三星在美建廠生變？傳有意在韓國再建1個平澤園區(qū)，第8代V-NAND有望超200層

據(jù)韓國經(jīng)濟報導(dǎo)，因應(yīng)韓國向企業(yè)表達“創(chuàng)造就業(yè)機會”的需求，三星半導(dǎo)體部門高層金奇南透露，有意在韓國建立第二座平澤園區(qū)。業(yè)界人士猜測，韓國京畿道平澤或安城，都可能是三星新廠的落址。

另外，據(jù)三星介紹，將在2021下半年展示基于第7代V-NAND的消費類SSD產(chǎn)品，還計劃將第7代V-NAND導(dǎo)入到數(shù)據(jù)中心SSD產(chǎn)品中，在低功耗方面表現(xiàn)優(yōu)異，而且下一代第8代V-NAND將可望超過200層，未來V-NAND的目標(biāo)是超過1000層堆疊。

全球芯片短缺持續(xù)，三星擴大投資為后續(xù)供應(yīng)吃下“定心丸”

近日，印度、越南、馬來西亞、臺灣地區(qū)等疫情反撲，不僅導(dǎo)致馬來西亞幾乎“全面封城”，臺積電、京元電、力積電等多家臺企廠區(qū)也陸續(xù)出現(xiàn)員工確診，一度威脅到晶圓代工和封測產(chǎn)能，而不確定的因素影響，讓業(yè)內(nèi)人士普遍預(yù)估，全球芯片短缺的市況恐將持續(xù)到2022年。

三星平澤作為重要生產(chǎn)基地，目前P1已投入使用，平澤P2工廠于2020年8月導(dǎo)入EUV技術(shù)批量生產(chǎn)16Gb LPDDR5之后，2021年上半年開始導(dǎo)入晶圓代工和NAND Flash產(chǎn)線設(shè)備，預(yù)計將在下半年開始批量生產(chǎn)。與此同時，三星宣布正在新建平澤P3工廠，將于2022年下半年完工，采用EUV設(shè)備批量生產(chǎn)14nm DRAM和5nm邏輯芯片產(chǎn)品。

在先進技術(shù)方面，2021年三星持續(xù)擴大先進15nm DRAM和128L V-NAND的生產(chǎn)，以及加快14nm DRAM和176L V-NAND技術(shù)的升級，第8代V-NAND將超過200層堆疊，持續(xù)保持技術(shù)的競爭優(yōu)勢。

若三星再建一個同樣規(guī)模的平澤園區(qū)，無疑是為后續(xù)產(chǎn)業(yè)供應(yīng)吃下“定心丸”，并可穩(wěn)固三星在半導(dǎo)體市場上的領(lǐng)導(dǎo)地位。不過，全球制造業(yè)競爭越演越烈，三星在美國投資還未定案，如今又在韓國投資新建園區(qū)，業(yè)內(nèi)人士紛紛揣測，三星在美建廠計劃是否將會生變。

全球制造業(yè)競爭越演越烈，三星持續(xù)擴大本土投資或是首要考量

之前中美、日韓貿(mào)易激化，再加上2020年一場突如其來的“疫情”打亂全球制造業(yè)鏈，各國已掀起了本土半導(dǎo)體制造業(yè)發(fā)展的浪潮，除了美國，也包括韓國、中國、日本等在內(nèi)，都紛紛制定半導(dǎo)體制造業(yè)發(fā)展的計劃與策略。

中國因為貿(mào)易戰(zhàn)的激化，在國家政策扶持下，大基金領(lǐng)頭推動中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，從原材料、設(shè)備、芯片設(shè)計、芯片制造、封裝測試等全方面布局，并重點在存儲領(lǐng)域加強核心技術(shù)的研發(fā)與芯片生產(chǎn)，提高企業(yè)市場影響力。

日本也宣布了完善半導(dǎo)體研究、生產(chǎn)體制的新戰(zhàn)略，有意促進IBM、臺積電等公司在日本建工廠，以及加強日本企業(yè)之間的合作，甚至在臺積電日本芯片研究項目上，愿意支付一半的資金資助，用于開發(fā)最尖端的半導(dǎo)體制造技術(shù)，提高日本制造能力，強化半導(dǎo)體開發(fā)生產(chǎn)體制。

韓國在5月份公布了“K半導(dǎo)體戰(zhàn)略”，計劃是三星、SK海力士等153家企業(yè)將在未來10年投資510萬億韓元（約合4575億美元），且韓國提供多項政策以支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，目標(biāo)將韓國建設(shè)成全球最大的半導(dǎo)體制造基地。

三星作為韓國核心企業(yè)，促進本土的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，是必要考量的因素，除了正在新建的平澤P3工廠，甚至已規(guī)劃P4、P5…等工廠建設(shè)計劃。同樣作為韓國核心企業(yè)的SK海力士于2019年提出的龍仁半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園區(qū)建設(shè)計劃已獲得批準，初期規(guī)劃在龍仁半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園區(qū)建設(shè)4座半導(dǎo)體工廠，三星再度加碼韓國的投資也是情理之中。

美國大力發(fā)展制造業(yè)，但企業(yè)競爭激烈，三星投資項目尚未定案

三星5月份宣布加碼對System LSI和Foundry領(lǐng)域的投資，將投資額擴大至171萬億韓元（約1534億美元），較之前承諾的投資額，增加了38萬億韓元（約341億美元）。三星加碼投資是對后續(xù)產(chǎn)業(yè)前景樂觀的肯定，然而投資據(jù)點卻是撲朔迷離。

首先，是來自美國鼓勵政策的“誘惑”。美國方面于上個月宣布批準撥款520億美元的資金，將在今后5年內(nèi)大力促進美國半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)和研究，同時積極吸引科技龍頭企業(yè)在美建廠，其中英特爾計劃投資200億美元將在美國建造2座晶圓工廠，臺積電投資120億美元在美國亞利桑那州的工廠也已開工建設(shè)。

英特爾、臺積電紛紛在美投資建廠，三星投資動向備受關(guān)注。此前消息稱，因應(yīng)美國制造業(yè)的鼓勵政策，三星將在美國投資建廠，德州、紐約州及亞利桑那州都有可能，但目前尚未確定建廠地址。

三星在美投資建廠，無疑可以獲得較為優(yōu)越的政策扶持，但是在晶圓代工市場，臺積電占據(jù)50%以上的市場份額，再加上英特爾加入代工行業(yè)，而且英特爾和臺積電已確定在美建廠，競爭加劇使得投資風(fēng)險增加。其次，三星在美國奧斯汀已設(shè)有芯片工廠，若跟風(fēng)投資再建一座工廠，恐加劇市場供應(yīng)過剩的風(fēng)險，三星自然是要進一步深思熟慮。

總之，三星加碼投資的步伐不會停歇，用于應(yīng)對后續(xù)不斷增長的芯片需求，至于在哪投資，則需要綜合考量，以及視供需情況進一步研究。