首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> vishay intertechnology

Vishay發(fā)布業(yè)內(nèi)首款耐高溫厚膜片式電阻

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款新型耐高溫、表面貼裝的環(huán)繞式厚膜片式電阻---CHPHT。對于鉆井應(yīng)用，CHPHT是業(yè)內(nèi)首款具有-55℃～+230℃的工作溫度和-55℃～+245℃儲存溫度的此類器件。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  電阻  CHPHT  

Vishay發(fā)布新系列高性能薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列可在-55℃～+215℃寬溫條件下工作的雙通道薄膜電阻網(wǎng)絡(luò)---HTRN系列。該系列電阻網(wǎng)絡(luò)的工作溫度范圍比傳統(tǒng)薄膜片式電阻擴(kuò)大了近100℃，絕對TCR低至±25ppm/℃，TCR跟蹤為5ppm/℃，以及±0.05%的嚴(yán)格比例容差。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  薄膜電阻  HTRN  

Vishay推出新款耐高溫鉭電容器

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出在-55℃～+175℃溫度及50%電壓降額情況下工作的新系列HI-TMP TANTAMOUNT表面貼裝固態(tài)模壓片式鉭電容器---TH4系列。通過AEC-Q200認(rèn)證的TH4電容器能在遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的高溫下工作，為汽車和工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計工程師提供了穩(wěn)固和更可靠的產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  鉭電容器  TH4  

Vishay發(fā)布三款新型表面貼裝共模扼流圈

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型表面貼裝共模扼流圈--- ICM-2824、ICM-3528和ICM-4743，為直流電源線提供了低直流電阻、高電流處理能力和高可靠性。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  共模扼流圈  ICM-2824  ICM-3528  ICM-4743  

Vishay推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新器件---SiZ300DT和SiZ910DT---以擴(kuò)充用于低電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用的PowerPAIR家族雙芯片不對稱功率MOSFET。新器件擴(kuò)大了該系列產(chǎn)品的電壓和封裝占位選項，使Vishay成為3mm x 3mm、6mm x 3.7mm和6mm x 5mm PowerPAIR尺寸規(guī)格產(chǎn)品的獨家供應(yīng)商。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  SiZ300DT  SiZ910DT  

Vishay發(fā)布具有集成電阻的新款表面貼裝MLCC

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用一個集成電阻和低電致伸縮陶瓷配方的新款陶瓷多層片式電容器(MLCC)--- VJ CDC。對于高脈沖電流應(yīng)用，VJ受控放電電容器(CDC)提供了出色的穩(wěn)定性，可承受1000VDC～1500VDC的高電壓，容量為33nF～560nF。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MLCC  VJ CDC  

Vishay發(fā)布新款850nm紅外發(fā)射器

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款采用該公司的SurfLight表面發(fā)射器技術(shù)制造的850nm紅外(IR)發(fā)射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01，擴(kuò)大其光電子產(chǎn)品組合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star?封裝，占位為6.0mm x 7.0mm x1.5mm，具有超群的高驅(qū)動電流、發(fā)光強(qiáng)度和光功率，同時具有低熱阻系數(shù)。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  發(fā)射器  VSMY7852X01  VSMY7850X01  

Vishay推出新款4線總線端口保護(hù)陣列

  • 除了能節(jié)省電路板空間，4線VBUS54ED-FBL采用了“滲流”設(shè)計，這種設(shè)計支持筆記本電腦、手機(jī)、MP3播放器和便攜式游戲機(jī)等移動式電子產(chǎn)品中USB 3.0、HDMI、DisplayPort、eSATA和1394/Firewire等應(yīng)用中高速數(shù)據(jù)線對浪涌電阻的要求。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  ESD  VBUS54ED-FBL  

Vishay推出新款n溝道功率MOSFET

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV。對于軍工、航天和航空應(yīng)用，這些采用密封TO-205AD(TO-39)封裝的器件兼具低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)的性能。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  

Vishay推出超小SMD封裝的功率型Mini LED

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一系列采用超小2.3mm x 1.3mm x 1.4mm SMD封裝的功率型Mini LED---VLMx233..系列。該系列器件具有大紅、紅色、琥珀色、淺桔色和黃色等幾種顏色，采用最先進(jìn)的AllnGaP技術(shù)，使光輸出增加了3倍，并通過針對汽車應(yīng)用AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  封裝  Mini LED  VLMx233  

Vishay業(yè)界首款CAT IV高壓隔離光耦

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首款采用表面貼裝封裝的CAT IV高壓隔離光耦---CNY64ST和CNY65ST，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。CNY64ST和CNY65ST系列產(chǎn)品通過了國際安全監(jiān)管機(jī)構(gòu)VDE的認(rèn)證，具有長爬電距離和高隔離測試電壓，可保護(hù)在類似太陽能發(fā)電和風(fēng)電機(jī)組的電網(wǎng)連接等高壓環(huán)境中的工人和設(shè)備?，F(xiàn)在，希望在產(chǎn)品中全面使用表面貼裝元器件以實現(xiàn)靈活生產(chǎn)的客戶可以使用CNY64ST和CNY65ST，這兩款器件填補(bǔ)了現(xiàn)有CNY6x系列通孔器件在封裝形式上
  • 關(guān)鍵字： Vishay  太陽能  CAT IV  

Vishay Siliconix再次刷新MOSFET記錄

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片級封裝的N溝道和P溝道功率MOSFET---Si8802DB和Si8805EDB。8V N溝道Si8802DB和P溝道Si8805EDB TrenchFET功率MOSFET所用的MICRO FOOT封裝的占板面積比僅次于它的最小芯片級器件最高可減少36%，而導(dǎo)通電阻則與之相當(dāng)甚至更低。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  Si8802DB  

Vishay Siliconix推出CMOS模擬開關(guān)和多路復(fù)用器

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款可使用2.7V～16V單電源或±2.7V～±8V雙電源工作的新器件，充實其DG92xx系列CMOS模擬開關(guān)和多路復(fù)用器。新器件具有工作電壓范圍寬、小封裝尺寸和兼容低電壓邏輯的特點，可用于高速、高精度開關(guān)應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： Vishay Siliconix  CMOS  DG9236  DG9251  

Vishay Siliconix發(fā)布新款E系列MOSFET器件

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列600V和650V n溝道功率MOSFET---E系列器件。新產(chǎn)品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大導(dǎo)通電阻，以及22A～47A的額定電流范圍。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技術(shù)，具有超低柵極電荷，以及較低柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積，該乘積是衡量用在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)。 　　 ? 　　與前一代S系列器件相比，新的
  • 關(guān)鍵字： Vishay Siliconix  MOSFET  

Vishay的MOSFET榮獲Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎

  • 2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎的獲獎產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字： Vishay  MOSFET  
共560條 23/38 |‹ « 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 » ›|
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473