 MOSFET

歡迎來(lái)到電源設(shè)計(jì)小貼士！隨著現(xiàn)在對(duì)更高效、更低成本電源解決方案需求的強(qiáng)調(diào)，我們創(chuàng)建了該專欄，就各種電源管理...
關(guān)鍵字：工作頻率 MOSFET Pcon

飛兆半導(dǎo)體公司是高性能功率半導(dǎo)體和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，通過引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過程，將 MOSFET 和二極管集成在一個(gè)封裝內(nèi)，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中目前使用的分立式解決方案。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET LED

安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用，作為鋰離子電池充電/放電保護(hù)電路開關(guān)的關(guān)鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設(shè)計(jì)人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時(shí)間延至最長(zhǎng)。
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 鋰離子電池

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級(jí)擴(kuò)大為6A～105A。
關(guān)鍵字： Vishay E系列 MOSFET

什么是功率MOSFET？我們都懂得如何利用二極管來(lái)實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對(duì)其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信...
關(guān)鍵字：功率 MOSFET 基礎(chǔ)知識(shí)

日前，集設(shè)計(jì)，研發(fā)一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體(AOS, 納斯達(dá)克代碼: AOSL)發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS? (?MOS?)中壓系列旗艦產(chǎn)品，為眾多設(shè)備追求極致效率提供了解決方案。
關(guān)鍵字： AOS AON6250 MOSFET

高分辨率、緊湊有源整流橋應(yīng)用(如網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī))中的過熱可能導(dǎo)致圖像質(zhì)量問題。同樣，熱致噪聲可能影響系統(tǒng)的圖像傳感器，也會(huì)降低相機(jī)的圖片質(zhì)量。調(diào)節(jié)熱波動(dòng)的典型散熱解決方案會(huì)增加元件數(shù)量，占用電路板空間，讓這些設(shè)計(jì)變得更復(fù)雜。
關(guān)鍵字：飛兆 FDMQ86530L MOSFET