后摩爾時(shí)代誰是最終答案？第三代半導(dǎo)體呼聲漸漲

第三代半導(dǎo)體正是材料環(huán)節(jié)的創(chuàng)新，被視作超越摩爾定律相關(guān)技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)之一。

今日（6月17日）A股第三代半導(dǎo)體集體走強(qiáng)，截至收盤，聚燦光電、臺(tái)基股份、三安光電、露笑科技、奧?？萍?、新潔能、斯達(dá)半導(dǎo)、北方華創(chuàng)、士蘭微、海特高新均封漲停，華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技、賽微電子等個(gè)股紛紛跟漲。

此前5月14日，劉鶴主持召開國家科技體制改革和創(chuàng)新體系建設(shè)領(lǐng)導(dǎo)小組第十八次會(huì)議，討論了面向后摩爾時(shí)代的集成電路潛在顛覆性技術(shù)。

材料工藝是芯片研發(fā)的主旋律，第三代半導(dǎo)體正是材料環(huán)節(jié)的創(chuàng)新，被視作超越摩爾定律相關(guān)技術(shù)發(fā)展的重點(diǎn)之一。與前兩代半導(dǎo)體相比，以GaN、GaAs為代表的第三代化合物半導(dǎo)體材料物理特性優(yōu)勢(shì)明顯，下游應(yīng)用廣泛。

天風(fēng)證券分析師潘暕報(bào)告指出，新材料是芯片制造工藝中的核心挑戰(zhàn)，是芯片性能的提升的基石，后摩爾時(shí)代，看好第三代半導(dǎo)體。以碳化硅SiC為例，相較于傳統(tǒng)硅材料具有高系統(tǒng)穩(wěn)定度、系統(tǒng)及裝置小型化、縮短充電時(shí)間、延長(zhǎng)電動(dòng)車?yán)m(xù)航力等，將漸取代硅基功率器件于車載端的應(yīng)用。

據(jù)《2020“新基建”風(fēng)口下第三代半導(dǎo)體應(yīng)用發(fā)展與投資價(jià)值白皮書》指出，2019年我國第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為94.15億元，預(yù)計(jì)2019-2022年將保持85%以上平均增長(zhǎng)速度，到2022年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到623.42億元。

從GaAs、GaN和SiC市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局來看，目前化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)以歐美、日韓和中國臺(tái)灣企業(yè)為主，大陸企業(yè)在技術(shù)實(shí)力、產(chǎn)能規(guī)模和市場(chǎng)份額方面與領(lǐng)先企業(yè)均具有不小差距，市場(chǎng)話語權(quán)較弱。

以GaN為例，GaN器件產(chǎn)業(yè)鏈包括上游襯底及外延片、中游器件設(shè)計(jì)與制造和下游產(chǎn)品應(yīng)用等環(huán)節(jié)，目前行業(yè)模式以IDM為主，但設(shè)計(jì)與制造環(huán)節(jié)已開始出現(xiàn)分工。其中，住友電工在GaN襯底領(lǐng)域一家獨(dú)大，市場(chǎng)份額超過90%，外延片龍頭包括IQE、COMAT等；GaN制造環(huán)節(jié)代表性企業(yè)包括穩(wěn)懋、富士通和臺(tái)積電，大陸方面以三安光電為代表。

華泰證券分析師黃樂平認(rèn)為，國產(chǎn)替代和半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展進(jìn)入后摩爾時(shí)代是未來十年半導(dǎo)體 行業(yè)投資的兩條主線。東莞證券分析師羅煒則表示，在5G基建、5G終端射頻和新能源車等多重推動(dòng)，以及化合物半導(dǎo)體的國產(chǎn)替代趨勢(shì)下，未來成長(zhǎng)空間廣闊，相關(guān)廠商有望迎來較好的發(fā)展機(jī)遇。