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通過轉向1700V SiC MOSFET，無需考慮功率轉換中的權衡問題

  • 高壓功率系統(tǒng)設計人員努力滿足硅MOSFET和IGBT用戶對持續(xù)創(chuàng)新的需求。基于硅的解決方案在效率和可靠性方面通常無法兼得，也不能滿足如今在尺寸、重量和成本方面極具挑戰(zhàn)性的要求。不過，隨著高壓碳化硅（SiC）MOSFET的推出，設計人員現(xiàn)在有機會在提高性能的同時，應對所有其他挑戰(zhàn)。 在過去20年間，額定電壓介于650V至1200V的SiC功率器件的采用率越來越高，如今的1700V SiC產品便是在其成功的基礎上打造而成。技術的進步推動終端設備取得了極大的發(fā)展；如今，隨著額定電壓為1700V的功率器件的推出，
  • 關鍵字： SiC MOSFET  功率轉換  

RS瑞森半導體超高壓MOSFET 900V-1500V填補國內市場空白

  • 現(xiàn)階段半導體市場，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，并存在價格高、交付周期長等問題，為填補國內該項系列產品的市場空白，瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術，利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設計，研發(fā)出電壓更高、導通內阻更低的超高壓系列MOS管，打破了進口品牌壟斷的局面 。一、破局進口品牌壟斷現(xiàn)階段半導體市場，900V-1500V的超高壓MOSFET幾乎被進口品牌壟斷，并存在價格高、交付周期長等問題，為填補國內該項系列產品的市場空白，瑞森半導體采用新型的橫向變摻雜技術，利用特殊的耐壓環(huán)和晶胞設
  • 關鍵字： RS瑞森半導體  MOSFET  

單芯片驅動器+ MOSFET技術 改善電源系統(tǒng)設計

  • 本文介紹最新的驅動器+ MOSFET（DrMOS）技術及其在穩(wěn)壓器模塊（VRM）應用中的優(yōu)勢。單芯片DrMOS組件使電源系統(tǒng)能夠大幅提高功率密度、效率和熱性能，進而增強最終應用的整體性能。隨著技術的進步，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速。因此，這些組件需要的功率急劇增加。微處理器所需的此種電源由穩(wěn)壓器模塊（VRM）提供。在該領域，推動穩(wěn)壓器發(fā)展的主要有兩個參數(shù)。首先是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率），為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度。另一個參數(shù)是功率轉換效率，高
  • 關鍵字： 單芯片  驅動器  MOSFET  DrMOS  電源系統(tǒng)設計  

安森美：聚焦SiC產能擴建，推出最新MOSFET產品

  • 近日，安森美公布了2022年第三季度業(yè)績，其三季度業(yè)績直線上揚，總營收21.93億美元，同比增長25.86%；毛利10.58億美元，同比增長46.82%。財報數(shù)據(jù)顯示，其三大業(yè)務中，智能電源組營收為11.16億美元，同比增長25.1%；高級解決方案組營收7.34億美元，同比增長19.7%；智能感知組營收為3.42億美元，同比增長44.7%，三大業(yè)務全線保持增長。自安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury加入安森美后，安森美執(zhí)行了一系列的戰(zhàn)略轉型，聚焦于智能電源和智能感知兩大領域，從傳統(tǒng)的I
  • 關鍵字： 安森美  SiC  MOSFET  

Nexperia推出用于熱插拔的全新特定型應用MOSFET (ASFET)，SOA性能翻倍

  • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布擴展其適用于熱插拔和軟啟動的ASFET產品組合，推出10款全面優(yōu)化的25V和30V器件。新款器件將業(yè)內領先的安全工作區(qū)(SOA)性能與超低的RDS(on)相結合，非常適合用于12V熱插拔應用，包括數(shù)據(jù)中心服務器和通信設備。  多年來，Nexperia致力于將成熟的MOSFET專業(yè)知識和廣泛的應用經驗結合起來，增強器件中關鍵MOSFET的性能，滿足特定應用的要求，以打造市場領先的ASFET。自ASFET推出以來，針對電池隔離(BMS)、直流
  • 關鍵字： Nexperia  MOSFET  ASFET  SOA  

安森美推出采用創(chuàng)新Top Cool封裝的MOSFET

  • 2022年11月17日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用創(chuàng)新的頂部冷卻，幫助設計人員解決具挑戰(zhàn)的汽車應用，特別是電機控制和DC-DC轉換。 新的Top Cool器件采用TCPAK57封裝，尺寸僅5mm x 7mm，在頂部有一個16.5 mm2的熱焊盤，可以將熱量直接散發(fā)到散熱器上，而不是通過傳統(tǒng)的印刷電路板（以下簡稱“PCB”）散熱。采用TCPAK57封裝能充分使用PCB的兩面，減少PCB發(fā)熱，從而提高功率密度
  • 關鍵字： 安森美  Top Cool封裝  MOSFET  

如何將第三代 SiC MOSFET 應用于電源設計以提高性能和能效

  • 在各種電源應用領域，例如工業(yè)電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴苛，已經超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而基于碳化硅 (SiC) 的新型晶體管架構應運而生。在各種電源應用領域，例如工業(yè)電機驅動器、AC/DC 和 DC/DC 逆變器/轉換器、電池充電器、儲能系統(tǒng)等，人們不遺余力地追求更高效率、更小尺寸和更優(yōu)性能。性能要求越來越嚴苛，已經超出了硅 (Si) 基 MOSFET 的能力，因而
  • 關鍵字： Digi-Key   MOSFET  

全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設備更小、更高效

  • SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導體器件，在高速開關性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設備應用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉換器和光伏逆變器在內的應用需求，實現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。東芝推出并已量產的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊MG600Q2YMS3和MG400V2YMS3就是這樣的產品，其最大亮點是全SiC MOSFET模塊，不同于只用SiC SBD（肖
  • 關鍵字： Toshiba  MOSFET  

認識線性功率MOSFET

  • 本文針對MOSFET的運作模式，組件方案，以及其應用范例進行說明，剖析標準MOSFET的基本原理、應用優(yōu)勢，與方案選擇的應用思考。線性MOSFET是線性模式應用時最合適的選擇，能夠確?？煽康倪\作。然而，用于線性模式應用時，標準MOSFET容易產生電熱不穩(wěn)定性，從而可能導致組件損壞。A類音訊放大器、主動式DC-link放電、電池充放電、浪涌電流限制器、低電壓直流馬達控制或電子負載等線性模式應用，都要求功率 MOSFET組件在電流飽和區(qū)內運行。了解線性模式運作在功率 MOSFET 的線性工作模式下，高電壓和高
  • 關鍵字： Littelfuse  線性功率  MOSFET  

電源系統(tǒng)設計優(yōu)化秘技:單片驅動器+MOSFET(DrMOS)

  • 現(xiàn)階段，多核架構使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，令這些器件所需功率急劇增加，直接導致向微處理器供電的穩(wěn)壓器模塊(VRM)的升級需求：一是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率）升級，為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度；另一是功率轉換效率提升，高效率可降低功率損耗并改善熱管理。目前電源行業(yè)一種公認的解決方案，是將先進的開關MOSFET（穩(wěn)壓器的主要組成部分）及其相應的驅動器集成到單個芯片中并采用高級封裝，從而實現(xiàn)緊湊高效的功率轉換。這種DrMOS功率級優(yōu)化了高速功率轉換。隨著對這
  • 關鍵字： 電源系統(tǒng)設計  單片驅動器  MOSFET  DrMOS  

科普：MOSFET結構及其工作原理

  • MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體)+FET(Field Effect Transistor場效應晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產生電場的效應來控制半導體(S)導電溝道開關的場效應晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離，MOSFET因此又被稱為絕緣柵型場效應管。市面上大家所說的功率場效應晶體管通常指絕緣柵MOS型(Metal Oxide Semico
  • 關鍵字： MOSFET  

基于英飛凌SIC MOSFET 和驅動器的11kW DC-DC變換器方案

  • REF-DAB11KIZSICSYS是一個CLLC諧振DC/DC轉換器板，能夠提供高達11kW的800 V輸出電壓，IMZ120R030M1H（30mΩ/1200V SiC MOSFET）加上1EDC20I12AH，使其性價比和功率密度更高。憑借其高效的雙向功率變換能力和軟開關特性，是電動汽車和能量存儲系統(tǒng)（ESS）等DCDC項目的理想選擇。 終端應用產品30 kW 至 150 kW 的充電機，50 kW 至 350 kW 的充電機，儲能系統(tǒng)，電動汽車快速充電，功率轉換系統(tǒng) （PCS）?場景應用
  • 關鍵字： mosfet  dc-dc  英飛凌  ipcdcdc  infineon  終端  功率  dc  充電器  

上海貝嶺為USB-PD應用提供高性能驅動IC和MOSFET解決方案

  • 智能化便攜式電子設備諸如智能手機、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新?lián)Q代，功能越來越豐富，隨之帶來了耗電量急劇上升的挑戰(zhàn)。然而，在現(xiàn)有電池能量密度還未取得突破性進展的背景下，人們開始探索更快的電量補給，以高效充電來壓縮充電時間，降低充電的時間成本，從而換取設備的便攜性，提升用戶體驗。目前，USB-PD是最為主流的快充技術。該技術標準具有18W、20W、35W、65W和140W等多種功率規(guī)格，以及5V、9V、12V和20V等多種電壓輸出。靈活的電壓電流輸出配置讓各種電子設備都能通過一條USB-TYPE C線纜
  • 關鍵字： 上海貝嶺  驅動IC  MOSFET  

測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法

  • SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。本文的關鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進行測量，在開關速度較快時
  • 關鍵字： 羅姆半導體，MOSFET  

東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第三代SiC MOSFET

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產品包括5款1200V產品和5款650V產品，已于今日開始出貨。  新產品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約
  • 關鍵字： 東芝  SiC MOSFET  
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