首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> v-nand閃存

納米器件電流-電壓(I-V)特性測試

  • 對于納米電子和半導(dǎo)體材料與薄膜，采用靈敏的電氣測量工具是十分必要的。它們提供的數(shù)據(jù)能夠幫助我們完全掌握新材料的電氣特性和新器件與元件的電氣性能。納米測量儀器的靈敏度必須要高得多，因為需要測量的電流和電
  • 關(guān)鍵字： I-V  納米器件  電流  電壓    

NAND閃存高級制程技術(shù)量產(chǎn)后才有意義

  • 　　盡管NAND閃存廠商都在積極向亞30nm制程轉(zhuǎn)移，但按閃存業(yè)者的看法，只有將這些高級制程投入量產(chǎn)使用才較有實際意義。NAND閃存產(chǎn)品向更高級制程節(jié)點轉(zhuǎn)移時，所需的產(chǎn)品驗證時間越來越長，便是這一看法的明證之一。 　　
  • 關(guān)鍵字： 鎂光  NAND閃存  

利用單片機控制的數(shù)字氣壓計開發(fā)與實現(xiàn)

  • 摘要：介紹了一種精密數(shù)字氣壓計的軟硬件實現(xiàn)方法。該方法通過氣壓傳感器獲得與大氣壓相對應(yīng)的模擬電壓值，并經(jīng) ...
  • 關(guān)鍵字： 氣壓計  氣壓傳感器  V／F轉(zhuǎn)換器  單片機  

微機械陀螺的閉環(huán)驅(qū)動電路的設(shè)計與實現(xiàn)

  • 以北京微電子技術(shù)研究所自主研發(fā)的803微機械陀螺為研究對象，對陀螺的閉環(huán)驅(qū)動電路進行了分析和設(shè)計。閉環(huán)驅(qū)動電路實現(xiàn)方式主要有自激和鎖相環(huán)驅(qū)動兩種方式，對關(guān)鍵的C-V轉(zhuǎn)換電路和AGC電路進行了設(shè)計實現(xiàn)。為以后微機械陀螺的驅(qū)動電路的研究設(shè)計提供依據(jù)。
  • 關(guān)鍵字： 微機械陀螺  閉環(huán)  驅(qū)動電路  C-V  AGC  201104  

英特爾與美光新加坡合資NAND閃存廠投產(chǎn)

  • 　　英特爾官員日前表示，英特爾和美光聯(lián)手在新加坡投資30億美元興建的NAND閃存廠周四開始投產(chǎn)。 　　之前由于爆發(fā)全球性金融危機，加上內(nèi)存產(chǎn)品價格低迷，英特爾和美光剛開始就推遲了興建這座工廠的計劃，不過雙方于2010年又把這項計劃重新提上日程。雙方表示，由于進展順利，工廠提前完工。　
  • 關(guān)鍵字： 英特爾  NAND閃存  

iPhone5或?qū)⒉捎脰|芝24納米NAND閃存

  • 東芝于本周二發(fā)布了24納米工藝SmartNAND系列閃存。而這一產(chǎn)品很有可能將應(yīng)用于蘋果iPhone5中。單條Sm...
  • 關(guān)鍵字： iPhone5  24納米  NAND閃存  

Altera發(fā)布28nm器件系列產(chǎn)品

  • 　　為滿足用戶的多種設(shè)計需求，Altera公司 今天發(fā)布其28-nm器件系列產(chǎn)品，為業(yè)界提供最全面的器件選擇。Altera在Cyclone V和Arria V FPGA新系列、最新擴展的Stratix V FPGA以及此前發(fā)布的HardCopy V ASIC系列中為用戶提供突出不同產(chǎn)品優(yōu)勢的解決方案。 　　
  • 關(guān)鍵字： Altera  Stratix V FPGA  

Elpida 和Spansion開始合作生產(chǎn)電荷俘獲型NAND閃存

  • 　　Elpida和Spansion發(fā)明一種電荷俘獲型閃存，為1.8V SLC(單層單元)4Gb NAND閃存存儲器。它是基于Spansion的MirrorBit電荷俘獲型技術(shù)在Elpida的廣島廠進行量產(chǎn)。 　　按公司的說法，與通常的浮柵NAND閃存相比，電荷俘獲型NAND在更簡單的單元結(jié)構(gòu)下可以作到尺寸更小，同時功能更強，讀出速度更快及可編程速度更快。 　　Elpida計劃把NAND閃存與移動RAM結(jié)合一起銷售移動消費類產(chǎn)品。除此之外，Spansion正開發(fā)用于嵌入式及選擇無線市場的NAND，以及繼
  • 關(guān)鍵字： Elpida  NAND閃存  

東芝開始量產(chǎn)24nm工藝NAND閃存

  • 　　東芝公司宣布，即日起開始使用24nm工藝批量生產(chǎn)NAND閃存芯片，這也是該領(lǐng)域內(nèi)迄今為止最為先進的制造技術(shù)。 　　東芝透露，24nm工藝已被用于生產(chǎn)世界上體積最小、存儲密度最高的2bpc(每單元兩個比特)MLC NAND閃存芯片，單顆容量64Gb(8GB)，今后還會使用同樣工藝制造32Gb(4GB)容量和3bpc規(guī)格的閃存芯片。 　　東芝表示，新工藝將進一步減小芯片尺寸、提高生產(chǎn)效率，同時還支持Toggle DDR接口規(guī)范，有助于增強數(shù)據(jù)傳輸速度。 　　在此之前，Intel、美光合資的IM Fl
  • 關(guān)鍵字： 東芝  NAND閃存  24nm  

一種可實現(xiàn)快速響應(yīng)的V/I電路的設(shè)計方法

  • 　0 引言　　本文通過電流驅(qū)動負載，設(shè)計了一種具有快速響應(yīng)的電壓轉(zhuǎn)電流電路，同時采用PSPICE里的實際模型對電路進行了仿真，仿真響應(yīng)時間為百ns。故該電路的設(shè)計對高速網(wǎng)絡(luò)中有一定的參考價值?！　? 電壓轉(zhuǎn)電流的
  • 關(guān)鍵字： 設(shè)計  方法  電路  V/I  快速  響應(yīng)  實現(xiàn)  

由單片IC構(gòu)成的廉價100KHZ V-F轉(zhuǎn)換器

  • 電路的功能以往一提到F-F轉(zhuǎn)換器，往往選用混合集成組件，而本電路使用了單片V-F轉(zhuǎn)換器，這是一種廉價的100KHZ V-F轉(zhuǎn)換器標準電路，它把0~10V的輸入電壓轉(zhuǎn)換成0~100KHZ的脈沖串。用光耦合器或光纖傳輸，可以把模擬信號
  • 關(guān)鍵字： V-F  轉(zhuǎn)換器  100KHZ  廉價  IC  構(gòu)成  單片  

通過28-nm FPGA 解決100-GbE 線路卡設(shè)計挑戰(zhàn)

  • 各種標準組織逐步完成了傳送網(wǎng)、以太網(wǎng)和光接口的100G 標準， FPGA 在100G 產(chǎn)品系統(tǒng)設(shè)計早期技術(shù)應(yīng)用中扮演了關(guān)鍵角色。由于帶寬需求越來越大，服務(wù)提供商為他們的下一代線路卡選擇了最新的40-GbE/100-GbE標準。Altera Stratix V FPGA在28-nm 技術(shù)節(jié)點提供具有增強100G PCS 功能的集成12.5-Gbps收發(fā)器，從而解決了帶寬問題。 詳情參見 http://share.eepw.com.cn/share/download/id/51953
  • 關(guān)鍵字： Stratix V FPGA  100G PCS  線路卡   

Altera發(fā)布28-nm Stratix V FPGA系列

  • Stratix V FPGA突破帶寬瓶頸，同時降低了系統(tǒng)功耗和成本 2010年4月20號，北京——Altera公司(NASDAQ: ALTR)今天發(fā)布業(yè)界帶寬最大的FPGA——下一代28-nm Stratix? V FPGA。Stratix V FPGA具有1.6 Tbps串行交換能力，采用各種創(chuàng)新技術(shù)和前沿28-nm工藝，降低了寬帶應(yīng)用的成本和功耗。 Stratix V FPGA系列采用TSMC 28-nm高性能(HP)工藝進行制造，提供1
  • 關(guān)鍵字： Altera  28-nm  Stratix V FPGA  

零交通事故成為可能 介紹幾種最新汽車安全技術(shù)

爾必達計劃收購美國Spansion閃存資產(chǎn)

  • 　　3月4日消息，據(jù)國外媒體報道，爾必達公司今日表示，計劃收購美國晶片制造商Spansion的NAND閃存資產(chǎn)。Spansion是由日本富士通和AMD組建的合資企業(yè)，該公司去年3月申請破產(chǎn)。 　　爾必達記憶體將斥資30-50億日元(合3400-5700萬美元)收購Spansion的NAND相關(guān)資產(chǎn)，其中包括在意大利的一個研發(fā)工廠。 　　爾必達希望提供半導(dǎo)體模組，結(jié)合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋果iPhone等智能手機方面的運用增長趨勢明顯，爾必達正在追趕DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)三星電子和海力士半導(dǎo)體
  • 關(guān)鍵字： 爾必達  NAND閃存  DRAM  
共418條 26/28 |‹ « 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 »

v-nand閃存介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條v-nand閃存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對v-nand閃存的理解，并與今后在此搜索v-nand閃存的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473