v-nand閃存文章進(jìn)入v-nand閃存技術(shù)社區(qū)

Marvell推出第一款Native PCIe控制器

集成芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達(dá)克代碼：MRVL)今日宣布推出Marvell? 88NV9145。該器件是全世界第一款模塊化可擴(kuò)展的Native PCIe SSD控制器，并已開(kāi)始批量生產(chǎn)。88NV9145控制器作為PCIe SSD的核心部件，可以為客戶在容量以及性能上逐步擴(kuò)容提供靈活的配置。
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蘋(píng)果轉(zhuǎn)售NAND閃存大賺：成本10.7美元賣(mài)100美元

　　投資公司Bernstein Research今天公布一份報(bào)告，談及蘋(píng)果采購(gòu)NAND閃存的情況。蘋(píng)果iPhone 4S有16GB版本和32GB版本，二者的差別就在于NAND閃存容量不同，32GB版本高100美元。不過(guò)根據(jù)Bernstein Research的研究發(fā)現(xiàn)，蘋(píng)果在采購(gòu)NAND閃存時(shí)有很大的折扣，每GB只有0.67美元，16GB相當(dāng)于10.72美元。　　由此看來(lái)，蘋(píng)果的利潤(rùn)戰(zhàn)略相當(dāng)成功。讓分析師奇怪的是蘋(píng)果戰(zhàn)略如此成功，為什么競(jìng)爭(zhēng)者不仿效。　　報(bào)告中寫(xiě)道：“2011年4季度，
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基于單片IC構(gòu)成的廉價(jià)100KHZ V-F轉(zhuǎn)換器

電路的功能以往一提到F-F轉(zhuǎn)換器，往往選用混合集成組件，而本電路使用了單片V-F轉(zhuǎn)換器，這是一種廉價(jià)的100KHZ V-F轉(zhuǎn)換器標(biāo)準(zhǔn)電路，它把0~10V的輸入電壓轉(zhuǎn)換成0~100KHZ的脈沖串。用光耦合器或光纖傳輸，可以把模擬信號(hào)
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點(diǎn)燃高速傳輸接口戰(zhàn)局: USB3.0 V.S. eSATA

但是，誰(shuí)有這么多時(shí)間和耐性做完所有這種分析和測(cè)試——當(dāng)然JEDEC除外！本文將告訴您在測(cè)試您設(shè)計(jì)的散熱完整性時(shí)如何安全地繞過(guò)這些步驟。通過(guò)訪問(wèn)散熱數(shù)據(jù)，您可以將散熱數(shù)據(jù)用于您正使用的具體封裝。這
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V-MOS管測(cè)試

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IMFT推出20納米制程的NAND閃存

　　日前，英特爾(Intel)與美光(Micron)合資成立的IM Flash Technology(IMFT)推出以20納米制程生產(chǎn)之128GB NAND閃存。兩家公司的20納米制程的64GB NAND閃存也將進(jìn)入量產(chǎn);128GB NAND閃存預(yù)計(jì)于2012年進(jìn)行量產(chǎn)。　　20納米制程之128GB NAND Flash由英特爾與美光合資成立之IMFT所發(fā)展出來(lái)。該128GB NAND Flash為多層(multilevel)單元，英特爾與美光并未透露一個(gè)單元含有多少位(bit)。128GB NAND
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三星有可能在中國(guó)建芯片廠

　　日前消息稱，三星計(jì)劃投資約35億美元，在中國(guó)開(kāi)辦芯片工廠，并于2013年投入營(yíng)運(yùn)。據(jù)該公司一份監(jiān)管檔中表示，工廠將采用先進(jìn)的20納米技術(shù)，生產(chǎn)NAND閃存芯片，但并未透露該座新工廠的地址和具體投資金額。　　如果建廠計(jì)劃獲得中國(guó)官方批準(zhǔn)，該工廠將是三星繼美國(guó)德州奧斯汀之后的第2座海外芯片制造工廠，三星還計(jì)劃在中國(guó)建立平板顯示屏幕生產(chǎn)基地。　　韓國(guó)新韓投資公司分析師金永燦預(yù)計(jì)，三星將為中國(guó)新廠投資4兆韓元(約合35億美元)至5兆韓元。　　三星表示，已經(jīng)就在外國(guó)投建生產(chǎn)基地向韓國(guó)政府提交申請(qǐng)，后
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Altera續(xù)發(fā)售Arria V FPGA

Altera公司今天宣布，開(kāi)始發(fā)售其28-nm Arria V FPGA。Arria V器件是目前市場(chǎng)上支持10.3125-Gbps收發(fā)器技術(shù)、功耗最低的中端FPGA。利用該系列的創(chuàng)新特性，在無(wú)線、廣播等市場(chǎng)上，設(shè)計(jì)人員可以定制滿足下一代系統(tǒng)的低功耗、寬帶和低成本需求。Arria V器件是公司于2011年上半年發(fā)售Stratix V系列產(chǎn)品之后發(fā)售的另一28-nm系列產(chǎn)品，表明了Altera承諾交付滿足用戶各類(lèi)設(shè)計(jì)需求的器件。
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20nm最強(qiáng)制程三星造出8Gb相變內(nèi)存顆粒

　　來(lái)自SemiAccurate網(wǎng)站的消息稱，三星已經(jīng)研發(fā)并制造出容量達(dá)到8Gb的相變內(nèi)存顆粒，采用移動(dòng)設(shè)備中常用的LPDDR2界面，此前制造的1Gb相變內(nèi)存顆粒樣品容量一般只有1Gb，是它的1/8。　　新的內(nèi)存顆粒最大的亮點(diǎn)是采用目前存儲(chǔ)芯片最先進(jìn)的20nm制程工藝打造，幾乎達(dá)到了包括相變內(nèi)存在內(nèi)的所有DDR內(nèi)存以及NAND閃存的極限。　　相變內(nèi)存結(jié)合了DDR與NAND閃存的特點(diǎn)，具有斷電不掉數(shù)據(jù)，耐久性好，速度快等優(yōu)點(diǎn);根據(jù)內(nèi)存制造材料的每個(gè)晶胞在晶態(tài)/非晶態(tài)之間來(lái)回轉(zhuǎn)換來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。　　預(yù)
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驅(qū)動(dòng) WLED 未必需要 4 V 的電壓

白光發(fā)光二極管(WLED)應(yīng)用相當(dāng)普遍，主要原因在于白光發(fā)光二極管可用于提供便攜式電子產(chǎn)品顯示器的背光。一...
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高能效28 V、3.3 A LED街燈驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)

前言：隨著led在性能及成本幾乎各個(gè)方面的持續(xù)改進(jìn)，LED照明正在用于越來(lái)越寬的應(yīng)用領(lǐng)域，其中LED街燈就是業(yè)界關(guān)...
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基于CAN總線的胎壓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)在重型車(chē)輛上的應(yīng)用研究

胎壓對(duì)于道路安全、乘坐舒適度、輪胎壽命以及車(chē)輛油耗來(lái)說(shuō)是一個(gè)非常重要的因素。胎壓監(jiān)測(cè)系統(tǒng)（TPMS）使用...
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Altera發(fā)布業(yè)界第一款28-nm FPGA開(kāi)發(fā)套件

2011年9月7號(hào)，北京——Altera公司(NASDAQ:ALTR)今天宣布開(kāi)始提供第一款帶有28-nm FPGA的開(kāi)發(fā)套件——Stratix V GX FPGA信號(hào)完整性套件，在推動(dòng)業(yè)界28-nm FPGA發(fā)展方面樹(shù)立了新里程碑。這一全功能套件支持設(shè)計(jì)工程師加速高性能系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)，滿足了業(yè)界對(duì)提高帶寬的需求。Stratix V GX FPGA信號(hào)完整性開(kāi)發(fā)套件為用戶提供的平臺(tái)能夠測(cè)量并評(píng)估從600 Mbps到12.5 Gbps的收發(fā)器鏈路性能。
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蘋(píng)果代工：三星、臺(tái)積電一個(gè)都不想少

　　市場(chǎng)上有關(guān)蘋(píng)果打算把其ARM-basediPad處理器的代工廠三星給拉下，或至少在下一代處理器A6把三星給換掉的傳言滿天飛。臺(tái)積電是呼聲甚高的替代人選。但除此之外，最近開(kāi)始切入代工業(yè)務(wù)的英特爾，也成為被討論的對(duì)象之一。　　
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兩線制V/I變換器設(shè)計(jì)

V/I 變換器是一種可以用電壓信號(hào)控制輸出電流的電路。兩線制V/I變換器與一般V/I變換電路不同點(diǎn)在：電壓信號(hào)不是直接控制輸出電流，而是控制整個(gè)電路自身耗電電流。同時(shí)，還要從電流環(huán)路上提取穩(wěn)定的電壓為調(diào)理電路和
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