s7 mosfet 文章 進入s7 mosfet技術(shù)社區(qū)
瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產(chǎn)品
- 高級半導體解決方案領(lǐng)導廠商瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)已于近日宣布開始供應(yīng)第12代新型功率MOSFET(金屬氧化物半導體晶體管)產(chǎn)品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率半導體器件,主要面向計算機服務(wù)器和筆記本電腦等的應(yīng)用。 本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲器的電壓轉(zhuǎn)換電路。例如,可作為降壓電路,用于將電池提供的12V電壓轉(zhuǎn)換為1.05V,以便為CPU所用。隨著公司進一步推進
- 關(guān)鍵字: 瑞薩電子 MOSFET
Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要2
- b觸點型“PhotoMOS”的開發(fā) 隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解,人們將其用于信息通信設(shè)備、OA設(shè)備、FA設(shè)備及其他廣泛的領(lǐng)域。為了滿足大眾進一步的需求,本公司開發(fā)出了“可通過機械實現(xiàn)、并擁有所有觸點構(gòu)成(b觸點、c觸點)”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。 為實現(xiàn)該產(chǎn)品的開發(fā),我們在功率MOSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
- 關(guān)鍵字: Panasonic MOSFET PhotoMOS
基于功率MOSFET的激光器外觸發(fā)系統(tǒng)研制
- 采用功率MOSFET及其驅(qū)動器和光纖收發(fā)器件,研究了激光觸發(fā)開關(guān)脈沖功率源控制技術(shù)中的快上升沿(≤5 ns)觸發(fā)信號產(chǎn)生、驅(qū)動、傳輸及光纖隔離、高耐壓脈沖變壓器使用等關(guān)鍵技術(shù)。給出了激光器外觸發(fā)控制電路的設(shè)計及測試結(jié)果,并對其應(yīng)用特點進行了分析和討論。
- 關(guān)鍵字: MOSFET 激光器 觸發(fā)系統(tǒng)
Diodes 推出小型SOT963封裝器件
- Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件,性能可媲美甚至超過采用更大封裝的器件。 Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2,比SOT723封裝少30%,比SOT563封裝少60%,適合低功耗應(yīng)用。占板面積節(jié)省加上0.5 mm的離板高度,讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿足各種超便攜式電子產(chǎn)品的要求。 現(xiàn)階段推出的SOT963封裝產(chǎn)品線包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號雙MOS
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET BJT TVS
英飛凌推出一款30V功率MOSFET
- 英飛凌科技股份公司近日面向大電流應(yīng)用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管)。全新的OptiMOS?-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件,在10V柵源電壓條件下,漏極電流為180A,而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0,可滿足客戶對標準封裝功率 MOSFET的需求:以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。 基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強大的第二代溝槽技術(shù),OptiMOS-T2器件成為大
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 MOSFET
IR 推出全新 HEXFET 功率MOSFET系列
- 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標準SOT-23封裝,具有超低導通電阻 (RDS(on)) ,適用于電池充電及放電開關(guān)、系統(tǒng)和負載開關(guān)、輕載電機驅(qū)動,以及電信設(shè)備等應(yīng)用。 新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術(shù),通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力,為客戶的特定應(yīng)用優(yōu)化了性能及價格。 IR
- 關(guān)鍵字: IR MOSFET HEXFET
2009年度電源產(chǎn)品獎評選結(jié)果揭曉
- 2010年6月8日,由中國電子技術(shù)權(quán)威雜志《電子產(chǎn)品世界》舉辦的“2009年度電源產(chǎn)品評選”活動在“第七屆綠色電源與電源管理技術(shù)研討會”舉行了頒獎典禮。社長陳秋娜女士宣布了最終的獲獎結(jié)果,中國電源學會常務(wù)理事長李龍文和陳秋娜女士分別為獲獎廠商代表進行頒獎。本次活動中共收到來自近20家國內(nèi)外電源廠商提交的五大類別60多款產(chǎn)品,經(jīng)網(wǎng)上票選和專家測評最終的分別選出最佳創(chuàng)新獎和最佳應(yīng)用獎獲獎產(chǎn)品,另外還同時從所有參選產(chǎn)品中特別評選出了兩款綠色電源獎產(chǎn)品獎。
- 關(guān)鍵字: 電源管理 MOSFET LED驅(qū)動
s7 mosfet介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條s7 mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對s7 mosfet的理解,并與今后在此搜索s7 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對s7 mosfet的理解,并與今后在此搜索s7 mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473