三星/海力士NAND閃存芯片邁向20nm級工藝
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繼Intel、美光上個月宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存芯片后，韓國兩大存儲廠三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工藝NAND閃存投產(chǎn)計劃。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/106062.htm海力士將采用26nm工藝生產(chǎn)容量為64Gb的NAND閃存芯片，這和Intel、美光首批投產(chǎn)的25nm芯片容量一致。而三星則計劃在今年第二季度投產(chǎn)27nm NAND閃存。
海力士表示，和30nm工藝相比，新工藝的閃存芯片的產(chǎn)能將翻一番，成本也將大幅度降低。根據(jù)韓國當(dāng)?shù)孛襟w的報道，海力士將在今年第三季度開始量產(chǎn) 26nm閃存芯片。在這一點上三星已經(jīng)占據(jù)了先機，三星稱他們在去年就完成了對27nm NAND閃存芯片的研發(fā)，并計劃在今年二季度進(jìn)行量產(chǎn)。
不過三星和海力士并沒有透露，新工藝芯片是否采用了MLC存儲技術(shù)。
根據(jù)市場調(diào)研公司IC Insights的統(tǒng)計，全球NAND閃存市場今年的收入將達(dá)到188億美元，占據(jù)半導(dǎo)體市場總收入的7%，高于去年的154億美元。
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