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比亞迪半導體:IGBT 5.0 技術已實現(xiàn)量產(chǎn),正積極布局新一代技術

發(fā)布人:旺材芯片 時間:2022-01-02 來源:工程師 發(fā)布文章

12 月 31 日消息,在 12 月 28 日舉行的第三屆硬核中國芯領袖峰會暨汽車芯片技術創(chuàng)新與應用論壇上,比亞迪半導體功率半導體產(chǎn)品中心高級市場經(jīng)理孫允帥表示,目前,比亞迪半導體基于高密度 Trench FS 的 IGBT 5.0 技術已實現(xiàn)量產(chǎn)。


據(jù)介紹,比亞迪半導體正在積極布局新一代 IGBT 技術,致力于進一步提高 IGBT 芯片的電流密度,提升功率半導體的可靠性,降低產(chǎn)品成本,提高應用系統(tǒng)的整體功率密度。 未來,比亞迪半導體 IGBT 芯片將在核心技術、制造工藝及結(jié)構設計等方面不斷尋求突破。


此外,比亞迪半導體 SiC 車用功率模塊,具有 Pin-fin 直接水冷結(jié)構,結(jié)構十分緊湊,僅一個手掌大小,輸出功率 250KW。


據(jù)了解到,孫允帥表示:“后期,比亞迪半導體將往超小型雙面燒結(jié) SiC 發(fā)展,其具有應用靈活、散熱效率高等優(yōu)勢。目前有關產(chǎn)品在研中,預期實現(xiàn)產(chǎn)品革新的又一跨越。”


官方信息顯示,比亞迪半導體以車規(guī)級半導體為核心,同步推動工業(yè)、家電、新能源、消費電子等領域的半導體業(yè)務發(fā)展,持續(xù)量產(chǎn) IGBT、SiC、IPM、MCU 等產(chǎn)品。比亞迪半導體是全球首家、國內(nèi)唯一實現(xiàn) SiC 三相全橋模塊在新能源汽車電機驅(qū)動控制器中大批量裝車的功率半導體企業(yè)。


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關鍵詞: 比亞迪

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