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EEPW首頁 >> 主題列表 >> v-nand閃存

基于Altera cyclone V SOC的JPEG編碼分析

  • H.264等視頻壓縮算法在視頻會議中是核心的視頻處理算法，它要求在規(guī)定的短時間內(nèi)，編解碼大量的視頻數(shù)據(jù)，目前主要都是在DSP上運(yùn)行。未來在添加4k*2k、H.265編解碼等功能，并要求控制一定成本的情況下，面臨DSP性能瓶
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基于Hyper-V虛擬化技術(shù)實(shí)現(xiàn)故障轉(zhuǎn)移

  • 航空氣象要素對飛行安全的影響越來越大，氣象探測設(shè)備的重要性也越來越高。成陽國際機(jī)場配備了風(fēng)廓線雷達(dá)，能夠?yàn)楹娇诊w行提供機(jī)場上空的風(fēng)速風(fēng)向和溫度?；诒Ｕ巷L(fēng)廓線雷達(dá)正常運(yùn)行的目的，通過Hyper-V虛擬化技術(shù)和故障轉(zhuǎn)移集群的方法，結(jié)合人為干預(yù)設(shè)備的試驗(yàn)，實(shí)現(xiàn)了風(fēng)廓線雷達(dá)系統(tǒng)的故障轉(zhuǎn)移功能，平均故障修復(fù)時間提高了95%。
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讓汽車看懂紅綠燈 奧迪新技術(shù)展示

  • 如果說無人駕駛離消費(fèi)者還很遙遠(yuǎn)，那么傳統(tǒng)車廠在汽車上植入的新功能對駕駛員來說已經(jīng)在逐步解放駕駛員了。據(jù)外媒報道，奧迪將在其2017款的Q7和A4
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第三季度NAND閃存市場不樂觀

  • NAND閃存的平均銷售價格在2013上半年一路上漲，但是第三季度的市場卻不容樂觀，由于庫存的壓力，平均售價在下半年預(yù)計會下挫，廠商們應(yīng)該持有一個
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三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

  • 韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤驅(qū)動器已經(jīng)開始進(jìn)行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包
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三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進(jìn)化

  • 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤存儲--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
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三星48層3D V-NAND快閃存儲器揭密

  • 　　備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會先睹為快。 　　三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M，并強(qiáng)調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD)，也預(yù)計會在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實(shí)現(xiàn)了，我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。 　　   　　圖1：三星T3 2TB S
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三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴(kuò)展？

  • 　　三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級技術(shù))3D V-NAND芯片，預(yù)計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設(shè)備當(dāng)中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著每個NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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Imec結(jié)合III-V材料打造高性能Flash

  • 　　比利時奈米電子研究中心Imec的研究人員透過將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式，發(fā)現(xiàn)了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。 　　目前大多數(shù)的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道，并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動至垂直的方向，3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝，而不必遵循微縮規(guī)則。 　　此外，Imec最近發(fā)現(xiàn)，透過使用通道中的III-V材
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電壓/電流與電壓/頻率轉(zhuǎn)換電路（V/I、V/F電路）

  • 　　1電壓/電流轉(zhuǎn)換電路 　　電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換，是將輸入的電壓信號轉(zhuǎn)換成滿足一定關(guān)系的電流信號，轉(zhuǎn)換后的電流相當(dāng)一個輸出可調(diào)的恒流源，其輸出電流應(yīng)能夠保持穩(wěn)定而不會隨負(fù)載的變化而變化。V/I轉(zhuǎn)換原理如圖1。 　　   　　由圖1可見，電路中的主要元件為一運(yùn)算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構(gòu)成，V0為偏置電壓，Vin為輸入電壓即待轉(zhuǎn)換電壓，R為負(fù)載電阻。其中運(yùn)算放大器起比較器作用，將正相端電壓輸入信號與反相端電壓V-進(jìn)行比較，經(jīng)運(yùn)算放大器放大后再經(jīng)三極管放
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三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

  • 　　2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達(dá)10%，為當(dāng)初預(yù)期的3倍以上，預(yù)料到了2016年，占比將進(jìn)一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。 　　據(jù)韓媒Money Today報導(dǎo)，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 　　據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
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2016年3D V-NAND市場擴(kuò)大10倍　三星拉大與后起業(yè)者差距

  • 　　在存儲器芯片市場上，垂直堆疊結(jié)構(gòu)的3D V-NAND Flash比重正迅速擴(kuò)大，全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。 　　據(jù)韓國MT News報導(dǎo)，2016年前3D V-NAND市場規(guī)模預(yù)估將擴(kuò)大10倍，而除目前獨(dú)占市場的三星電子(Samsung Electronics)外，也將有更多半導(dǎo)體廠加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨(dú)大V-NAND市場，為拉大與后起業(yè)者的差距，生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結(jié)構(gòu)，增加到48層。 　　外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli資料指出，以NAND Flash的技術(shù)分類，V-N
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三星業(yè)內(nèi)首先量產(chǎn)3bit 3D V-NAND閃存

  • 　　全球先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)軍品牌三星電子今天宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤的業(yè)內(nèi)首個3bit MLC 3D V-NAND閃存。 　　三星電子存儲芯片營銷部門負(fù)責(zé)人韓宰洙高級副總裁表示：“通過推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤產(chǎn)品線，我們相信3bit V-NAND將會加快數(shù)據(jù)存儲設(shè)備從傳統(tǒng)硬盤向固態(tài)硬盤的轉(zhuǎn)換。固態(tài)硬盤產(chǎn)品的多樣化，將加強(qiáng)三星產(chǎn)品的市場競爭力，進(jìn)一步推動三星固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)的發(fā)展。” 　　3bit V-NAND閃存是基于三星第二代V-NAND芯片技術(shù)的最新產(chǎn)品，每
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AMETEK Sorensen可編程電源的保護(hù)特性

  • 　　可編程電源是電氣實(shí)驗(yàn)室工程師及技術(shù)人員必備的基本儀器，用以獲得測試所需的基本功率或可變功率。這些電源的成本通常較低，并只帶有基本的控制裝置：一個開啟/關(guān)閉開關(guān)及兩個用于調(diào)節(jié)電壓電流的旋鈕。在未來，旋鈕調(diào)節(jié)將繼續(xù)會是首選方法，因?yàn)槠淇蓡为?dú)且靈活的改變電壓或電流，從而直觀的觀察其他測量儀器或被測部件性能。 　　對低成本應(yīng)用中的大多數(shù)電源而言保護(hù)功能不是必須考慮的因素，但是在一些測試應(yīng)用中，會要求使用很小電壓范圍，如2.0%- 20%范圍，否則會很容易損壞設(shè)備，這就為使用者提出了新的要求。 　　AMET
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基于FPGA的高帶寬存儲接口設(shè)計

  • 　　摘要：文中詳細(xì)地分析了Altera公司Cyclone V FPGA器件的硬核存儲控制器底層架構(gòu)和外部接口，并在此基礎(chǔ)上對Controller和PHY進(jìn)行了功能仿真。仿真結(jié)果表明硬核存儲控制器和PHY配合工作時的功能與設(shè)計預(yù)期相符，性能優(yōu)良，適合于在當(dāng)前FPGA的外部存儲帶寬需求日益增長的場合下應(yīng)用。 　　如今，越來越多的應(yīng)用場景都需要FPGA能夠和外部存儲器之間建立數(shù)據(jù)傳輸通道，如視頻、圖像處理等領(lǐng)域，并且對數(shù)據(jù)傳輸通道的帶寬也提出了較大的需求，這就導(dǎo)致了FPGA和外部Memory接口的實(shí)際有效帶寬
  • 關(guān)鍵字： FPGA  Altera  Cyclone V  
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v-nand閃存介紹

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