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EEPW首頁 >> 主題列表 >> v-nand閃存

iPhone5或?qū)⒉捎脰|芝24納米NAND閃存

  • 東芝于本周二發(fā)布了24納米工藝SmartNAND系列閃存。而這一產(chǎn)品很有可能將應用于蘋果iPhone5中。單條Sm...
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Altera發(fā)布28nm器件系列產(chǎn)品

  • 　　為滿足用戶的多種設計需求，Altera公司 今天發(fā)布其28-nm器件系列產(chǎn)品，為業(yè)界提供最全面的器件選擇。Altera在Cyclone V和Arria V FPGA新系列、最新擴展的Stratix V FPGA以及此前發(fā)布的HardCopy V ASIC系列中為用戶提供突出不同產(chǎn)品優(yōu)勢的解決方案。 　　
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Elpida 和Spansion開始合作生產(chǎn)電荷俘獲型NAND閃存

  • 　　Elpida和Spansion發(fā)明一種電荷俘獲型閃存，為1.8V SLC(單層單元)4Gb NAND閃存存儲器。它是基于Spansion的MirrorBit電荷俘獲型技術(shù)在Elpida的廣島廠進行量產(chǎn)。 　　按公司的說法，與通常的浮柵NAND閃存相比，電荷俘獲型NAND在更簡單的單元結(jié)構(gòu)下可以作到尺寸更小，同時功能更強，讀出速度更快及可編程速度更快。 　　Elpida計劃把NAND閃存與移動RAM結(jié)合一起銷售移動消費類產(chǎn)品。除此之外，Spansion正開發(fā)用于嵌入式及選擇無線市場的NAND，以及繼
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東芝開始量產(chǎn)24nm工藝NAND閃存

  • 　　東芝公司宣布，即日起開始使用24nm工藝批量生產(chǎn)NAND閃存芯片，這也是該領(lǐng)域內(nèi)迄今為止最為先進的制造技術(shù)。 　　東芝透露，24nm工藝已被用于生產(chǎn)世界上體積最小、存儲密度最高的2bpc(每單元兩個比特)MLC NAND閃存芯片，單顆容量64Gb(8GB)，今后還會使用同樣工藝制造32Gb(4GB)容量和3bpc規(guī)格的閃存芯片。 　　東芝表示，新工藝將進一步減小芯片尺寸、提高生產(chǎn)效率，同時還支持Toggle DDR接口規(guī)范，有助于增強數(shù)據(jù)傳輸速度。 　　在此之前，Intel、美光合資的IM Fl
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一種可實現(xiàn)快速響應的V/I電路的設計方法

  • 　0 引言　　本文通過電流驅(qū)動負載，設計了一種具有快速響應的電壓轉(zhuǎn)電流電路，同時采用PSPICE里的實際模型對電路進行了仿真，仿真響應時間為百ns。故該電路的設計對高速網(wǎng)絡中有一定的參考價值?！　? 電壓轉(zhuǎn)電流的
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由單片IC構(gòu)成的廉價100KHZ V-F轉(zhuǎn)換器

  • 電路的功能以往一提到F-F轉(zhuǎn)換器，往往選用混合集成組件，而本電路使用了單片V-F轉(zhuǎn)換器，這是一種廉價的100KHZ V-F轉(zhuǎn)換器標準電路，它把0~10V的輸入電壓轉(zhuǎn)換成0~100KHZ的脈沖串。用光耦合器或光纖傳輸，可以把模擬信號
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通過28-nm FPGA 解決100-GbE 線路卡設計挑戰(zhàn)

  • 各種標準組織逐步完成了傳送網(wǎng)、以太網(wǎng)和光接口的100G 標準， FPGA 在100G 產(chǎn)品系統(tǒng)設計早期技術(shù)應用中扮演了關(guān)鍵角色。由于帶寬需求越來越大，服務提供商為他們的下一代線路卡選擇了最新的40-GbE/100-GbE標準。Altera Stratix V FPGA在28-nm 技術(shù)節(jié)點提供具有增強100G PCS 功能的集成12.5-Gbps收發(fā)器，從而解決了帶寬問題。 詳情參見 http://share.eepw.com.cn/share/download/id/51953
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Altera發(fā)布28-nm Stratix V FPGA系列

  • Stratix V FPGA突破帶寬瓶頸，同時降低了系統(tǒng)功耗和成本 2010年4月20號，北京——Altera公司(NASDAQ: ALTR)今天發(fā)布業(yè)界帶寬最大的FPGA——下一代28-nm Stratix? V FPGA。Stratix V FPGA具有1.6 Tbps串行交換能力，采用各種創(chuàng)新技術(shù)和前沿28-nm工藝，降低了寬帶應用的成本和功耗。 Stratix V FPGA系列采用TSMC 28-nm高性能(HP)工藝進行制造，提供1
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零交通事故成為可能 介紹幾種最新汽車安全技術(shù)

爾必達計劃收購美國Spansion閃存資產(chǎn)

  • 　　3月4日消息，據(jù)國外媒體報道，爾必達公司今日表示，計劃收購美國晶片制造商Spansion的NAND閃存資產(chǎn)。Spansion是由日本富士通和AMD組建的合資企業(yè)，該公司去年3月申請破產(chǎn)。 　　爾必達記憶體將斥資30-50億日元(合3400-5700萬美元)收購Spansion的NAND相關(guān)資產(chǎn)，其中包括在意大利的一個研發(fā)工廠。 　　爾必達希望提供半導體模組，結(jié)合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋果iPhone等智能手機方面的運用增長趨勢明顯，爾必達正在追趕DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)三星電子和海力士半導體
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市場調(diào)研公司開始對于2010年半導體市場作第一次修正

  • 　　全球1月半導體的銷售額數(shù)據(jù)出籠，讓分析師們的眼睛一亮，紛紛提高2010年的預測。為什么如此迫不及待，值得思考。 　　按SIA總裁的看法,全球半導體銷售額1月的最新數(shù)據(jù)(三個月的移動平均值) 比12月的225億美元上升0,3%,分析推動市場增長在眾多方面, 包括計算機, 手機, 汽車電子和工業(yè)應用。如果與去年同期相比, 銷售額增長達47%,顯然與09年1月時正值全球的最低點有關(guān)。 　　   　　SIA總裁Scalise認為,傳統(tǒng)上因為季節(jié)的原因, 通常1月會比12月有所下降, 所以
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三星/海力士NAND閃存芯片邁向20nm級工藝

  • 　　繼Intel、美光上個月宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存芯片后，韓國兩大存儲廠三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工藝NAND閃存投產(chǎn)計劃。 　　海力士將采用26nm工藝生產(chǎn)容量為64Gb的NAND閃存芯片，這和Intel、美光首批投產(chǎn)的25nm芯片容量一致。而三星則計劃在今年第二季度投產(chǎn)27nm NAND閃存。 　　海力士表示，和30nm工藝相比，新工藝的閃存芯片的產(chǎn)能將翻一番，成本也將大幅度降低。根據(jù)韓國當?shù)孛襟w的報道，海力士將在今年第三季度開始量產(chǎn) 26nm閃存芯片。在這一點上三星已經(jīng)占
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智能手機將使用更高性能的Managed型NAND閃存

  • 　　盡管智能手機在其它許多方面目前比普通手機更為先進，但目前智能手機中所配用的閃存與普通手機里的并沒有太大的區(qū)別，仍然使用的是普通規(guī)格的閃存，這種閃 存在讀寫性能方面較為一般化。不過這種情況在未來一段時間內(nèi)有望改觀，閃存芯片廠商會為手機制造性能更好，可媲美PC用閃存性能的閃存芯片。   　　鎂光公司副總裁Brian Shirley稱：“目前大多數(shù)播放器使用的都是普通的RAW型NAND閃存，不過我們未來會向手機推出更高級的Managed型NAND閃存。”這種Mana
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TDK推出兼容U.DMA 6的工業(yè)用CompactFlash存儲卡和高可靠性RA8系列固態(tài)硬盤

  • 　　TDK公司2008年11月17日宣布，將于2008年12月開始銷售兼容U.DMA 6的CFG8A系列工業(yè) 用CompactFlash（CF）存儲卡和兼容并行ATA（PATA）模式的SDG8A系列固態(tài)硬盤 （SSD），最大容量高達16 Gbyte。 　　這些產(chǎn)品將TDK獨創(chuàng)的NAND閃存控制器（兼容GBDriver RA8 U.DMA 6）與高速、高頻寫 入單層單元（SLC）NAND閃存相結(jié)合，從而打造出業(yè)內(nèi)最先進的NAND閃存卡，在高速性 能、耐用性及高可靠性方面邁上了新臺階。 　　此外，
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v-nand閃存介紹

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