s7 mosfet 文章進(jìn)入s7 mosfet技術(shù)社區(qū)

晶圓代工漲15% 模擬IC點(diǎn)頭

　　包括德儀、英飛凌、國(guó)家半導(dǎo)體(NS)、安森美(On Semi)等IDM廠(chǎng)，開(kāi)出高于業(yè)界水平價(jià)格，包下臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)等晶圓代工產(chǎn)能，成熟制程產(chǎn)能不足問(wèn)題，已對(duì)立锜、致新等臺(tái)灣模擬IC業(yè)者造成排擠效應(yīng)。為了避免下半年旺季時(shí)無(wú)貨可出，臺(tái)灣業(yè)者只能松口答應(yīng)調(diào)漲代工價(jià)10%至15%不等幅度，以便爭(zhēng)取到更多產(chǎn)能。　　下半年將進(jìn)入手機(jī)及計(jì)算機(jī)銷(xiāo)售旺季，不論市場(chǎng)是否對(duì)市場(chǎng)需求有所疑慮，但業(yè)界仍認(rèn)為旺季仍會(huì)有旺季應(yīng)有表現(xiàn)，至少第3季的手機(jī)、筆電、消費(fèi)性電子產(chǎn)品等出貨量，與去年同期相較仍有2成至3成的年
關(guān)鍵字：飛思卡爾 MOSFET 模擬IC

iSuppli：部分芯片產(chǎn)品交貨期拉長(zhǎng)至20周

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli指出，部分模擬、邏輯、內(nèi)存與電源管理IC 出現(xiàn)嚴(yán)重缺貨現(xiàn)象，導(dǎo)致價(jià)格上揚(yáng)與交貨期延長(zhǎng)至“令人擔(dān)憂(yōu)的程度”。“當(dāng)交貨期來(lái)到20周左右的水平，意味著零組件供應(yīng)端與需求端出現(xiàn)了很大的差異;”追蹤半導(dǎo)體與零組件價(jià)格的iSuppli資深分析師Rick Pierson表示。　　當(dāng)零組件供應(yīng)端出現(xiàn)吃緊情況，對(duì)照目前正處于復(fù)蘇狀態(tài)的市場(chǎng)，或許并不令人驚訝;Pierson指出，特定的市場(chǎng)與價(jià)格也激化各種零組件領(lǐng)域出現(xiàn)不同程度的短缺。根據(jù)iSu
關(guān)鍵字：電源管理 MOSFET

Vishay Siliconix推出新款ThunderFET 功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用針對(duì)更高電壓器件優(yōu)化的新型低導(dǎo)通電阻技術(shù)的首款TrenchFET?功率MOSFET --- ThunderFET? SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下就能導(dǎo)通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5m?、6.7m?和5.9m?的超低導(dǎo)通電阻。在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下，該器件的典型導(dǎo)通電
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET SiR880DP

IR 拓展了中壓功率 MOSFET 產(chǎn)品組合推出采用 PQFN 封裝和銅夾技術(shù)的新產(chǎn)品

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng) IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。　　新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能，適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開(kāi)關(guān)電源(SMPS)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)等開(kāi)關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿(mǎn)足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg)，為客戶(hù)的特定應(yīng)用提供
關(guān)鍵字： IR MOSFET HEXFET

IR拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng) IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。　　新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能，適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開(kāi)關(guān)電源(SMPS)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)等開(kāi)關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿(mǎn)足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg)，為客戶(hù)的特定應(yīng)用提供
關(guān)鍵字： IR MOSFET HEXFET

英飛凌推出CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列

　　英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)(SJ)器件的優(yōu)勢(shì)(如低導(dǎo)通電阻和低容性開(kāi)關(guān)損耗)與輕松控制的開(kāi)關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起?；谕瑯拥募夹g(shù)平臺(tái)，C6器件針對(duì)易用性進(jìn)行了優(yōu)化，而E6器件則旨在提供最高效率。　　CoolMOS™ C6/E6是來(lái)自英飛凌的第六代市場(chǎng)領(lǐng)先的高壓超級(jí)結(jié)功率MOSFET。全新的650V CoolMOS™ C6/E6器件具備快速、可控的開(kāi)關(guān)性能，
關(guān)鍵字：英飛凌 CoolMOS MOSFET

自動(dòng)電平控制正弦波18MHz 穩(wěn)定振蕩器的設(shè)計(jì)

關(guān)鍵字：振蕩器 MOSFET 正弦波

TI推出可在25A電流下實(shí)現(xiàn)超過(guò)90%高效率的同步MOSFET半橋

　　德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現(xiàn)超過(guò) 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過(guò)高級(jí)封裝將 2 個(gè)非對(duì)稱(chēng) NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)與筆記本電腦、基站、交換機(jī)、路由器以及高電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高性能。更多詳情，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.ti.com.cn/powerblock-prcn。　　NexF
關(guān)鍵字： TI MOSFET NexFET CSD86350Q5D

Vishay發(fā)布助客戶(hù)進(jìn)一步節(jié)約器件占位空間和系統(tǒng)成本的解決方案的視頻教程

　　日前， Vishay Intertechnology, Inc.宣布，為幫助客戶(hù)了解在一個(gè)小尺寸器件內(nèi)組合封裝的高邊和低邊MOSFET如何節(jié)省DC-DC轉(zhuǎn)換器的空間和成本，該公司在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)上新增了一個(gè)流媒體視頻，展示SiZ700DT PowerPAIR?雙芯片不對(duì)稱(chēng)功率MOSFET解決方案。　　傳統(tǒng)上，設(shè)計(jì)者要在筆記本電腦、VRM、電源模塊、圖形卡、服務(wù)器和游戲機(jī)，以及工業(yè)系統(tǒng)的DC-DC轉(zhuǎn)換中實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)電源、POL、低電流DC-DC和同步降壓轉(zhuǎn)換
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET DC-DC 轉(zhuǎn)換器

英飛凌推出下一代CoolMOS MOSFET C6系列

　　英飛凌科技股份公司(Infineon)推出下一代高性能金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)600V CoolMOS C6系列。有了600V Cool-MOS C6系列器件，諸如PFC(功率因數(shù)校正)級(jí)或PWM(脈寬調(diào)制)級(jí)等能源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的能源效率可得到大幅提升。全新C6技術(shù)融合了現(xiàn)代超結(jié)結(jié)構(gòu)及包括超低單位面積導(dǎo)通電阻(例如采用TO-220封裝，電阻僅為99毫歐)在內(nèi)的補(bǔ)償器件的優(yōu)勢(shì)，同時(shí)具有更低的電容開(kāi)關(guān)損耗、更簡(jiǎn)單的開(kāi)關(guān)特性控制特性和更結(jié)實(shí)耐用的增強(qiáng)型體二極管。　　C6系列是英飛凌推
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET CoolMOS C6

飛兆推出30V MOSFET器件FDMS7650

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務(wù)器、刀片式服務(wù)器和路由器的設(shè)計(jì)人員帶來(lái)業(yè)界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號(hào)為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負(fù)載開(kāi)關(guān)或ORing FET，為服務(wù)器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔(dān)負(fù)載功能。FET的連續(xù)導(dǎo)通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務(wù)器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET FDMS7650

TI 推出一款同步 MOSFET 半橋

　　德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現(xiàn)超過(guò) 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過(guò)高級(jí)封裝將 2 個(gè)非對(duì)稱(chēng) NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)與筆記本電腦、基站、交換機(jī)、路由器以及高電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高性能。　　NexFET 功率模塊除提高效率與功率密度外，還能夠以高達(dá) 1.5 MHz 的開(kāi)關(guān)頻率生
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Vishay改進(jìn)ThermaSim在線(xiàn)MOSFET熱仿真工具

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對(duì)其ThermaSim在線(xiàn)MOSFET熱仿真工具進(jìn)行了改進(jìn)，為設(shè)計(jì)者提供更好的仿真精度、效率和用戶(hù)友好度。　　Vishay的ThermaSim是一個(gè)免費(fèi)工具，可讓設(shè)計(jì)者在制造原型前，對(duì)器件進(jìn)行細(xì)致的熱仿真，從而加快產(chǎn)品上市。ThermaSim是首款使用結(jié)構(gòu)復(fù)雜的功率MOSFET模型的在線(xiàn)MOSFET仿真工具，使用有限元分析(FEA)技術(shù)生成的MOSFET模型提高了仿真精度。　　設(shè)計(jì)者還可以定義其他散熱器件，并仿真這些元器件對(duì)M
關(guān)鍵字： Vishay 熱仿真工具 MOSFET ThermaSim

功率半導(dǎo)體行業(yè)的春天

　　功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為2833億美元，增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%. 　　MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷(xiāo)售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷(xiāo)售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車(chē)電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷(xiāo)售額大約為31.36億美元，IGBT的銷(xiāo)售額占全部功率半
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體下游需求旺盛前景看好

　　功率半導(dǎo)體下游需求旺盛，發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇勢(shì)頭增強(qiáng)，iSuppli公司預(yù)測(cè)2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)營(yíng)業(yè)收入為 2833億美元，增長(zhǎng)率達(dá)到23.2%。　　MOSFET市場(chǎng)前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷(xiāo)售額大約為52.89億美元，MOSFET的銷(xiāo)售額占全部功率半導(dǎo)體的比重大約為20%，MOSFET主要應(yīng)用于消費(fèi)電子、計(jì)算機(jī)、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車(chē)電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。　　IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷(xiāo)售額大約為31.36億美元，IGBT的銷(xiāo)售額占全部功率
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT