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賽普拉斯推出業(yè)界首款支持 USB PD 的七端口 USB-C Hub 控制器

  • 　　全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案提供商賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，推出業(yè)界首款支持USB 協(xié)商供電(PD)協(xié)議的七端口 USB-C Hub控制器?？删幊痰?EZ-USB? HX3PD Hub 控制器集五個(gè)芯片的功能于一體，簡化了USB-C擴(kuò)展塢的設(shè)計(jì)，降低了物料成本(BOM)，并可將電路板尺寸縮小 50%。這款高度集成的控制器適用于筆記本電腦和平板電腦擴(kuò)展塢、顯示器擴(kuò)展塢以及多功能 USB-C 外設(shè)產(chǎn)品。　　USB-C 擴(kuò)展塢的設(shè)計(jì)非常復(fù)雜，需要兩個(gè) USB Hub 來實(shí)現(xiàn)內(nèi)部和外部的連接，支持 USB PD
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低功耗SiC二極管實(shí)現(xiàn)最高功率密度

  • 　　相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復(fù)電流，且具有不受溫度影響的開關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導(dǎo)體。　　安森美半導(dǎo)體擴(kuò)展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設(shè)計(jì)用于太陽能光伏逆變器、電動(dòng)車/混和動(dòng)力電動(dòng)車(EV / HEV)充電器、電信電源和數(shù)據(jù)中心電源等各類應(yīng)用的PFC和升壓轉(zhuǎn)換器時(shí)，往往面對在更小尺寸實(shí)現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑
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工業(yè)設(shè)備輔助電源驅(qū)動(dòng)用的SiC電源解決方案

  • 　　前言　　包括光伏逆變器、電氣驅(qū)動(dòng)裝置、UPS及HVDC在內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，需要柵極驅(qū)動(dòng)器、微控制器、顯示器、傳感器及風(fēng)扇來使系統(tǒng)正常運(yùn)行。這類產(chǎn)品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設(shè)備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術(shù)優(yōu)勢且設(shè)計(jì)簡單、性價(jià)比高的電源解決方案。　　小型輔助電源用SiC MOSFET　　圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
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USB-C和PD標(biāo)準(zhǔn)的演進(jìn) – 對設(shè)計(jì)工程師來說是把雙刃劍

  • 　　USB-C(Type-C)已經(jīng)成為街談巷議的熱門話題，重要的原因是因其能夠?qū)崿F(xiàn)更高的性能，為用戶提供便利，并為希望為其設(shè)備供電或傳輸數(shù)據(jù)的設(shè)計(jì)人員和制造商提供易用性。　　然而，USB-C不僅僅是如從USB 1.1到USB 2.0，或USB 3.0到最新的USB 3.1發(fā)展的標(biāo)準(zhǔn)的最新進(jìn)展。USB-C還是關(guān)于物理接口設(shè)計(jì)的-它正成為流行的物理接口!　　事實(shí)上，所有跡象正在表明USB-C正成為眾多領(lǐng)先制造商和設(shè)備類型的默認(rèn)接口。但是從設(shè)計(jì)的角度來管理對USB-C的更新可能會(huì)帶來復(fù)雜的挑戰(zhàn)?！　τ诠こ處焷?/li>
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如何采用USB Type-C方案輕松快速地助您把USB?設(shè)計(jì)升級

  • 　　雖然業(yè)界起初對過去數(shù)年的USB-C(技術(shù)上稱為USB Type-C)的普及率保持緘默，但當(dāng)今主要的消費(fèi)電子設(shè)計(jì)制造商已完全采納該標(biāo)準(zhǔn)。然而，當(dāng)終端客戶收到最新的USB Type-C設(shè)備時(shí)，他們會(huì)發(fā)現(xiàn)市場上缺乏此類設(shè)備的配件和外設(shè)?！　“采腊雽?dǎo)體的USB Type-C方案助您把設(shè)計(jì)升級，超過對手。在本博客中，我們將重點(diǎn)討論USB Type-C設(shè)計(jì)，諸如把手機(jī)和平板電腦的鼠標(biāo)和鍵盤等基本的USB HID(人機(jī)接口設(shè)備)?！　〔捎冒采腊雽?dǎo)體的FUSB301 USB Type-C自動(dòng)控制器，您可以快速地把
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我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破

  • 　　6月5日，在中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺(tái)碳化硅(SiC)單晶生長設(shè)備正在高速運(yùn)行，SiC單晶就在這100臺(tái)設(shè)備里“奮力”生長?！　≈袊娍贫谝皇聵I(yè)部主任李斌說：“這100臺(tái)SiC單晶生長設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了。”　　SiC單晶是第三代半導(dǎo)體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高壓
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我國半導(dǎo)體SiC單晶粉料和設(shè)備生產(chǎn)實(shí)現(xiàn)新突破

  • 　　6月5日，在中國電子科技集團(tuán)公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺(tái)碳化硅(SiC)單晶生長設(shè)備正在高速運(yùn)行，SiC單晶就在這100臺(tái)設(shè)備里“奮力”生長?！　≈袊娍贫谝皇聵I(yè)部主任李斌說：“這100臺(tái)SiC單晶生長設(shè)備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產(chǎn)的。我們很自豪，正好咱們自己能生產(chǎn)了。”　　SiC單晶是第三代半導(dǎo)體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強(qiáng)、高電子遷移率、高熱導(dǎo)率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達(dá)、衛(wèi)星通訊、高壓
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安森美半導(dǎo)體發(fā)布碳化硅(SiC)二極管用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用

  • 　　推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON)，發(fā)布了碳化硅(SiC)肖特基二極管的擴(kuò)展系列，包括專門用于要求嚴(yán)苛的汽車應(yīng)用的器件。新的符合AEC-Q101車規(guī)的汽車級SiC二極管提供現(xiàn)代汽車應(yīng)用所需的可靠性和強(qiáng)固性，以及等同于寬禁隙(WBG)技術(shù)的眾多性能優(yōu)勢?！　iC技術(shù)提供比硅器件更佳的開關(guān)性能和更高的可靠性。SiC二極管沒有反向恢復(fù)電流，開關(guān)性能與溫度無關(guān)。極佳的熱性能、增加的功率密度和降低的電磁干擾(EMI)，減小的系統(tǒng)尺寸和降低的成本使SiC
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全新的USB-C統(tǒng)包方案

  • 　　安森美半導(dǎo)體最近宣布推出全新低功耗，完全符合USB-C(Type-C)的器件，包括最新修定1.3規(guī)格，可輕松集成到USB-C系統(tǒng)。這一全新USB-C器件使工程師們快速簡單地采用USB-C，無需重大地更改架構(gòu)?！　USB303 USB-C端口控制器基于狀態(tài)機(jī)，可實(shí)現(xiàn)輕松集成，只需最少的處理器交互。FUSB303支持所有無論是否具有配件支持的源(SRC)、匯(SNK)和雙角色端口(DRP)模式。FUSB303具有可配置的I2C地址訪問功能，以支持每個(gè)系統(tǒng)的多個(gè)端口，或僅通過引腳配置自動(dòng)工作?！　ype
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賽普拉斯的 USB-C 控制器獲得英特爾和 AMD 參考設(shè)計(jì)認(rèn)證

  • 　　全球領(lǐng)先的嵌入式解決方案提供商賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克代碼：CY)日前宣布，支持 PD 協(xié)議的 EZ-PD CCG5雙端口可編程 USB-C 控制器獲得英特爾 Thunderbolt? 3 主機(jī)和外設(shè)設(shè)計(jì)認(rèn)證;同時(shí)，支持 PD 協(xié)議的EZ-PD CCG4 雙端口 USB-C 控制器則通過了 AMD 用于筆記本和臺(tái)式機(jī)的 “Raven Ridge” 處理器的認(rèn)證。這兩款產(chǎn)品都具備了 EZ-PD 系列所獨(dú)有的可編程特性，能夠緊跟不斷發(fā)展的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行更新，并為英特爾和 AMD 的參考設(shè)計(jì)提供強(qiáng)大的 U
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美高森美繼續(xù)擴(kuò)大碳化硅產(chǎn)品組合提供 下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V肖特基勢壘二極管器件

  • 　　致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的領(lǐng)先半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布在下季初擴(kuò)大其碳化硅(SiC) MOSFET 和SiC二極管產(chǎn)品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 肖特基勢壘二極管(SBD)和相應(yīng)的裸片。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號(hào)展廳318展臺(tái)展示這些SiC解決方案以及SiC SBD
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賽普拉斯USB-C 技術(shù)為三星DeX提供先進(jìn)的移動(dòng)計(jì)算體驗(yàn)

  • 　　嵌入式解決方案領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼：CY)今日宣布，其USB-C技術(shù)為三星的DeX Pad帶來多功能連接和快速充電能力，為三星DeX用戶提供全屏幕桌面體驗(yàn)。三星DeX是一項(xiàng)為移動(dòng)設(shè)備提供類似PC體驗(yàn)的服務(wù)。DeX Pad附件可輕松連接外圍設(shè)備，如顯示器、鍵盤和鼠標(biāo)等，便于Samsung DeX的使用。賽普拉斯EZ-PD?控制器允許三星解決方案將兼容的Samsung Galaxy設(shè)備無縫連接到DeX Pad的USB-C端口，以訪問外
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高質(zhì)USB-C 3.1 Gen2數(shù)據(jù)線拆解：搭載慧能泰E-Marker芯片

  • 　　隨著USB?PD快充協(xié)議的普及，USB-C?to?USB-C數(shù)據(jù)線市場占有率不斷提升。這種線纜擁有傳統(tǒng)線纜無法比擬的優(yōu)勢–支持USB3.1數(shù)據(jù)傳輸以及電流20V/5A?100W電力傳輸。　　承載5A的電流的USB-C?to?USB-C線材必須配備E-Marker芯片，然而5A只是電流承載能力，對于輸出傳輸來說，還需要區(qū)分是USB?2.0接口還是USB?3.1?Gen1或者USB?3.1?Gen
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賽普拉斯推出用于電子標(biāo)記線纜的新一代USB-C和Power Delivery控制器，擴(kuò)大在USB領(lǐng)域的領(lǐng)先優(yōu)勢

  • 　　嵌入式解決方案領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司于今日宣布推出一款高度集成的緊湊型USB-C控制器。該控制器經(jīng)過專門優(yōu)化，適用于無源Thunderbolt和非Thunderbolt USB-C線纜。EZ-PD?CMG1單芯片解決方案通過集成高壓短路保護(hù)和系統(tǒng)級靜電放電(ESD)保護(hù)增強(qiáng)了穩(wěn)健性，同時(shí)降低了材料成本。該控制器完全符合USB Type-C 1.3規(guī)范，通過USB-C支持的多種協(xié)議確保即插即用的用戶體驗(yàn)，同時(shí)也滿足USB Power Delivery(
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ROHM集團(tuán)Apollo筑后工廠將投建新廠房, 以強(qiáng)化SiC功率元器件的產(chǎn)能

  • 　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM為加強(qiáng)需求日益擴(kuò)大的SiC功率元器件的生產(chǎn)能力，決定在ROHM Apollo Co., Ltd.(日本福岡縣)的筑后工廠投建新廠房?！　⌒聫S房為地上3層建筑，總建筑面積約11,000㎡。現(xiàn)在，具體設(shè)計(jì)工作正在有條不紊地進(jìn)行，預(yù)計(jì)將于2019年動(dòng)工，于2020年竣工?！　OHM自2010年開始量產(chǎn)SiC功率元器件(SiC-SBD、SiC-MOSFET)以來，于世界首家量產(chǎn)“全SiC”功率模塊和溝槽結(jié)構(gòu)SiC-MOSFET，不斷進(jìn)行著領(lǐng)先業(yè)界的技
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