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今年二季度半導(dǎo)體元件價(jià)格漲幅將超10%

  • 　　據(jù)來自IC分銷渠道的消息人士透露，目前包括電源管理芯片(PWM)、金氧半場效晶體管(MOSFET)和DRAM在內(nèi)的大部分半導(dǎo)體元件供應(yīng)比較緊張，但是由于代工廠已經(jīng)在滿負(fù)荷運(yùn)行，預(yù)計(jì)短期內(nèi)這種情況不會(huì)得到緩解。 　　據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，消息人士指出，預(yù)計(jì)在今年第二季度，半導(dǎo)體元件的價(jià)格漲幅將超過10%。在第一季度中，其價(jià)格已經(jīng)平均提高了5-10%。 　　另外，消息人士還表示，由于在第一季度NOR閃存芯片供應(yīng)不足，多芯片封裝(multi-chip package，MCP)價(jià)格漲幅最大，在今年余下幾個(gè)月中，
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設(shè)計(jì)更高能效、極低EMI準(zhǔn)諧振適配器

  • 　　準(zhǔn)方波諧振轉(zhuǎn)換器也稱準(zhǔn)諧振(QR)轉(zhuǎn)換器，廣泛用于電源適配器。準(zhǔn)方波諧振的關(guān)鍵特征是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在漏極至源極電壓(VDS)達(dá)到其最低值時(shí)導(dǎo)通，從而減小開關(guān)損耗及改善電磁干擾(EMI)信號(hào)。 　　準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器采用不連續(xù)導(dǎo)電模式(DCM)工作時(shí)，VDS必須從輸入電壓(Vin)與反射電壓(Vreflect)之和降低到Vin。變壓器初級(jí)電感(Lp)與節(jié)點(diǎn)電容(Clump，即環(huán)繞MOSFET漏極節(jié)點(diǎn)的所有電容組合值，包括MOSFET電容和變壓器寄生電容等)構(gòu)成諧振網(wǎng)絡(luò)，Lp與C
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PI 推出創(chuàng)新的雙端子CAPZero系列IC

  • 　　用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出創(chuàng)新的雙端子CAPZero系列IC，該IC可對(duì)X電容自動(dòng)進(jìn)行放電，不僅能消除功率損耗，還可輕松滿足各項(xiàng)安全標(biāo)準(zhǔn)。 　　X電容通常位于電源的輸入端子之間，用于過濾EMI噪聲。由于它們可以在AC斷電后長時(shí)間貯存高壓電能，因此會(huì)構(gòu)成安全威脅。電阻通常用于對(duì)這些電容進(jìn)行放電，以便滿足安全要求;但這些電阻會(huì)在AC接通后產(chǎn)生恒定的功率損耗，這是造成空載及待機(jī)輸入功耗的重要因素。 　　CAPZero與放電電容串聯(lián)
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IR 推出新型25V DirectFET 芯片組

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺(tái)式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。 　　IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術(shù)，還具有業(yè)界領(lǐng)先的性能指數(shù) (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關(guān)和熱特性，成為一個(gè)為高頻率 DC-DC 開
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安森美推出帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET

  • 　　應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。 　　NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時(shí)分別擁有2 毫歐(m?)、3 m?及5 m?的最大導(dǎo)通阻抗(RDS(on))值，針對(duì)降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的同步端而優(yōu)化，達(dá)致更高電源能效。典型門電荷(在4.5 V門極-源極電壓(Vgs)時(shí))規(guī)格分別為39.6納庫侖(nC)、25.6 nC及1
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IR 推出具有低導(dǎo)通電阻的汽車用 MOSFET 系列

  • 　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列，適用于需要低導(dǎo)通電阻的各種應(yīng)用，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制、DC-DC 轉(zhuǎn)換、電池開關(guān)，以及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動(dòng)力汽車平臺(tái)的其它重載應(yīng)用。 　　新器件采用了 IR 經(jīng)過驗(yàn)證的 Gen 10.2 技術(shù)，可提供低至 1.0 mΩ 的導(dǎo)通電阻 (最大) ，在各種表面貼裝器件 (SMD) 和通孔封裝上均可承受 24V 至
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MOSFET與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理及利用

  • 　下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非所有原創(chuàng)。包含 MOS管的推選 ，特征，驅(qū)動(dòng)以及運(yùn)用 電路?！?br />　　在運(yùn)用 MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)思慮 M
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Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay宣布推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關(guān)速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓?fù)?，具有低?3ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。 　　SiHF8N50L-E3改善了反向恢復(fù)特性，從而能夠更好地抵御EMI，實(shí)現(xiàn)更高的效率，同時(shí)避免出現(xiàn)導(dǎo)致MOSFET燒毀的內(nèi)部體二極管恢復(fù)故障。 　　Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級(jí)，在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電
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GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長，2013年市場規(guī)模達(dá)1.8億

  • 　　美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。 　　目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測階段，或者剛開始商用化的階段。不過，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
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理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量

  • 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)定這些參數(shù)對(duì)其的影響，以及在哪些應(yīng)用條件下需要考慮這些參數(shù)。本文將論述這些問題，同時(shí)探討功率MOSFET在非鉗位感性開關(guān)條件下的工作狀態(tài)。
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飛兆半導(dǎo)體液晶電視解決方案簡化設(shè)計(jì)并減少元件數(shù)目

  • 　　飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的液晶電視功率解決方案相比現(xiàn)今使用的傳統(tǒng)解決方案，可為設(shè)計(jì)人員提供顯著優(yōu)勢(shì)，最近的創(chuàng)新技術(shù)能夠減少元件數(shù)目，簡化設(shè)計(jì)，并進(jìn)一步提高可靠性——所有這些可以大幅降低成本。 　　通過技術(shù)進(jìn)步，飛兆半導(dǎo)體的半橋解決方案Ultra FRFET系列進(jìn)一步優(yōu)化設(shè)計(jì)，具有35ns~65ns的同類最佳反向恢復(fù)時(shí)間(trr)和業(yè)界最小的反向恢復(fù)電流(1.8A ~ 3.1A)。目前的液晶電視設(shè)計(jì)使用MOSFET和半橋電路中的兩個(gè)快速恢
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氮化鎵電源管理芯片市場將快速增長

  • 　　據(jù)iSuppli公司，由于高端服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)和有線通訊領(lǐng)域的快速增長，氮化鎵(GaN)電源管理半導(dǎo)體市場到2013年預(yù)計(jì)將達(dá)到1.836億美元，而2010年實(shí)際上還幾乎一片空白。 　　GaN是面向電源管理芯片的一種新興工藝技術(shù)，最近已從大學(xué)實(shí)驗(yàn)階段進(jìn)入商業(yè)化階段。該技術(shù)對(duì)于供應(yīng)商來說是一個(gè)有吸引力的市場機(jī)會(huì)，它可以向它們的客戶提供目前半導(dǎo)體工藝材料可能無法企及的性能。 　　iSuppli公司認(rèn)為，在過去兩年里，有幾件事情使得GaN成為電源管理半導(dǎo)體領(lǐng)域中大有前途的新星。 　　首先，硅在
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Vishay發(fā)布2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品。這些系列器件具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn)，如容值電壓、電流等級(jí)和導(dǎo)通電阻。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/進(jìn)行展示，是很多關(guān)鍵應(yīng)用的理想選擇，也是Vishay廣泛的產(chǎn)品線組合的典型代表產(chǎn)品。 　　2010年將要發(fā)布的Super 12產(chǎn)品是： 597D和T97多模鉭電容：對(duì)于+28V應(yīng)
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Intersil推出最新的雙通道同步降壓穩(wěn)壓器 ISL8088

  • 　　全球高性能模擬半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司今天宣布，推出最新的雙通道同步降壓穩(wěn)壓器 --- ISL8088。該器件采用超小封裝，具有非常高的功率轉(zhuǎn)換效率和低靜態(tài)電流。 　　ISL8088是每通道800mA的雙通道降壓穩(wěn)壓器，內(nèi)部集成了功率MOSFET。2.7V～5.5V的輸入電壓和35mA的靜態(tài)電流，使ISL8088成為電池供電和其他“綠色電源”應(yīng)用的理想之選。ISL8088可以選擇工作在強(qiáng)制的PWM模式和自動(dòng)的PWM/PFM模式，以延長電池壽命。 　　
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Vishay發(fā)布新款microBUCK集成同步降壓穩(wěn)壓器

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出旗下microBUCK系列集成同步降壓穩(wěn)壓器中的新器件 --- SiC414。6A SiC414是DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案，具有先進(jìn)的控制器IC和柵極驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)針對(duì)PWM控制優(yōu)化的N溝道MOSFET(高邊和低邊)、在獨(dú)立降壓穩(wěn)壓器配置中的自啟動(dòng)開關(guān)，采用節(jié)省空間的MLPQ 4mm x 4mm的28引腳封裝。 　　microBUCK系列的產(chǎn)品綜合了Vishay獨(dú)特的分立MOSFET設(shè)計(jì)、IC專長和封裝工藝，為客戶提供了具有成本效
  • 關(guān)鍵字： Vishay  microBUCK  MOSFET  封裝  
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