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可加工5納米芯片,尼康宣布開(kāi)發(fā)新一代ArF浸入式光刻機(jī),面向尖端半導(dǎo)體制造

發(fā)布人:旺材芯片 時(shí)間:2021-10-25 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章
尼康(Nikon) 近日宣布,目前正在開(kāi)發(fā)下一代NSR-S636E ArF 浸入式光刻機(jī),它將提供卓越的疊加精度和超高吞吐量,以支持最關(guān)鍵的半導(dǎo)體設(shè)備的制造。產(chǎn)品銷(xiāo)售計(jì)劃于2023 年開(kāi)始。隨著數(shù)字化轉(zhuǎn)型(DX) 的加速,迫切需要非??焖俚靥幚砗蛡鬟_(dá)大量數(shù)據(jù)。為了滿足這些要求,高性能半導(dǎo)體勢(shì)在必行,半導(dǎo)體器件技術(shù)正在不斷發(fā)展,同時(shí)關(guān)注電路圖案的小型化和3D器件結(jié)構(gòu)的開(kāi)發(fā)。

NSR-S636E 具有增強(qiáng)型在線對(duì)準(zhǔn)站(iAS),它是集成在涂布機(jī)/顯影器單元和光刻掃描儀之間的芯片預(yù)測(cè)量模塊。S636E和 iAS 利用復(fù)雜的多點(diǎn)對(duì)準(zhǔn)測(cè)量和高級(jí)校正功能,使設(shè)備制造商能夠?qū)崿F(xiàn)3D 設(shè)備結(jié)構(gòu)所需的嚴(yán)格疊加精度,同時(shí)最大限度地提高浸入式光刻機(jī)的生產(chǎn)力。NSR-S636E非常適合尖端半導(dǎo)體制造,包括邏輯和存儲(chǔ)設(shè)備、CMOS圖像傳感器應(yīng)用等。關(guān)于NSR-S636E的更多參數(shù)還沒(méi)有公布,但是從其上一代S635E宣稱(chēng)的已經(jīng)可以生產(chǎn)5nm芯片來(lái)看,S636E應(yīng)該至少是可以更加高效的生產(chǎn)5納米芯片了,這個(gè)對(duì)于我國(guó)買(mǎi)不到ASML EUV光刻機(jī)來(lái)說(shuō),不失為一個(gè)很好的選擇。



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