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AT&T需要未授權(quán)頻譜提升LTE速率 而T-Mobile則不然

  • 　　據(jù)外媒報道，AT&T頂級網(wǎng)絡(luò)執(zhí)行官日前表示，該運營商將部分依賴未授權(quán)頻譜，以便將其LTE網(wǎng)絡(luò)速度提升至1Gbps。 　　   　　但是T-Mobile某頂級執(zhí)行官則表示，該運營商無需未授權(quán)頻譜，通過其所持有的授權(quán)頻譜就能在其LTE網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)上述速率。 　　AT&T的John Donovan表示，該運營商將利用各種技術(shù)，將其LTE網(wǎng)絡(luò)速度提升到1 Gbps，包括4*4和8*8 MIMO、265 QAM以及載波聚合等。 　　他還表示，AT&T將需要使用未授權(quán)頻
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大陸韓國擴(kuò)產(chǎn)競賽 Flash后年產(chǎn)能恐過剩

  • 　　儲存型快閃存儲(NANDFlash)軍備競賽再起，南韓存儲大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲產(chǎn)能;紫光集團(tuán)旗下的長江存儲武漢廠，也預(yù)定本月底正式動土，都為2018年供給過于求再現(xiàn)，埋下隱憂。 　　目前各市調(diào)機(jī)構(gòu)均看好明年NANDFlash仍處于供不應(yīng)求局面，但南韓存儲大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲廠，在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴(kuò)充產(chǎn)能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場投下新變數(shù)。 　　稍早三星和美光也都
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T-Clock技術(shù) 實現(xiàn)PXI整合同步測試

  • 由于單部儀器上的觸發(fā)響應(yīng)通道有限，或因為需要混合信號的觸發(fā)響應(yīng)信道，因此許多測試與測量應(yīng)用，將需要對多部儀器進(jìn)行時間控制與同步化
  • 關(guān)鍵字： T-Clock技術(shù)PXI同步測  

為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠

  • 　　SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠，滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設(shè)計外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。   　　SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長，以及引導(dǎo)向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個半導(dǎo)體工廠需要超過2年，所以提前做好準(zhǔn)備。 　　SK海力士曾在20
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AT&T推出美國首例基于毫米波技術(shù)的5G商業(yè)實驗服務(wù)

  • 　　盡管5G技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)仍在制定中，但美國電信運營商AT&T近日宣布，已經(jīng)推出了美國首例基于毫米波技術(shù)的5G商業(yè)客戶試驗服務(wù)。 　　AT&T表示，英特爾成為首例5G試驗服務(wù)的客戶。據(jù)悉，英特爾位于得克薩斯州奧斯汀的辦公樓將會率先使用5G服務(wù)。AT&T為該場所提供了G級的帶寬。雙方將同時測試互聯(lián)網(wǎng)接入、VPN、統(tǒng)一通信應(yīng)用、4K視頻流等服務(wù)。據(jù)悉，該試驗還將展示15GHz和28GHz頻段5G VoIP的表現(xiàn)。這兩家公司稱，屆時的傳輸速率最高可達(dá)14.4Gbps。 　　5G已成為各通信
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Flash數(shù)據(jù)為何不翼而飛

  • 　　芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行，從而造成整個系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化?！　?nbsp;   　　1、用戶代碼對Flash的誤操作不當(dāng)引起程序丟失或被錯誤改寫　　例如，在有對Flash寫入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調(diào)用了寫入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或?qū)懭牒瘮?shù)，這自然會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或改變。針對以上情況，可以在程序中設(shè)置多個允許操作的變量，當(dāng)執(zhí)行寫入或擦除操作時，對
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NAND Flash供不應(yīng)求，第三季品牌商營收大幅季成長19.6%

  • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于智能手機(jī)需求強(qiáng)勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開始漲價，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。 　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第四季各項終端設(shè)備出貨進(jìn)入今年最高峰，預(yù)估整體NAND Flash供不應(yīng)求的市況將更為顯著，各項NAND Flash產(chǎn)品的合約價漲幅將更高，廠商的營收
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Flash缺貨，存儲器成為三星的搖錢樹

  • 　　NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社) 　　根據(jù)DIGITIMES的報導(dǎo)，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應(yīng)量成長率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，F(xiàn)lash則約9兆韓元，遠(yuǎn)不如原
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中國存儲三大勢力成形 各自進(jìn)擊

  • 　　早前報導(dǎo)，中國存儲三大勢力成形，目前長江存儲、晉華集成已積極展開建廠、布建產(chǎn)能，就差合肥團(tuán)隊還未有相關(guān)消息，現(xiàn)在相關(guān)招募信息與環(huán)評結(jié)果曝光，也透露更多發(fā)展信息。 　　中國發(fā)展存儲成三路進(jìn)擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國主導(dǎo)的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動，現(xiàn)在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長鑫的環(huán)評公告，也可一窺其在合肥的布局。 　　合肥將發(fā)展存儲的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達(dá)前社長坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
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三相T/6正弦波形發(fā)生器電路圖

詳析AT&T關(guān)于AirGig、5G和LTE-Advanced技術(shù)的發(fā)展計劃

  • 　　近日，AT&T公司在總部達(dá)拉斯舉行AT&T 2016行業(yè)分析師峰會，AT&T概述了其關(guān)于AirGig、5G和LTE-Advanced技術(shù)方面的發(fā)展計劃。 　　AirGig可能成為網(wǎng)絡(luò)架構(gòu)的一個根本性改變和一個真正的運營商差異點，但是在AT&T正式在商用網(wǎng)絡(luò)中進(jìn)行部署AirGig之前，還有很多工作需要做。在5G和LTE-Advanced方面，AT&T則有著更加成熟的公共立場。峰會在這些領(lǐng)域并未帶來任何驚喜，相反，這家運營商強(qiáng)調(diào)了其發(fā)展地位。 　　Ovum的觀點
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特朗普贏得總統(tǒng)大選：AT&T收購時代華納前景黯淡

  • 　　據(jù)美聯(lián)社11月9日最新報道，美國共和黨總統(tǒng)候選人唐納德-特朗普在賓夕法尼亞州戰(zhàn)勝民主黨總統(tǒng)候選人希拉里-克林頓，拿下該州20張選舉人票。從而以274:215戰(zhàn)勝希拉里，贏得2016年美國總統(tǒng)大選。 　　對于很多普通民眾，無論是誰當(dāng)選，生活可能不會有太大改變;但對于AT&T首席執(zhí)行官蘭德爾·斯蒂芬森(Randall Stephenson)而言，特朗普的當(dāng)選，可能會給AT&T的前景造成很大的困擾。 　　在上個月22號，特朗普在賓夕法尼亞州葛底斯堡發(fā)表演講，闡述如果贏得
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“并購狂”AT&T啟示錄：中國運營商“眼饞”卻無力

  • 有著雄厚的資金實力，國內(nèi)運營商完全可以出海，沒必要將目光完全聚焦在人口紅利逐漸消退、市場漸趨飽和的國內(nèi)，相互之間還虎視眈眈、屢屢赤膊上陣。但是因為機(jī)制方面的原因，國內(nèi)運營商卻被“綁著一只手”，這是一種無奈。
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基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究

  • 摘要：德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構(gòu)的最高性能的DSP器件，是市場上應(yīng)用廣泛的C6455高端處理平臺升級的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
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FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進(jìn)設(shè)計

  • 嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構(gòu)建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設(shè)計思想。
  • 關(guān)鍵字： Flash  NAND  FAT  文件系統(tǒng)    
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